Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40620) > Сторінка 565 з 677

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 560 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SMF5V0A-E3-18 SMF5V0A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 SMF5V0A-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smf5v0atosmf58a.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 48865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.59 грн
14+23.21 грн
100+11.70 грн
500+9.73 грн
1000+7.57 грн
2000+6.78 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 SB230-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division sb220.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.35 грн
12+27.41 грн
100+19.38 грн
500+13.77 грн
1000+11.37 грн
2000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT VS-4EGH06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4egh06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.03 грн
10+40.27 грн
100+30.90 грн
500+22.92 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I SE40NJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.31 грн
11+30.24 грн
100+18.12 грн
500+15.75 грн
1000+10.71 грн
2000+9.86 грн
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I SE40NJHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division se40nd_se40ng_se40nj.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.63 грн
11+31.94 грн
100+23.86 грн
500+17.59 грн
1000+13.60 грн
2000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5500+11.85 грн
11000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 RGP10JE-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division rgp10a.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.67 грн
12+28.06 грн
100+20.86 грн
500+15.66 грн
1000+12.92 грн
2000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I SMAJ100AHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaj50a.pdf Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA VS-1N1186RA Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1001.02 грн
10+671.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 VS-40HFR10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.00 грн
10+368.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 VS-85HFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.91 грн
10+638.45 грн
100+567.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 VS-1N3768 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-1n1183series.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1298.30 грн
10+999.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 VS-85HF10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-85hfrseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+900.24 грн
10+783.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M VS-40HFR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-40hfrseries.pdf Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1355.40 грн
10+966.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I VS-12CDU06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-12cdu06hm3.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.77 грн
10+76.50 грн
100+64.94 грн
500+48.58 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I SM6S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm6s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I SM5S10AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division sm5s.pdf Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H SMBJ160CAHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I SMBJ160CAHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I SMBJ160CA58HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H SMBJ160CAHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I SMBJ160CAHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B SMBJ160CA58HE3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I NSB8MTHE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division ns8xt.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.45 грн
10+106.18 грн
100+82.81 грн
500+64.19 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3500+10.08 грн
7000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A SMA6F6.0A-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division sma6f5.pdf Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.07 грн
14+23.86 грн
100+16.21 грн
500+11.86 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.31 грн
6000+3.72 грн
9000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 DZ23C3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division dz23-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.03 грн
19+17.22 грн
100+7.35 грн
500+5.60 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I VS-16EDH02-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-16edh02-m3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+77.88 грн
100+57.57 грн
500+42.81 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 VS-25FR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.67 грн
10+339.24 грн
100+255.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 VS-25FR20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.77 грн
10+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M VS-25FR80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE GP REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.67 грн
10+543.11 грн
100+419.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M VS-25F80M Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25frseries.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+836.42 грн
10+690.53 грн
100+575.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.06 грн
10+343.93 грн
100+281.80 грн
500+225.13 грн
1000+197.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 VS-3C04ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.71 грн
50+139.19 грн
100+114.52 грн
500+90.94 грн
1000+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 VS-3C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c08et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.71 грн
50+153.31 грн
100+131.40 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 VS-3C16ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.08 грн
10+519.49 грн
100+430.11 грн
500+351.49 грн
1000+330.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+327.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+508.91 грн
10+439.92 грн
100+360.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 VS-3C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.50 грн
50+165.70 грн
100+142.02 грн
500+118.47 грн
1000+101.44 грн
2000+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+264.05 грн
1600+223.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.57 грн
10+364.55 грн
100+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.55 грн
10+418.89 грн
100+343.20 грн
500+274.18 грн
1000+240.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 VS-3C20ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.79 грн
10+694.25 грн
100+574.77 грн
500+471.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+796.95 грн
10+693.60 грн
100+574.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c06et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.21 грн
10+230.15 грн
100+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+138.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c04et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.58 грн
10+196.67 грн
100+158.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+416.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 VS-3C16ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c16et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.92 грн
10+538.17 грн
100+445.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF5V0A-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF5V0A-E3-18 smf5v0atosmf58a.pdf
SMF5V0A-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1120pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 21.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 200W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 48865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
14+23.21 грн
100+11.70 грн
500+9.73 грн
1000+7.57 грн
2000+6.78 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SB230-E3/54 sb220.pdf
SB230-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO204AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-204AC (DO-15)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.35 грн
12+27.41 грн
100+19.38 грн
500+13.77 грн
1000+11.37 грн
2000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4EGH06-M3/5BT vs-4egh06-m3.pdf
VS-4EGH06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.03 грн
10+40.27 грн
100+30.90 грн
500+22.92 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJ-M3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJ-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.31 грн
11+30.24 грн
100+18.12 грн
500+15.75 грн
1000+10.71 грн
2000+9.86 грн
5000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
SE40NJHM3/I se40nd_se40ng_se40nj.pdf
SE40NJHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DFN3820A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-VDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.2 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 24pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN3820A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 14300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.63 грн
11+31.94 грн
100+23.86 грн
500+17.59 грн
1000+13.60 грн
2000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5500+11.85 грн
11000+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 5500
В кошику  од. на суму  грн.
RGP10JE-E3/54 rgp10a.pdf
RGP10JE-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.67 грн
12+28.06 грн
100+20.86 грн
500+15.66 грн
1000+12.92 грн
2000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ100AHM3/I smaj50a.pdf
SMAJ100AHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 100VWM 162VC DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 100V
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 111V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 162V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N1186RA vs-1n1183series.pdf
VS-1N1186RA
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 200V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 126 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.5 mA @ 200 V
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.02 грн
10+671.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR10 vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.00 грн
10+368.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HFR80 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HFR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD REV 800V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 800 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+943.91 грн
10+638.45 грн
100+567.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3768 vs-1n1183series.pdf
VS-1N3768
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1000V 35A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 110 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 1000 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1298.30 грн
10+999.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-85HF10 vs-85hfrseries.pdf
VS-85HF10
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 85A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 85A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 180°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 267 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 mA @ 100 V
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.24 грн
10+783.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-40HFR80M vs-40hfrseries.pdf
VS-40HFR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 800V 40A DO203AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: DO-203AB (DO-5)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 190°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1355.40 грн
10+966.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-12CDU06HM3/I vs-12cdu06hm3.pdf
VS-12CDU06HM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 600V 6A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 6A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.77 грн
10+76.50 грн
100+64.94 грн
500+48.58 грн
1000+46.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SM6S10AHE3_A/I sm6s.pdf
SM6S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 271A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 4600W (4.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SM5S10AHE3_A/I sm5s.pdf
SM5S10AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 10VWM 17VC DO218AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-218AB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 212A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 10V
Supplier Device Package: DO-218AB
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 3600W (3.6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/H smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/I smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHM3/H smbj.pdf
SMBJ160CAHM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CAHE3_A/I smbj.pdf
SMBJ160CAHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ160CA58HE3/5B smbj.pdf
SMBJ160CA58HE3/5B
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 160VWM 259VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: Automotive, Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 160V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 178V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 259V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/I ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSB8MTHE3_B/P ns8xt.pdf
NSB8MTHE3_B/P
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.45 грн
10+106.18 грн
100+82.81 грн
500+64.19 грн
1000+52.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3500+10.08 грн
7000+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 3500
В кошику  од. на суму  грн.
SMA6F6.0A-M3/6A sma6f5.pdf
SMA6F6.0A-M3/6A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 6VWM 13.7VC DO221AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 290A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6V
Supplier Device Package: DO-221AC (SlimSMA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13.7V
Power - Peak Pulse: 4000W (4kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 8464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.07 грн
14+23.86 грн
100+16.21 грн
500+11.86 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.31 грн
6000+3.72 грн
9000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DZ23C3V3-G3-08 dz23-g_series.pdf
DZ23C3V3-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 3.3V 300MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Cathode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.03 грн
19+17.22 грн
100+7.35 грн
500+5.60 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-16EDH02-M3/I vs-16edh02-m3.pdf
VS-16EDH02-M3/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 16A TO263AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AC (SMPD)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 200 V
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.57 грн
10+77.88 грн
100+57.57 грн
500+42.81 грн
1000+39.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80 vs-25frseries.pdf
VS-25FR80
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 800 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.67 грн
10+339.24 грн
100+255.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR20 vs-25frseries.pdf
VS-25FR20
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 mA @ 200 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.77 грн
10+272.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25FR80M vs-25frseries.pdf
VS-25FR80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP REV 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.67 грн
10+543.11 грн
100+419.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-25F80M vs-25frseries.pdf
VS-25F80M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 800V 25A DO203AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 78 A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+836.42 грн
10+690.53 грн
100+575.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 3047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.06 грн
10+343.93 грн
100+281.80 грн
500+225.13 грн
1000+197.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07T-M3 vs-3c04et07t-m3.pdf
VS-3C04ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.71 грн
50+139.19 грн
100+114.52 грн
500+90.94 грн
1000+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 vs-3c08et07t-m3.pdf
VS-3C08ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.71 грн
50+153.31 грн
100+131.40 грн
500+120.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 vs-3c16et07t-m3.pdf
VS-3C16ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.08 грн
10+519.49 грн
100+430.11 грн
500+351.49 грн
1000+330.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+327.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+508.91 грн
10+439.92 грн
100+360.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 vs-3c06et07t-m3.pdf
VS-3C06ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.50 грн
50+165.70 грн
100+142.02 грн
500+118.47 грн
1000+101.44 грн
2000+95.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+264.05 грн
1600+223.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.57 грн
10+364.55 грн
100+298.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 vs-3c12et07t-m3.pdf
VS-3C12ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.55 грн
10+418.89 грн
100+343.20 грн
500+274.18 грн
1000+240.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 vs-3c20et07t-m3.pdf
VS-3C20ET07T-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.79 грн
10+694.25 грн
100+574.77 грн
500+471.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 vs-3c20et07s2l-m3.pdf
VS-3C20ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+796.95 грн
10+693.60 грн
100+574.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+171.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 255pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 650 V
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.21 грн
10+230.15 грн
100+188.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+138.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 175pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.58 грн
10+196.67 грн
100+158.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+416.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07S2L-M3 vs-3c16et07s2l-m3.pdf
VS-3C16ET07S2L-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 85 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+618.92 грн
10+538.17 грн
100+445.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 67 134 201 268 335 402 469 536 560 561 562 563 564 565 566 567 568 569 570 603 670 677  [ Наступна Сторінка >> ]