Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (40031) > Сторінка 621 з 668

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 594 616 617 618 619 620 621 622 623 624 625 626 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MMSZ5243B-E3-08 MMSZ5243B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
6000+2.99 грн
9000+2.81 грн
15000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-E3-08 MMSZ5243B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.94 грн
58+5.35 грн
100+3.06 грн
500+2.67 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3-08 MMSZ5243C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3-08 MMSZ5243C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.82 грн
19+16.13 грн
100+7.87 грн
500+6.16 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-HE3_A-08 MMSZ5243B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-HE3_A-18 MMSZ5243B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3_A-08 MMSZ5243C-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3_A-18 MMSZ5243C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division mmsz5225_to_mmsz5267.pdf Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP120AHE3_A/C 5KP120AHE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP12AHE3_A/C 5KP12AHE3_A/C Vishay General Semiconductor - Diodes Division 5kp8_5a.pdf Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 251A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PD-M3/86A S4PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+12.80 грн
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
S4PD-M3/86A S4PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
11+27.98 грн
100+19.42 грн
500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_A/H S4PJHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_A/H S4PJHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.11 грн
10+31.57 грн
100+21.96 грн
500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S4PB-M3/86A S4PB-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PB-M3/86A S4PB-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
11+27.98 грн
100+19.42 грн
500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S4PBHM3_B/I S4PBHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PGHM3_B/I S4PGHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PGHM3_B/H S4PGHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PKHM3_B/H S4PKHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PDHM3_B/I S4PDHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_B/H S4PJHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_B/I S4PJHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PMHM3_B/I S4PMHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PKHM3_B/I S4PKHM3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PDHM3_B/H S4PDHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PMHM3_B/H S4PMHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PBHM3_B/H S4PBHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division s4pm.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5241B-T 1N5241B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1n5221.pdf Description: DIODE ZENER 11V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB39AHE3_A/I TPSMB39AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3200+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB39AHE3_A/I TPSMB39AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
10+31.96 грн
100+22.18 грн
500+16.25 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB24AHE3_A/I TPSMB24AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB24AHE3_A/I TPSMB24AHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.72 грн
10+37.46 грн
100+24.22 грн
500+17.38 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB27AHE3_A/H TPSMB27AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+18.25 грн
1500+14.29 грн
2250+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB27AHE3_A/H TPSMB27AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
10+32.41 грн
100+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB18AHE3_A/H TPSMB18AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+14.10 грн
1500+12.88 грн
2250+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB18AHE3_A/H TPSMB18AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
11+29.89 грн
100+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB6.8A1BHE3_A/I TPSMB6.8A1BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB6.8A82HE3_A/I TPSMB6.8A82HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division tpsmb.pdf Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BT VS-3EGU06WHM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3egu06whm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BT VS-3EGU06WHM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3egu06whm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.14 грн
11+28.21 грн
100+19.62 грн
500+14.38 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BT VS-3EGU06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3egu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BT VS-3EGU06-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3egu06-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
12+25.76 грн
100+17.93 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMP17A-M3/84A SMP17A-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smp3v3.pdf Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMP17A-M3/84A SMP17A-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division smp3v3.pdf Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+20.18 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4-M3/H SS2FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fl4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.76 грн
6000+6.86 грн
9000+6.55 грн
15000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4-M3/H SS2FL4-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fl4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 20636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
17+18.35 грн
100+12.36 грн
500+9.00 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4HM3/H SS2FL4HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fl4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
6000+7.46 грн
9000+7.13 грн
15000+6.33 грн
21000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4HM3/H SS2FL4HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ss2fl4.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
16+19.72 грн
100+13.36 грн
500+9.75 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22-M3/H V2P22-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+5.45 грн
9000+4.81 грн
13500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22-M3/H V2P22-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.44 грн
23+13.84 грн
100+9.32 грн
500+6.73 грн
1000+6.06 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22HM3/H V2P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22HM3/H V2P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v2p22.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.37 грн
16+20.18 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
2000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-E3-18 BZX84B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-E3-18 BZX84B6V2-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+4.66 грн
500+3.52 грн
1000+2.68 грн
2000+2.58 грн
5000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-G3-08 BZX84B6V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.44 грн
6000+2.97 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-G3-08 BZX84B6V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84-g_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.85 грн
24+13.15 грн
100+5.63 грн
500+4.29 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V8-HE3_A-18 BZX84B6V8-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V8-HE3_A-08 BZX84B6V8-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division bzx84_series.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.49 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V20120S-E3/4W V20120S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division v20120s.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.33 грн
10+56.19 грн
100+42.99 грн
500+32.72 грн
1000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.47 грн
6000+2.99 грн
9000+2.81 грн
15000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-E3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243B-E3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
на замовлення 17360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
58+5.35 грн
100+3.06 грн
500+2.67 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-HE3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.82 грн
19+16.13 грн
100+7.87 грн
500+6.16 грн
1000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-HE3_A-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243B-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243B-HE3_A-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243B-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3_A-08 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5243C-HE3_A-18 mmsz5225_to_mmsz5267.pdf
MMSZ5243C-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 13V 500MW SOD123
Tolerance: ±2%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 13 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 9.9 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP120AHE3_A/C 5kp8_5a.pdf
5KP120AHE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 25.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 120V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 133V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 193V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
5KP12AHE3_A/C 5kp8_5a.pdf
5KP12AHE3_A/C
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: P600, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: Telecom
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 251A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: P600
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PD-M3/86A s4pm.pdf
S4PD-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+12.80 грн
3000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
S4PD-M3/86A s4pm.pdf
S4PD-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+27.98 грн
100+19.42 грн
500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_A/H s4pm.pdf
S4PJHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_A/H s4pm.pdf
S4PJHM3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
10+31.57 грн
100+21.96 грн
500+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
S4PB-M3/86A s4pm.pdf
S4PB-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PB-M3/86A s4pm.pdf
S4PB-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+27.98 грн
100+19.42 грн
500+14.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
S4PBHM3_B/I s4pm.pdf
S4PBHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PGHM3_B/I s4pm.pdf
S4PGHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PGHM3_B/H s4pm.pdf
S4PGHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PKHM3_B/H s4pm.pdf
S4PKHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PDHM3_B/I s4pm.pdf
S4PDHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_B/H s4pm.pdf
S4PJHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PJHM3_B/I s4pm.pdf
S4PJHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PMHM3_B/I s4pm.pdf
S4PMHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PKHM3_B/I s4pm.pdf
S4PKHM3_B/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PDHM3_B/H s4pm.pdf
S4PDHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PMHM3_B/H s4pm.pdf
S4PMHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S4PBHM3_B/H s4pm.pdf
S4PBHM3_B/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5241B-T 1n5221.pdf
1N5241B-T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 11V 500MW DO204AH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 11 V
Impedance (Max) (Zzt): 600 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Grade: Automotive
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 8.4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB39AHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB39AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3200+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 3200
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB39AHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB39AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 37.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
10+31.96 грн
100+22.18 грн
500+16.25 грн
1000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB24AHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB24AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2V DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB24AHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB24AHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 20.5VWM 33.2V DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20.5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 33.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.72 грн
10+37.46 грн
100+24.22 грн
500+17.38 грн
1000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB27AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB27AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+18.25 грн
1500+14.29 грн
2250+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB27AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB27AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
10+32.41 грн
100+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB18AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB18AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
750+14.10 грн
1500+12.88 грн
2250+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 750
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB18AHE3_A/H tpsmb.pdf
TPSMB18AHE3_A/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 23.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15.3V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 17.1V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
11+29.89 грн
100+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB6.8A1BHE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB6.8A1BHE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPSMB6.8A82HE3_A/I tpsmb.pdf
TPSMB6.8A82HE3_A/I
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 600W SMB DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 185°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 57.1A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.8V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.45V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BT vs-3egu06whm3.pdf
VS-3EGU06WHM3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06WHM3/5BT vs-3egu06whm3.pdf
VS-3EGU06WHM3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.14 грн
11+28.21 грн
100+19.62 грн
500+14.38 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BT vs-3egu06-m3.pdf
VS-3EGU06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3EGU06-M3/5BT vs-3egu06-m3.pdf
VS-3EGU06-M3/5BT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
12+25.76 грн
100+17.93 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMP17A-M3/84A smp3v3.pdf
SMP17A-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO220AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMP17A-M3/84A smp3v3.pdf
SMP17A-M3/84A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 17VWM 27.6VC DO220AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-220AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 14.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 17V
Supplier Device Package: DO-220AA (SMP)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 18.9V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 27.6V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+20.18 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4-M3/H ss2fl4.pdf
SS2FL4-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.76 грн
6000+6.86 грн
9000+6.55 грн
15000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4-M3/H ss2fl4.pdf
SS2FL4-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
на замовлення 20636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
17+18.35 грн
100+12.36 грн
500+9.00 грн
1000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4HM3/H ss2fl4.pdf
SS2FL4HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.43 грн
6000+7.46 грн
9000+7.13 грн
15000+6.33 грн
21000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SS2FL4HM3/H ss2fl4.pdf
SS2FL4HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO219AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 125pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 220 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
16+19.72 грн
100+13.36 грн
500+9.75 грн
1000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22-M3/H v2p22.pdf
V2P22-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+5.45 грн
9000+4.81 грн
13500+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22-M3/H v2p22.pdf
V2P22-M3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AD
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AD (MicroSMP)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.44 грн
23+13.84 грн
100+9.32 грн
500+6.73 грн
1000+6.06 грн
2000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22HM3/H v2p22.pdf
V2P22HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4500+6.54 грн
Мінімальне замовлення: 4500
В кошику  од. на суму  грн.
V2P22HM3/H v2p22.pdf
V2P22HM3/H
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 160V 2A MICROSMP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: MicroSMP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: MicroSMP (DO-219AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 160 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 35 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.37 грн
16+20.18 грн
100+10.21 грн
500+8.49 грн
1000+6.61 грн
2000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-E3-18 bzx84_series.pdf
BZX84B6V2-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-E3-18 bzx84_series.pdf
BZX84B6V2-E3-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
28+11.01 грн
100+4.66 грн
500+3.52 грн
1000+2.68 грн
2000+2.58 грн
5000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-G3-08 bzx84-g_series.pdf
BZX84B6V2-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.44 грн
6000+2.97 грн
9000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V2-G3-08 bzx84-g_series.pdf
BZX84B6V2-G3-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.2V 300MW SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
на замовлення 14930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
24+13.15 грн
100+5.63 грн
500+4.29 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V8-HE3_A-18 bzx84_series.pdf
BZX84B6V8-HE3_A-18
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B6V8-HE3_A-08 bzx84_series.pdf
BZX84B6V8-HE3_A-08
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 6.8V 300MW SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.49 грн
6000+3.89 грн
9000+3.67 грн
15000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
V20120S-E3/4W v20120s.pdf
V20120S-E3/4W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO2203
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.12 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 120 V
на замовлення 7331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+56.19 грн
100+42.99 грн
500+32.72 грн
1000+30.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 66 132 198 264 330 396 462 528 594 616 617 618 619 620 621 622 623 624 625 626 660 668  [ Наступна Сторінка >> ]