Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356957) > Сторінка 1196 з 5950

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIR460DP-T1-GE3 VISHAY sir460dp.pdf SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 VISHAY sir462dp.pdf SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 VISHAY sir464dp.pdf SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 VISHAY sir466dp.pdf SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 VISHAY sir470dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 VISHAY sir474dp.pdf SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 VISHAY sir500dp.pdf SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 VISHAY sir5102dp.pdf SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISHAY sir510dp.pdf SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 VISHAY sir516dp.pdf SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 VISHAY sir5708dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 VISHAY sir570dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 VISHAY sir572dp.pdf SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 VISHAY sir574dp.pdf SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 VISHAY sir576dp.pdf SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 VISHAY sir578dp.pdf SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY sir5802dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISHAY sir580dp.pdf SIR580DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 VISHAY sir582dp.pdf SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 VISHAY sir584dp.pdf SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 VISHAY sir606bdp.pdf SIR606BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 VISHAY sir606dp.pdf SIR606DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 VISHAY sir608dp.pdf SIR608DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 VISHAY sir610dp.pdf SIR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 VISHAY sir616dp.pdf SIR616DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 VISHAY sir618dp.pdf SIR618DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 VISHAY sir622dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.88 грн
10+81.93 грн
16+68.80 грн
44+65.13 грн
3000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 VISHAY sir624dp.pdf SIR624DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 VISHAY sir624dp.pdf SIR624DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 VISHAY sir626adp.pdf SIR626ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 VISHAY sir626dp.pdf SIR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 VISHAY sir626ldp.pdf SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 VISHAY sir632dp.pdf SIR632DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 VISHAY sir638adp.pdf SIR638ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf SIR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-RE3 VISHAY sir638dp.pdf SIR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 VISHAY sir640adp.pdf SIR640ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 VISHAY sir662dp.pdf SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 VISHAY sir664dp.pdf SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 VISHAY sir668dp.pdf SIR668DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 VISHAY sir670dp.pdf SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 VISHAY sir680adp.pdf SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 VISHAY sir680dp.pdf SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY sir680ldp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 VISHAY sir681dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 VISHAY sir688dp.pdf SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 VISHAY sir690dp.pdf SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 VISHAY sir692dp.pdf SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 VISHAY sir696dp.pdf SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3 VISHAY sir698dp.pdf SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 VISHAY sir770dp.pdf SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3 VISHAY sir800adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 VISHAY sir800adp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 VISHAY sir800dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3 VISHAY doc?65738 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 VISHAY sir804dp.pdf SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 VISHAY sir818dp.pdf SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR460DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR466DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 155nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR474DP-T1-GE3 sir474dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR500DP-T1-RE3 sir500dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR500DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5102DP-T1-RE3 sir5102dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR5102DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 sir510dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR510DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3 sir516dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR516DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3 sir5708dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 sir570dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR572DP-T1-RE3 sir572dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR574DP-T1-RE3 sir574dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR576DP-T1-RE3 sir576dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR578DP-T1-RE3 sir578dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR578DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 sir5802dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 137.5A; Idm: 300A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 137.5A
On-state resistance: 4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 sir580dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR580DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR582DP-T1-RE3 sir582dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 sir584dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606BDP-T1-RE3 sir606bdp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR606BDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR606DP-T1-GE3 sir606dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR606DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR608DP-T1-RE3 sir608dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR608DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR610DP-T1-RE3 sir610dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR610DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR616DP-T1-GE3 sir616dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR616DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR618DP-T1-GE3 sir618dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR618DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR622DP-T1-GE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR622DP-T1-RE3 sir622dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 51.6A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 51.6A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.88 грн
10+81.93 грн
16+68.80 грн
44+65.13 грн
3000+62.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiR624DP-T1-GE3 sir624dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR624DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR624DP-T1-RE3 sir624dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR624DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626ADP-T1-RE3 sir626adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR626DP-T1-RE3 sir626dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR626LDP-T1-RE3 sir626ldp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR626LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR632DP-T1-RE3 sir632dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR632DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638ADP-T1-RE3 sir638adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR638ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR638DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-RE3 sir638dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR638DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR640ADP-T1-GE3 sir640adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR640ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR662DP-T1-GE3 sir662dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR662DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR664DP-T1-GE3 sir664dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR664DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR668ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3 sir668dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR668DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3 sir670dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR670DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3 sir680adp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR680ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3 sir680dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR680DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 sir680ldp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3 sir681dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -80V; -71.9A; 104W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -71.9A
Pulsed drain current: -125A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3 sir688dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR688DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3 sir690dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR690DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3 sir690dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR690DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3 sir692dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR692DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3 sir696dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR696DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3 sir698dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR698DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3 sir770dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR770DP-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3 sir800adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3 sir800adp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 177A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 177A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 sir800dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3 doc?65738
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 50A; Idm: 80A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 69W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 133nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 sir804dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR804DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3 sir818dp.pdf
Виробник: VISHAY
SIR818DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950  [ Наступна Сторінка >> ]