Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40147) > Сторінка 560 з 670

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 555 556 557 558 559 560 561 562 563 564 565 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMCJ100CAHE3_A/I SMCJ100CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-HE3-08 BZX84B6V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-HE3-08 BZX84B6V2-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FD-M3/H AS1FD-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FMHM3/H AS1FMHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 1000V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FK-M3/H AS1FK-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
6000+5.50 грн
9000+5.49 грн
15000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FDHM3/H AS1FDHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.18 грн
9000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FGHM3/H AS1FGHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FJHM3/H AS1FJHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FKHM3/H AS1FKHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.55 грн
6000+6.97 грн
9000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FG-M3/H AS1FG-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.80 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FJ-M3/H AS1FJ-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
6000+6.43 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15TQ060STRL-M3 VS-15TQ060STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15tq060s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.21 грн
10+71.94 грн
100+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15TQ060STRL-M3 VS-15TQ060STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15tq060s-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+43.90 грн
1600+34.28 грн
2400+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100CAHM3_A/H SMCJ100CAHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100CAHM3_A/I SMCJ100CAHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VT6045CBP-M3/4W VT6045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vt6045cb.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.69 грн
10+165.74 грн
100+132.96 грн
500+102.35 грн
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VFT3045CBP-M3/4W VFT3045CBP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vft345cb.pdf Description: DIODE ARR SCHOT 45V 15A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.14 грн
50+106.55 грн
100+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+13.00 грн
6400+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I ES2BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division es2.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.05 грн
11+29.74 грн
100+23.47 грн
500+16.82 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHE3_A/I TPSMB8.2AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHE3_A/H TPSMB8.2AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2HE3/52T TPSMB8.2HE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2A1BHE3_A/I TPSMB8.2A1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2A1BHE3/5BT TPSMB8.2A1BHE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2HE3/5BT TPSMB8.2HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5223B-T 1N5223B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 1300 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5245B-T 1N5245B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2LHM3 VS-E5TX3012S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2lhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.60 грн
10+175.60 грн
100+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2LHM3 VS-E5TX3006S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2lhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2LHM3 VS-E5TX3006S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2lhm3.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.58 грн
10+160.08 грн
100+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-M3-18 BZG05C3V9-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-M3-18 BZG05C3V9-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.98 грн
500+9.43 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-08 BZG05C39-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+8.91 грн
3000+7.83 грн
4500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-08 BZG05C39-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.98 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-18 BZG05C39-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-HM3-18 BZG05C3V9-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-HM3-18 BZG05C39-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzg05c-m-series.pdf Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103C-TR MCL103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division mcl103a.pdf Description: DIODE SCHOTT 20V 200MA MICROMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.27 грн
5000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103C-TR MCL103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division mcl103a.pdf Description: DIODE SCHOTT 20V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
12+27.22 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flbdgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.89 грн
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 S1FLM-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division s1flbdgjkm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
19+16.21 грн
100+8.17 грн
500+6.25 грн
1000+4.64 грн
2000+3.90 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LS4448GS18 LS4448GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ls4148.pdf Description: DIODE GP 75V 150MA SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LS4448GS18 LS4448GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ls4148.pdf Description: DIODE GP 75V 150MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.15 грн
65+4.74 грн
100+3.22 грн
500+2.29 грн
1000+2.04 грн
2000+1.82 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-150HE3_A/I BYVB32-150HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-50HE3_A/P BYVB32-50HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-50HE3_A/I BYVB32-50HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100HE3_A/P BYVB32-100HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100HE3_A/I BYVB32-100HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-150HE3_A/P BYVB32-150HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv32.pdf Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-1M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4x-M3_ProdBundle_Aug5,2015.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-1E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4x_ProdBundle_Aug5,2015.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24C-TR TZX24C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.25 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24C-TR TZX24C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
23+13.68 грн
100+7.26 грн
500+4.48 грн
1000+3.05 грн
2000+2.75 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24B-TR TZX24B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.25 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24B-TR TZX24B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division tzxserie.pdf Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.47 грн
23+13.68 грн
100+7.26 грн
500+4.48 грн
1000+3.05 грн
2000+2.75 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SMCG188CA-E3/57T SMCG188CA-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcg.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCG)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCG188CA-E3/59T SMCG188CA-E3/59T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcg.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCG)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100CAHE3_A/I smcj.pdf
SMCJ100CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-HE3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B6V2-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-HE3-08 bzx84_series.pdf
BZX84B6V2-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FD-M3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FD-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.80 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FMHM3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FMHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 1000V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.14 грн
6000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FK-M3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FK-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.92 грн
6000+5.50 грн
9000+5.49 грн
15000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FDHM3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FDHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 200V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.06 грн
6000+6.18 грн
9000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FGHM3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FGHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FJHM3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FJHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FKHM3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FKHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 800V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
6000+6.97 грн
9000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FG-M3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FG-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 400V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.80 грн
6000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AS1FJ-M3/H as1fd_fg_fj_fk_fm.pdf
AS1FJ-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVAL 600V 1.5A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.3 µs
Technology: Avalanche
Capacitance @ Vr, F: 8.8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
6000+6.43 грн
9000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15TQ060STRL-M3 vs-15tq060s-m3.pdf
VS-15TQ060STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+71.94 грн
100+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
VS-15TQ060STRL-M3 vs-15tq060s-m3.pdf
VS-15TQ060STRL-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 720pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 800 µA @ 60 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+43.90 грн
1600+34.28 грн
2400+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100CAHM3_A/H smcj.pdf
SMCJ100CAHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ100CAHM3_A/I smcj.pdf
SMCJ100CAHM3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VT6045CBP-M3/4W vt6045cb.pdf
VT6045CBP-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOTT 45V 30A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 640 mV @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 45 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.69 грн
10+165.74 грн
100+132.96 грн
500+102.35 грн
1000+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VFT3045CBP-M3/4W vft345cb.pdf
VFT3045CBP-M3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARR SCHOT 45V 15A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: 200°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 570 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 45 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.14 грн
50+106.55 грн
100+87.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I es2.pdf
ES2BHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+13.00 грн
6400+12.10 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
ES2BHE3_A/I es2.pdf
ES2BHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 2A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.05 грн
11+29.74 грн
100+23.47 грн
500+16.82 грн
1000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB8.2AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB8.2AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2HE3/52T tpsmb.pdf
TPSMB8.2HE3/52T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHM3_A/I tpsmb.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2A1BHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB8.2A1BHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2AHM3_A/H tpsmb.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2A1BHE3/5BT tpsmb.pdf
TPSMB8.2A1BHE3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB8.2HE3/5BT tpsmb.pdf
TPSMB8.2HE3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC DO214AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5223B-T 1n5221.pdf
1N5223B-T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 1300 Ohms
Supplier Device Package: DO-35 (DO-204AH)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5245B-T 1n5221.pdf
1N5245B-T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Part Status: Obsolete
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 11 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3012S2LHM3 vs-e5tx3012s2lhm3.pdf
VS-E5TX3012S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 80 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.60 грн
10+175.60 грн
100+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2LHM3 vs-e5tx3006s2lhm3.pdf
VS-E5TX3006S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-E5TX3006S2LHM3 vs-e5tx3006s2lhm3.pdf
VS-E5TX3006S2LHM3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.58 грн
10+160.08 грн
100+121.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-M3-18 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C3V9-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-M3-18 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C3V9-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.98 грн
500+9.43 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-08 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C39-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+8.91 грн
3000+7.83 грн
4500+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-08 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C39-M3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
Tolerance: ±5.13%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Part Status: Active
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 30 V
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+19.11 грн
100+12.98 грн
500+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-M3-18 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C39-M3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C3V9-HM3-18 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C3V9-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Grade: Automotive
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZG05C39-HM3-18 bzg05c-m-series.pdf
BZG05C39-HM3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 39V 1.25W DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103C-TR mcl103a.pdf
MCL103C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 20V 200MA MICROMELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+7.27 грн
5000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MCL103C-TR mcl103a.pdf
MCL103C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 20V 200MA MICROMELF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: MicroMELF
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10 V
на замовлення 12765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
12+27.22 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
S1FLM-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.89 грн
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
S1FLM-GS18 s1flbdgjkm.pdf
S1FLM-GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 700MA DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.8 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 700mA
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 46899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
19+16.21 грн
100+8.17 грн
500+6.25 грн
1000+4.64 грн
2000+3.90 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
LS4448GS18 ls4148.pdf
LS4448GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 75V 150MA SOD80
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LS4448GS18 ls4148.pdf
LS4448GS18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 75V 150MA SOD80
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-80 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 8 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: SOD-80 QuadroMELF
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.15 грн
65+4.74 грн
100+3.22 грн
500+2.29 грн
1000+2.04 грн
2000+1.82 грн
5000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-150HE3_A/I byv32.pdf
BYVB32-150HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-50HE3_A/P byv32.pdf
BYVB32-50HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-50HE3_A/I byv32.pdf
BYVB32-50HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 50V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100HE3_A/P byv32.pdf
BYVB32-100HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-100HE3_A/I byv32.pdf
BYVB32-100HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 100V 18A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 18A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.15 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYVB32-150HE3_A/P byv32.pdf
BYVB32-150HE3_A/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 150V 18A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-1M3/51 GBU4x-M3_ProdBundle_Aug5,2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A-1E3/51 GBU4x_ProdBundle_Aug5,2015.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 3A GBU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 3 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24C-TR tzxserie.pdf
TZX24C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.25 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24C-TR tzxserie.pdf
TZX24C-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
23+13.68 грн
100+7.26 грн
500+4.48 грн
1000+3.05 грн
2000+2.75 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24B-TR tzxserie.pdf
TZX24B-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.25 грн
30000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
TZX24B-TR tzxserie.pdf
TZX24B-TR
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+17.47 грн
23+13.68 грн
100+7.26 грн
500+4.48 грн
1000+3.05 грн
2000+2.75 грн
5000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SMCG188CA-E3/57T smcg.pdf
SMCG188CA-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCG)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCG188CA-E3/59T smcg.pdf
SMCG188CA-E3/59T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-215AB, SMC Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCG)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 555 556 557 558 559 560 561 562 563 564 565 603 670  [ Наступна Сторінка >> ]