Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362649) > Сторінка 1201 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHF9530S-GE3 SIHF9530S-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.05 грн
6+53.31 грн
25+45.29 грн
100+40.76 грн
500+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 SIHFR1N60A-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+50.81 грн
7+44.68 грн
20+37.93 грн
75+33.97 грн
300+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 SIHFR220TRL-GE3 VISHAY sihfr220.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.10 грн
7+46.64 грн
25+40.48 грн
36+31.14 грн
98+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 SIHG15N60E-GE3 VISHAY sihg15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.06 грн
5+257.72 грн
10+221.75 грн
25+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 SIHG47N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+687.97 грн
10+631.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 SIHG73N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+970.48 грн
5+813.33 грн
10+696.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+492.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+430.87 грн
4+288.75 грн
11+273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.06 грн
5+100.93 грн
10+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.90 грн
5+133.27 грн
10+108.52 грн
50+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+383.11 грн
5+333.17 грн
25+283.09 грн
100+253.83 грн
500+240.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+280.47 грн
5+233.22 грн
10+203.82 грн
25+192.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.34 грн
3+241.06 грн
10+195.33 грн
25+184.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 SIP32431DNP3-T1GE4 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
12+25.97 грн
25+22.55 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 SIP32431DR3-T1GE3 VISHAY sip32431.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
11+27.63 грн
25+23.87 грн
100+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 VISHAY sip32508.pdf SIP32509DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.28 грн
68+16.42 грн
187+15.57 грн
500+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 VISHAY sip32510.pdf SIP32510DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.08 грн
82+13.78 грн
223+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 VISHAY sir186ldp.pdf SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.02 грн
30+37.46 грн
82+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 VISHAY sir422dp.pdf SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
19+61.34 грн
25+58.79 грн
51+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.20 грн
16+70.77 грн
44+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.61 грн
14+83.04 грн
37+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY sira06dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
10+59.58 грн
100+46.33 грн
500+38.78 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 VISHAY sira10dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.18 грн
10+55.56 грн
25+44.82 грн
69+42.37 грн
250+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 VISHAY sira14dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
10+48.02 грн
49+22.74 грн
135+21.51 грн
2500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 VISHAY sira18adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.70 грн
9+34.30 грн
10+29.44 грн
64+17.55 грн
175+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 VISHAY sira28bdp.pdf SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.82 грн
52+21.42 грн
143+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 SIRA52ADP-T1-RE3 VISHAY sira52adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
5+101.91 грн
10+90.59 грн
15+75.49 грн
41+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY sira90dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.40 грн
10+107.79 грн
18+62.28 грн
49+59.45 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY sira99dp.pdf SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.57 грн
9+131.16 грн
24+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 VISHAY sirc16dp.pdf SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.11 грн
16+69.83 грн
44+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 VISHAY sis406dn.pdf SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.79 грн
25+44.63 грн
69+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY sis412dn_new.pdf SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.96 грн
36+31.14 грн
99+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 VISHAY sis413dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
10+48.21 грн
50+22.46 грн
136+21.23 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 VISHAY sis443dn.pdf SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.30 грн
18+62.28 грн
50+59.45 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY sis892adn.pdf SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.33 грн
25+45.39 грн
68+42.93 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.39 грн
35+32.08 грн
96+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.49 грн
5+80.35 грн
25+69.83 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 VISHAY siss23dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 36W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
10+58.60 грн
38+29.82 грн
103+28.21 грн
1000+27.46 грн
1500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 SISS61DN-T1-GE3 VISHAY siss61dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.56 грн
10+63.69 грн
100+42.75 грн
250+37.46 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY siss80dn.pdf SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.01 грн
15+75.49 грн
41+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 VISHAY siud401ed.pdf SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.48 грн
127+8.78 грн
348+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 VISHAY sl02.pdf SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
19+16.56 грн
169+6.61 грн
463+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 SL03-GS08 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.45 грн
15+20.28 грн
100+13.49 грн
500+10.47 грн
1000+9.34 грн
3000+7.93 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 VISHAY sl04.pdf SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.84 грн
162+6.89 грн
444+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T VISHAY sl12.pdf SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.17 грн
17+17.54 грн
70+15.95 грн
193+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T SL23-E3/52T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.52 грн
14+21.46 грн
100+17.46 грн
250+16.32 грн
500+15.29 грн
750+14.72 грн
1500+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T VISHAY sl42.pdf SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.54 грн
10+80.35 грн
15+78.32 грн
40+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
7+42.72 грн
25+36.61 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T SL44-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
7+42.72 грн
25+36.61 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T SM15T33A-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; unidirectional; SMC; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM15T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.59 грн
68+16.51 грн
185+15.57 грн
850+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T SM15T33CA-E3/57T VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; bidirectional; SMC; 7 inch reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM15T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
10+29.89 грн
67+16.70 грн
182+15.85 грн
5950+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 SM6T100A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.60 грн
100+8.59 грн
750+7.08 грн
5250+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 SM6T12A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+15.24 грн
25+12.15 грн
100+7.62 грн
750+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 SM6T15A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.44 грн
14+22.15 грн
15+19.16 грн
100+11.61 грн
500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 SM6T15CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.36 грн
15+19.79 грн
17+17.36 грн
100+10.82 грн
500+7.22 грн
750+6.58 грн
1500+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 SM6T33A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.42 грн
16+19.11 грн
25+15.85 грн
50+13.87 грн
100+12.17 грн
250+10.00 грн
500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 SM6T36A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+12.19 грн
26+11.37 грн
28+10.38 грн
100+8.78 грн
250+8.02 грн
500+7.45 грн
750+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 SM6T36CA-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.50 грн
17+17.44 грн
19+15.66 грн
100+12.27 грн
500+10.29 грн
750+9.81 грн
1500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 SM6T39A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.58 грн
11+28.22 грн
12+23.78 грн
100+13.71 грн
500+8.58 грн
750+7.54 грн
1500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 SM6T6V8A-E3/52 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088 Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
28+11.18 грн
30+10.00 грн
31+9.34 грн
50+8.40 грн
100+7.93 грн
250+7.45 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3
SIHF9530S-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -8.2A
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 88W
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
6+53.31 грн
25+45.29 грн
100+40.76 грн
500+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR1N60A-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC458A75FA6A143&compId=IRFR1N60A.pdf?ci_sign=ebfb7bcce254ade9a17457e6b543988683075e31
SIHFR1N60A-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 5.6A
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+50.81 грн
7+44.68 грн
20+37.93 грн
75+33.97 грн
300+31.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFR220TRL-GE3 sihfr220.pdf
SIHFR220TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.10 грн
7+46.64 грн
25+40.48 грн
36+31.14 грн
98+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG15N60E-GE3 sihg15n60e.pdf
SIHG15N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.06 грн
5+257.72 грн
10+221.75 грн
25+194.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD9064578CFE4143&compId=SIHG47N60E.pdf?ci_sign=dc5f5c5da56beb3aa5eee02d998e7ce3c39409be
SIHG47N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.97 грн
10+631.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG73N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD906BD8333C0143&compId=SIHG73N60E.pdf?ci_sign=e22d1d02f504fd0f6006dd6fda5d233ca807c85b
SIHG73N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 46A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 46A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 362nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+970.48 грн
5+813.33 грн
10+696.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.87 грн
4+288.75 грн
11+273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.06 грн
5+100.93 грн
10+89.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.90 грн
5+133.27 грн
10+108.52 грн
50+85.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
SIHP22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.11 грн
5+333.17 грн
25+283.09 грн
100+253.83 грн
500+240.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.47 грн
5+233.22 грн
10+203.82 грн
25+192.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.34 грн
3+241.06 грн
10+195.33 грн
25+184.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DNP3-T1GE4 sip32431.pdf
SIP32431DNP3-T1GE4
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; TDFN4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: TDFN4
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.105Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
12+25.97 грн
25+22.55 грн
100+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32431DR3-T1GE3 sip32431.pdf
SIP32431DR3-T1GE3
Виробник: VISHAY
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: P-Channel
Mounting: SMD
Case: SC70
On-state resistance: 147mΩ
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.65 грн
11+27.63 грн
25+23.87 грн
100+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32509DT-T1-GE3 sip32508.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32509DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.28 грн
68+16.42 грн
187+15.57 грн
500+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32510DT-T1-GE3 sip32510.pdf
Виробник: VISHAY
SIP32510DT-T1-GE3 Power switches - integrated circuits
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.08 грн
82+13.78 грн
223+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR186LDP-T1-RE3 sir186ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR186LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.02 грн
30+37.46 грн
82+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR422DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
19+61.34 грн
25+58.79 грн
51+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR622DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 5662 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.20 грн
16+70.77 грн
44+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.61 грн
14+83.04 грн
37+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 80A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 40W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
10+59.58 грн
100+46.33 грн
500+38.78 грн
1000+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 140A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 26W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.18 грн
10+55.56 грн
25+44.82 грн
69+42.37 грн
250+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3 sira14dp.pdf
SIRA14DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+48.02 грн
49+22.74 грн
135+21.51 грн
2500+20.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3 sira18adp.pdf
SIRA18ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.70 грн
9+34.30 грн
10+29.44 грн
64+17.55 грн
175+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3 sira28bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA28BDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.82 грн
52+21.42 грн
143+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3 sira52adp.pdf
SIRA52ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 105A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
5+101.91 грн
10+90.59 грн
15+75.49 грн
41+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 sira90dp.pdf
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 153nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.40 грн
10+107.79 грн
18+62.28 грн
49+59.45 грн
1000+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 sira99dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRA99DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.57 грн
9+131.16 грн
24+123.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SiRC16DP-T1-GE3 sirc16dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIRC16DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.11 грн
16+69.83 грн
44+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS406DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.79 грн
25+44.63 грн
69+42.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
Виробник: VISHAY
SIS412DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.96 грн
36+31.14 грн
99+29.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIS413DN-T1-GE3 sis413dn.pdf
SIS413DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -18A; Idm: -70A
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -70A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18A
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 13.2mΩ
Power dissipation: 33W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+48.21 грн
50+22.46 грн
136+21.23 грн
1000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS443DN-T1-GE3 sis443dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS443DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.30 грн
18+62.28 грн
50+59.45 грн
1000+58.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.33 грн
25+45.39 грн
68+42.93 грн
1000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.39 грн
35+32.08 грн
96+30.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -300A
Drain current: -86.6A
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: -20...16V
Gate charge: 115nC
On-state resistance: 5.8mΩ
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.49 грн
5+80.35 грн
25+69.83 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3 siss23dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 300nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 36W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
10+58.60 грн
38+29.82 грн
103+28.21 грн
1000+27.46 грн
1500+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS61DN-T1-GE3 siss61dn.pdf
SISS61DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -89.6A; 42.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -200A
Drain current: -89.6A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 231nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 42.1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.56 грн
10+63.69 грн
100+42.75 грн
250+37.46 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS80DN-T1-GE3 siss80dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS80DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.01 грн
15+75.49 грн
41+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIUD401ED-T1-GE3 siud401ed.pdf
Виробник: VISHAY
SIUD401ED-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.48 грн
127+8.78 грн
348+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SL02-GS08 sl02.pdf
Виробник: VISHAY
SL02-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
19+16.56 грн
169+6.61 грн
463+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SL03-GS08 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB23880EF2D8143&compId=sl02_sl03.pdf?ci_sign=02f3fe37c37a0a075905c920a578739cd24b1bcd
SL03-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO219AB; SMD; 20V; 1.1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO219AB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1.1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22209 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.45 грн
15+20.28 грн
100+13.49 грн
500+10.47 грн
1000+9.34 грн
3000+7.93 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL04-E3-08 sl04.pdf
Виробник: VISHAY
SL04-E3-08 SMD Schottky diodes
на замовлення 907 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.84 грн
162+6.89 грн
444+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL12-E3/61T sl12.pdf
Виробник: VISHAY
SL12-E3/61T SMD Schottky diodes
на замовлення 2642 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.17 грн
17+17.54 грн
70+15.95 грн
193+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SL23-E3/52T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BBB2BC114CB5E143&compId=sl22.pdf?ci_sign=d845a15d49585f496119e949b942c35363b8de2e
SL23-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 30V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 7 inch reel
Max. forward voltage: 0.32V
Load current: 2A
Max. off-state voltage: 30V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.52 грн
14+21.46 грн
100+17.46 грн
250+16.32 грн
500+15.29 грн
750+14.72 грн
1500+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SL43-E3/57T sl42.pdf
Виробник: VISHAY
SL43-E3/57T SMD Schottky diodes
на замовлення 834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.54 грн
10+80.35 грн
15+78.32 грн
40+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
7+42.72 грн
25+36.61 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SL44-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869A6EEDFAA36469&compId=SL44-E3-57T.pdf?ci_sign=0beb91395508f61203cd0f4cb3508967d2840dbf
SL44-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 4A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.44V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
7+42.72 грн
25+36.61 грн
100+33.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33A-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee
SM15T33A-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; unidirectional; SMC; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM15T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.59 грн
68+16.51 грн
185+15.57 грн
850+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM15T33CA-E3/57T pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93DF67C7AB7A00C4&compId=sm15t.pdf?ci_sign=b73dc845fdabb56d2b4c8af331c6e9d0da5be9ee
SM15T33CA-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.4V; 33A; bidirectional; SMC; 7 inch reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 31.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM15T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
10+29.89 грн
67+16.70 грн
182+15.85 грн
5950+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T100A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T100A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 100V; 4.4A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 4.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+19.60 грн
100+8.59 грн
750+7.08 грн
5250+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T12A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T12A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 12V; 36A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 10.2V
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 36A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.24 грн
25+12.15 грн
100+7.62 грн
750+4.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.44 грн
14+22.15 грн
15+19.16 грн
100+11.61 грн
500+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T15CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T15CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 15V; 28A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12.8V
Breakdown voltage: 15V
Max. forward impulse current: 28A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.36 грн
15+19.79 грн
17+17.36 грн
100+10.82 грн
500+7.22 грн
750+6.58 грн
1500+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T33A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T33A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 33V; 13.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 28.2V
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 13.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Manufacturer series: SM6T
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
16+19.11 грн
25+15.85 грн
50+13.87 грн
100+12.17 грн
250+10.00 грн
500+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.19 грн
26+11.37 грн
28+10.38 грн
100+8.78 грн
250+8.02 грн
500+7.45 грн
750+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T36CA-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T36CA-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 36V; 12A; bidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®; SM6T
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30.8V
Breakdown voltage: 36V
Max. forward impulse current: 12A
Semiconductor structure: bidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.50 грн
17+17.44 грн
19+15.66 грн
100+12.27 грн
500+10.29 грн
750+9.81 грн
1500+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T39A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T39A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 39V; 11.1A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 33.3V
Breakdown voltage: 39V
Max. forward impulse current: 11.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.58 грн
11+28.22 грн
12+23.78 грн
100+13.71 грн
500+8.58 грн
750+7.54 грн
1500+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SM6T6V8A-E3/52 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBA290988BB91420C7&compId=sm6t.pdf?ci_sign=6a01ce312076e467c6748a036c14f9e36ba96088
SM6T6V8A-E3/52
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 6.8V; 57A; unidirectional; ±5%; SMB; TransZorb®
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 57A
Semiconductor structure: unidirectional
Tolerance: ±5%
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: 7 inch reel; tape
Technology: TransZorb®
Manufacturer series: SM6T
Features of semiconductor devices: glass passivated
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
28+11.18 грн
30+10.00 грн
31+9.34 грн
50+8.40 грн
100+7.93 грн
250+7.45 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1206 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]