Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40635) > Сторінка 554 з 678

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 549 550 551 552 553 554 555 556 557 558 559 603 670 678  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BYM12-400-E3/97 BYM12-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/97 BYM12-400-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.45 грн
14+24.47 грн
100+16.56 грн
500+12.14 грн
1000+11.01 грн
2000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-300HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-300HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-150HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-150HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10BE-E3/54 RGP10BE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+9.64 грн
11000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10BE-E3/54 RGP10BE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.28 грн
13+24.95 грн
100+20.40 грн
500+14.58 грн
1000+11.23 грн
2000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNTRL-M3 VS-12CWQ10FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12cwq10f.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNTRL-M3 VS-12CWQ10FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 12cwq10f.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.73 грн
10+44.67 грн
100+42.02 грн
500+31.63 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6012LHN3 VS-E5PX6012LHN3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5px6012lhn3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.86 грн
10+348.66 грн
100+285.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VX60100C-M3/P VX60100C-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division vx60100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.76 грн
10+115.09 грн
100+91.62 грн
500+72.76 грн
1000+61.73 грн
2000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB250A-M3/52 P6SMB250A-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.74A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB250A-M3/52 P6SMB250A-M3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division p6smb.pdf Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.74A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B16-E3-08 BZX384B16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 16V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.2 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.08 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B16-E3-08 BZX384B16-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 16V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.2 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.57 грн
19+17.79 грн
100+9.45 грн
500+5.83 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C8V2-HG3-08 BZX384C8V2-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.73 грн
6000+4.10 грн
9000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C8V2-HG3-08 BZX384C8V2-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.88 грн
32+10.30 грн
100+4.97 грн
500+4.60 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C13-E3-18 BZX384C13-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C13-E3-18 BZX384C13-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+20.06 грн
21+16.02 грн
100+8.51 грн
500+5.25 грн
1000+3.57 грн
2000+3.22 грн
5000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C75-HG3-08 BZX384C75-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: ZENER DIODE SOD3235%, 75V, 0.2W
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 700 mV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C75-HG3-08 BZX384C75-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384g.pdf Description: ZENER DIODE SOD3235%, 75V, 0.2W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.42 грн
17+19.08 грн
100+9.32 грн
500+7.29 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-08 BZX384B11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-08 BZX384B11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-18 BZX384B11-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-18 BZX384B11-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx384.pdf Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C12-G3-08 BZX384C12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_246575.pdf Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
6000+3.03 грн
9000+2.85 грн
15000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C12-G3-08 BZX384C12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PdfFile_246575.pdf Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 21392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.70 грн
44+7.49 грн
100+3.54 грн
500+3.29 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SB1H100-E3/54 SB1H100-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb1h90.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+8.40 грн
11000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3_A/I SM15T22CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3_A/H SM15T22CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3/H SM15T22CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3/I SM15T22CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm15t.pdf Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5232C-E3-08 MMSZ5232C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
на замовлення 20929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.19 грн
53+6.12 грн
100+3.81 грн
500+3.24 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNHM3 VS-12CWQ10FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs12cwq10f.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.70 грн
75+107.11 грн
150+97.15 грн
525+77.87 грн
1050+72.12 грн
2025+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150-M3-18 BZG03C150-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150-M3-18 BZG03C150-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg03c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.28 грн
12+28.73 грн
100+13.59 грн
500+11.91 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAHE3_A/H SMAJ150CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAHM3_A/I SMAJ150CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-HE3-08 BZX84B12-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-HE3-08 BZX84B12-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DHE3_A/H ESH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
850+33.22 грн
1700+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DHE3_A/H ESH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
10+52.80 грн
100+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D-E3/57T ESH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division esh3b.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150KR20A VS-150KR20A Vishay General Semiconductor - Diodes Division 45L,R,%20150K,KS,R%20Series.pdf Description: DIODE STD REV 200V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 471 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150U80D Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-150urseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Packaging: Tube
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 600 A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3188.61 грн
10+2865.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60EPU06-N3 VS-60EPU06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-60epu06-n3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 60A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AC-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.67 грн
25+104.60 грн
100+94.09 грн
500+81.18 грн
1000+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GL41BHE3/96 GL41BHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GL41BHE3/96 GL41BHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.94 грн
12+26.96 грн
100+16.15 грн
500+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GL41B/54 GL41B/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bym10-xxx.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/97 egl41.pdf
BYM12-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400-E3/97 egl41.pdf
BYM12-400-E3/97
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.45 грн
14+24.47 грн
100+16.56 грн
500+12.14 грн
1000+11.01 грн
2000+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-300HE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200HE3_A/H egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-300HE3_A/H egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 300V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400HE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-150HE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50HE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-150HE3_A/H egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-50HE3_A/H egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-200HE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYM12-400HE3_A/H egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 14pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGL41BHE3_A/I egl41.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10BE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10BE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+9.64 грн
11000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10BE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10BE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.28 грн
13+24.95 грн
100+20.40 грн
500+14.58 грн
1000+11.23 грн
2000+11.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNTRL-M3 12cwq10f.pdf
VS-12CWQ10FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNTRL-M3 12cwq10f.pdf
VS-12CWQ10FNTRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
на замовлення 2784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.73 грн
10+44.67 грн
100+42.02 грн
500+31.63 грн
1000+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5PX6012LHN3 vs-e5px6012lhn3.pdf
VS-E5PX6012LHN3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.86 грн
10+348.66 грн
100+285.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VX60100C-M3/P vx60100c.pdf
VX60100C-M3/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.76 грн
10+115.09 грн
100+91.62 грн
500+72.76 грн
1000+61.73 грн
2000+58.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB250A-M3/52 p6smb.pdf
P6SMB250A-M3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.74A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB250A-M3/52 p6smb.pdf
P6SMB250A-M3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 214VWM 344VC DO214AA
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.74A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 214V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 237V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 344V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B16-E3-08 bzx384.pdf
BZX384B16-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.2 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.08 грн
6000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B16-E3-08 bzx384.pdf
BZX384B16-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 16V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 16 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 11.2 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.57 грн
19+17.79 грн
100+9.45 грн
500+5.83 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C8V2-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C8V2-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.73 грн
6000+4.10 грн
9000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C8V2-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C8V2-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 6 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.88 грн
32+10.30 грн
100+4.97 грн
500+4.60 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C13-E3-18 bzx384.pdf
BZX384C13-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C13-E3-18 bzx384.pdf
BZX384C13-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+20.06 грн
21+16.02 грн
100+8.51 грн
500+5.25 грн
1000+3.57 грн
2000+3.22 грн
5000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C75-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C75-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ZENER DIODE SOD3235%, 75V, 0.2W
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Grade: Automotive
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 700 mV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C75-HG3-08 bzx384g.pdf
BZX384C75-HG3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: ZENER DIODE SOD3235%, 75V, 0.2W
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 75 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 700 mV
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.42 грн
17+19.08 грн
100+9.32 грн
500+7.29 грн
1000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-08 bzx384.pdf
BZX384B11-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-08 bzx384.pdf
BZX384B11-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-18 bzx384.pdf
BZX384B11-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384B11-E3-18 bzx384.pdf
BZX384B11-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 200MW SOD323
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C12-G3-08 PdfFile_246575.pdf
BZX384C12-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.52 грн
6000+3.03 грн
9000+2.85 грн
15000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX384C12-G3-08 PdfFile_246575.pdf
BZX384C12-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
на замовлення 21392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.70 грн
44+7.49 грн
100+3.54 грн
500+3.29 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SB1H100-E3/54 sb1h90.pdf
SB1H100-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+8.40 грн
11000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3_A/I sm15t.pdf
SM15T22CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3_A/H sm15t.pdf
SM15T22CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHE3_A/I sm15t.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3/H sm15t.pdf
SM15T22CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHE3_A/H sm15t.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T22CAHM3/I sm15t.pdf
SM15T22CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5232C-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5232C-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 11 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 3 V
на замовлення 20929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.19 грн
53+6.12 грн
100+3.81 грн
500+3.24 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CWQ10FNHM3 vs12cwq10f.pdf
VS-12CWQ10FNHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V 6A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.70 грн
75+107.11 грн
150+97.15 грн
525+77.87 грн
1050+72.12 грн
2025+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150-M3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C150-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG03C150-M3-18 bzg03c-m-series.pdf
BZG03C150-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 150V 1.25W DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 150 V
Impedance (Max) (Zzt): 300 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 110 V
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.28 грн
12+28.73 грн
100+13.59 грн
500+11.91 грн
1000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAHE3_A/H smaj50a.pdf
SMAJ150CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 300W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ150CAHM3_A/I smaj50a.pdf
SMAJ150CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 150VWM 243VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 150V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 167V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 243V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-HE3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B12-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B12-HE3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B12-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 12V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 8 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DHE3_A/H esh3b.pdf
ESH3DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
850+33.22 грн
1700+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 850
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3DHE3_A/H esh3b.pdf
ESH3DHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.85 грн
10+52.80 грн
100+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D-E3/57T esh3b.pdf
ESH3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESH3D-E3/57T esh3b.pdf
ESH3D-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150KR20A 45L,R,%20150K,KS,R%20Series.pdf
VS-150KR20A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 150A DO205AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.33 V @ 471 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-150U80D vs-150urseries.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Packaging: Tube
Package / Case: DO-205AA, DO-8, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 150A
Supplier Device Package: DO-205AA (DO-8)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.47 V @ 600 A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3188.61 грн
10+2865.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60EPU06-N3 vs-60epu06-n3.pdf
VS-60EPU06-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 60A TO247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247AC-2L
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.68 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.67 грн
25+104.60 грн
100+94.09 грн
500+81.18 грн
1000+77.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GL41BHE3/96 bym10-xxx.pdf
GL41BHE3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
GL41BHE3/96 bym10-xxx.pdf
GL41BHE3/96
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 4270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.94 грн
12+26.96 грн
100+16.15 грн
500+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GL41B/54 bym10-xxx.pdf
GL41B/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 549 550 551 552 553 554 555 556 557 558 559 603 670 678  [ Наступна Сторінка >> ]