Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362649) > Сторінка 1200 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.37 грн
34+33.69 грн
91+31.89 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.45 грн
20+24.79 грн
50+22.36 грн
100+21.14 грн
200+19.91 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.85 грн
5+105.83 грн
25+89.64 грн
100+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.25 грн
10+54.58 грн
100+35.48 грн
500+25.19 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.23 грн
5+63.69 грн
10+55.11 грн
100+35.86 грн
500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
7+45.76 грн
10+40.67 грн
25+39.07 грн
100+34.91 грн
250+34.06 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.70 грн
10+29.59 грн
100+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.92 грн
10+50.07 грн
100+36.80 грн
500+27.84 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 SI4431BDY-T1-E3 VISHAY si4431bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.62 грн
10+69.18 грн
100+50.86 грн
500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 VISHAY si4431cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
10+54.29 грн
20+48.41 грн
50+43.22 грн
100+39.25 грн
200+35.29 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.57 грн
11+27.14 грн
100+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY si4435ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.09 грн
10+50.86 грн
50+35.86 грн
100+31.42 грн
500+23.87 грн
1000+21.70 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 SI4435FDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.58 грн
11+28.42 грн
50+20.19 грн
100+17.46 грн
500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 SI4447ADY-T1-GE3 VISHAY si4447ad.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
10+43.61 грн
100+26.52 грн
200+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.01 грн
10+129.35 грн
100+96.25 грн
500+80.21 грн
1000+74.55 грн
2500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.44 грн
10+58.11 грн
100+41.05 грн
250+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 SI4483ADY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.59 грн
5+86.23 грн
25+73.60 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.35 грн
10+58.40 грн
50+38.31 грн
51+22.08 грн
139+20.85 грн
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 VISHAY si4559ady.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+89.43 грн
10+83.29 грн
50+70.77 грн
100+67.00 грн
125+66.05 грн
250+63.22 грн
500+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 SI4599DY-T1-GE3 VISHAY si4599dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.43 грн
10+64.48 грн
44+25.67 грн
120+24.25 грн
2500+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 SI4686DY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7DBBEB74DE143&compId=SI4686DY.pdf?ci_sign=1aaed05271f5f7dd291bc392d2d38bc1bbf5e033 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.05 грн
10+48.70 грн
33+33.59 грн
91+31.80 грн
2500+31.14 грн
5000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.79 грн
10+38.51 грн
100+31.33 грн
500+27.55 грн
1000+26.04 грн
2500+24.16 грн
5000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.29 грн
26+44.07 грн
70+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 VISHAY si4835ddy.pdf SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.72 грн
30+38.12 грн
81+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.60 грн
5+86.23 грн
10+77.85 грн
50+66.24 грн
100+61.62 грн
500+51.52 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 SI4848DY-T1-E3 VISHAY si4848dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.09 грн
10+98.97 грн
17+66.05 грн
46+63.22 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 VISHAY 71146.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
5+108.77 грн
10+97.19 грн
50+74.55 грн
100+67.00 грн
250+59.45 грн
500+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.77 грн
5+76.83 грн
10+66.81 грн
50+52.28 грн
100+46.61 грн
500+34.16 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.17 грн
10+48.31 грн
50+33.50 грн
100+28.87 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 SI4948BEY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.17 грн
10+97.40 грн
50+66.15 грн
100+57.18 грн
250+48.22 грн
500+43.22 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 VISHAY si7113dn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.99 грн
10+99.95 грн
25+86.81 грн
100+74.55 грн
250+68.88 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 VISHAY si7115dn.pdf SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.61 грн
14+81.15 грн
38+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY si7121adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.07 грн
10+46.94 грн
20+40.76 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
500+24.35 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 SI7149ADP-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
10+62.81 грн
33+34.63 грн
89+32.74 грн
500+32.55 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 VISHAY si7153dn.pdf SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.70 грн
47+24.06 грн
128+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 VISHAY si7288dp.pdf SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.17 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 VISHAY si7461dp.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.71 грн
10+164.63 грн
11+105.69 грн
29+100.02 грн
500+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 VISHAY 73113.pdf SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.82 грн
18+65.11 грн
48+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY si7615adn.pdf SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.25 грн
34+33.69 грн
91+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 VISHAY si7617dn.pdf SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.26 грн
25+46.14 грн
67+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 SI7655ADN-T1-GE3 VISHAY si7655adn.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.51 грн
10+60.85 грн
100+41.24 грн
250+36.05 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 SI7850DP-T1-GE3 VISHAY 71625.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.10 грн
5+151.89 грн
10+132.11 грн
50+101.91 грн
100+90.59 грн
500+67.94 грн
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 SI7938DP-T1-GE3 VISHAY si7938dp.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.22 грн
10+97.01 грн
14+80.21 грн
38+76.43 грн
100+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.52 грн
54+20.67 грн
149+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
10+77.02 грн
34+33.12 грн
92+31.33 грн
7500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.00 грн
10+53.70 грн
25+48.31 грн
100+43.22 грн
250+39.82 грн
500+37.27 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.96 грн
10+77.02 грн
34+33.12 грн
92+31.33 грн
7500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 VISHAY si9433bd.pdf SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
21+54.73 грн
56+51.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.98 грн
5+95.05 грн
10+80.30 грн
50+58.69 грн
100+51.71 грн
500+40.20 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.30 грн
6+58.21 грн
10+48.69 грн
44+25.29 грн
121+23.97 грн
500+23.78 грн
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+102.43 грн
24+46.71 грн
66+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.36 грн
50+22.74 грн
135+21.51 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 VISHAY sia469dj.pdf SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.48 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 SIA483DJ-T1-GE3 VISHAY sia483dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.94 грн
10+36.55 грн
64+17.65 грн
174+16.70 грн
1000+16.42 грн
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 SIA517DJ-T1-GE3 VISHAY sia517dj.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.15 грн
10+50.66 грн
20+41.90 грн
49+23.12 грн
133+21.80 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 SIHA15N60E-E3 VISHAY siha15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+273.36 грн
5+212.64 грн
10+180.23 грн
25+150.98 грн
50+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 VISHAY sihd2n80ae.pdf SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.83 грн
13+91.53 грн
34+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 SIHF22N60E-GE3 VISHAY sihf22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+382.09 грн
5+297.89 грн
10+255.72 грн
25+217.98 грн
50+205.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3 VISHAY SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.82 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4174DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.37 грн
34+33.69 грн
91+31.89 грн
1000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4178DY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A59D39AFC160E11C&compId=SI4178DY-T1-DTE.pdf?ci_sign=4bbfca1a1b0f3351fc25dfaba5f3b6abc660efe6
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.45 грн
20+24.79 грн
50+22.36 грн
100+21.14 грн
200+19.91 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4288DY-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 4399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8DD37AB1FACC80D5&compId=si4401bdy.pdf?ci_sign=b309650f46a5ce7c31039e4e0b65bae4c545110a
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -8.3A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 2.9W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.85 грн
5+105.83 грн
25+89.64 грн
100+81.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
Gate charge: 95nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 4W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.25 грн
10+54.58 грн
100+35.48 грн
500+25.19 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4401FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8FB1FA66E13340D5&compId=si4401fdy.pdf?ci_sign=0d9a449bfba9d1cd0f4ac54484f4d21538097463
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -80A
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 18.3mΩ
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2034 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.23 грн
5+63.69 грн
10+55.11 грн
100+35.86 грн
500+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 25mΩ
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
7+45.76 грн
10+40.67 грн
25+39.07 грн
100+34.91 грн
250+34.06 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4403DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF912403A0190143&compId=SI4403DDY.pdf?ci_sign=9fd5356a56ecba7cf116a550ac8e8eb74a624380
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.70 грн
10+29.59 грн
100+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90B8DB544A4143&compId=SI4425DDY.pdf?ci_sign=4ca0d5ee73aa4e0b86d6ab4403edb62cdb9017db
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.7A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.7A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.92 грн
10+50.07 грн
100+36.80 грн
500+27.84 грн
1000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431BDY-T1-E3 si4431bd.pdf
SI4431BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 0.9W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.62 грн
10+69.18 грн
100+50.86 грн
500+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.2A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.2A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+54.29 грн
20+48.41 грн
50+43.22 грн
100+39.25 грн
200+35.29 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C69A768524469&compId=SI4435DDY.pdf?ci_sign=6829347c9329e1b0ba269f70ba31db9896ce121c
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.57 грн
11+27.14 грн
100+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.5A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.09 грн
10+50.86 грн
50+35.86 грн
100+31.42 грн
500+23.87 грн
1000+21.70 грн
2500+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435FDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA9D973D138F000D3&compId=si4435fdy.pdf?ci_sign=d351e26323940fdb9f90a1077a0912fb922686d7
SI4435FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12.6A; Idm: -32A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.6A
Pulsed drain current: -32A
Power dissipation: 4.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.58 грн
11+28.42 грн
50+20.19 грн
100+17.46 грн
500+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI4447ADY-T1-GE3 si4447ad.pdf
SI4447ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -7.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 4.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.94 грн
10+43.61 грн
100+26.52 грн
200+23.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90C142F2FE4143&compId=SI4459ADY.pdf?ci_sign=a632b04d83d41d426c26f1481d7f98aa30f7e1ae
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -23.5A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.01 грн
10+129.35 грн
100+96.25 грн
500+80.21 грн
1000+74.55 грн
2500+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI4463CDY-T1-GE3 si4463cd.pdf
SI4463CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
10+58.11 грн
100+41.05 грн
250+39.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4483ADY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90CA8864F96143&compId=SI4483ADY.pdf?ci_sign=27b7abb0c033e6e30b73937a34c59faabcacd2ca
SI4483ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -15.4A; 3.8W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -15.4A
Power dissipation: 3.8W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.59 грн
5+86.23 грн
25+73.60 грн
100+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.35 грн
10+58.40 грн
50+38.31 грн
51+22.08 грн
139+20.85 грн
2500+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 4.3/-3.2A
Power dissipation: 3.4/3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 150/72mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 22/20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+89.43 грн
10+83.29 грн
50+70.77 грн
100+67.00 грн
125+66.05 грн
250+63.22 грн
500+59.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4599DY-T1-GE3 si4599dy.pdf
SI4599DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40/-40V; 6.8/-5.8A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.8/-5.8A
Power dissipation: 3.1/3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 62/42.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38/20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.43 грн
10+64.48 грн
44+25.67 грн
120+24.25 грн
2500+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7DBBEB74DE143&compId=SI4686DY.pdf?ci_sign=1aaed05271f5f7dd291bc392d2d38bc1bbf5e033
SI4686DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 14.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 5.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+48.70 грн
33+33.59 грн
91+31.80 грн
2500+31.14 грн
5000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a
SI4800BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+38.51 грн
100+31.33 грн
500+27.55 грн
1000+26.04 грн
2500+24.16 грн
5000+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.29 грн
26+44.07 грн
70+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4835DDY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.72 грн
30+38.12 грн
81+35.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DA89548B67860DE&compId=si4840bdy.pdf?ci_sign=284ed8913af3f51a5180396dcb920ddc35417f1e
SI4840BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 9.9A; Idm: 50A
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 3.8W
Drain current: 9.9A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 50A
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
5+86.23 грн
10+77.85 грн
50+66.24 грн
100+61.62 грн
500+51.52 грн
1000+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4848DY-T1-E3 si4848dy.pdf
SI4848DY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 3.7A; Idm: 25A; 3W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 3W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.09 грн
10+98.97 грн
17+66.05 грн
46+63.22 грн
500+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4850EY-T1-E3 71146.pdf
SI4850EY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6A; Idm: 40A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
5+108.77 грн
10+97.19 грн
50+74.55 грн
100+67.00 грн
250+59.45 грн
500+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C99448EA20469&compId=SI4925DDY-T1-GE3.pdf?ci_sign=247ad2cca8e568a9e5989b1e2e4f6f77ff7828b1
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.9A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.9A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.77 грн
5+76.83 грн
10+66.81 грн
50+52.28 грн
100+46.61 грн
500+34.16 грн
1000+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABB85D37AA64F60C7&compId=si4936cdy-t1-e3.pdf?ci_sign=90fd2b1e62740aefc82a1551863ac9c65766bedb
SI4936CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.6A; Idm: 20A
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Drain current: 4.6A
Gate charge: 9nC
Type of transistor: N-MOSFET x2
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.17 грн
10+48.31 грн
50+33.50 грн
100+28.87 грн
500+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4948BEY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A6A1347E540DF&compId=SI4948BEY.pdf?ci_sign=238d2536006e9317b5f25d4bdf26d23435775940
SI4948BEY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.4A; 0.95W
Case: SO8
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -25A
Drain current: -2.4A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.17 грн
10+97.40 грн
50+66.15 грн
100+57.18 грн
250+48.22 грн
500+43.22 грн
1000+39.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -3.5A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.5A
Gate charge: 55nC
On-state resistance: 0.134Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.99 грн
10+99.95 грн
25+86.81 грн
100+74.55 грн
250+68.88 грн
500+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3 si7115dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7115DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.61 грн
14+81.15 грн
38+76.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3 si7121adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -50A
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 50nC
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 17.8W
Gate-source voltage: ±25V
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+46.94 грн
20+40.76 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
500+24.35 грн
1000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7149ADP-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B88CA235F95D40C4&compId=si7149adp.pdf?ci_sign=f7d6243395fc5c14db861871eff0338269919b8f
SI7149ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -50A; 31W
Technology: TrenchFET®
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 43.1nC
On-state resistance: 9.5mΩ
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 31W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+62.81 грн
33+34.63 грн
89+32.74 грн
500+32.55 грн
1000+31.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7153DN-T1-GE3 si7153dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7153DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.70 грн
47+24.06 грн
128+22.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3 si7288dp.pdf
Виробник: VISHAY
SI7288DP-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.17 грн
18+65.11 грн
47+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -8.6A; Idm: -60A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -60A
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.6A
Gate charge: 0.19µC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.71 грн
10+164.63 грн
11+105.69 грн
29+100.02 грн
500+96.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-E3 73113.pdf
Виробник: VISHAY
SI7465DP-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.82 грн
18+65.11 грн
48+61.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.25 грн
34+33.69 грн
91+31.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7617DN-T1-GE3 si7617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SI7617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.26 грн
25+46.14 грн
67+43.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655ADN-T1-GE3 si7655adn.pdf
SI7655ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -40A; Idm: -100A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® SO8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -100A
Drain current: -40A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 225nC
On-state resistance: 3.6mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.51 грн
10+60.85 грн
100+41.24 грн
250+36.05 грн
500+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI7850DP-T1-GE3 71625.pdf
SI7850DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 6.2A; Idm: 40A
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.10 грн
5+151.89 грн
10+132.11 грн
50+101.91 грн
100+90.59 грн
500+67.94 грн
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI7938DP-T1-GE3 si7938dp.pdf
SI7938DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 65nC
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 46W
Pulsed drain current: 80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.22 грн
10+97.01 грн
14+80.21 грн
38+76.43 грн
100+73.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.52 грн
54+20.67 грн
149+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
10+77.02 грн
34+33.12 грн
92+31.33 грн
7500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -2.6A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 0.12Ω
Power dissipation: 3.2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.00 грн
10+53.70 грн
25+48.31 грн
100+43.22 грн
250+39.82 грн
500+37.27 грн
1000+34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBB7ADD7E1FB0B80C7&compId=si9407bd.pdf?ci_sign=257544bc9a8773e20d8b191d98cb99c27542d9fa
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.6A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.96 грн
10+77.02 грн
34+33.12 грн
92+31.33 грн
7500+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Si9433BDY-T1-E3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI9433BDY-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
21+54.73 грн
56+51.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA35812DDA70469&compId=SI9926CDY-T1-E3.pdf?ci_sign=0ab71b5605d47da470f4dbbf053fc6273f4cf80a
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 22mΩ
Gate charge: 33nC
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.98 грн
5+95.05 грн
10+80.30 грн
50+58.69 грн
100+51.71 грн
500+40.20 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0928A7E29059520DF&compId=SI9933CDY.pdf?ci_sign=149105d3216bdce939e4bc6c890a58e5005e972c
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.30 грн
6+58.21 грн
10+48.69 грн
44+25.29 грн
121+23.97 грн
500+23.78 грн
1000+23.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI9945BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.43 грн
24+46.71 грн
66+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.36 грн
50+22.74 грн
135+21.51 грн
3000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SiA469DJ-T1-GE3 sia469dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA469DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2682 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.48 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483DJ-T1-GE3 sia483dj.pdf
SIA483DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -12A; Idm: -40A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -40A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 12W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PowerPAK® SC70
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.94 грн
10+36.55 грн
64+17.65 грн
174+16.70 грн
1000+16.42 грн
3000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIA517DJ-T1-GE3 sia517dj.pdf
SIA517DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12/-12V; 4.5/-4.5A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12/-12V
Drain current: 4.5/-4.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 170/65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.15 грн
10+50.66 грн
20+41.90 грн
49+23.12 грн
133+21.80 грн
500+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA15N60E-E3 siha15n60e.pdf
SIHA15N60E-E3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.36 грн
5+212.64 грн
10+180.23 грн
25+150.98 грн
50+141.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD2N80AE-GE3 sihd2n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHD2N80AE-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.83 грн
13+91.53 грн
34+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-GE3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.09 грн
5+297.89 грн
10+255.72 грн
25+217.98 грн
50+205.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF644S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHF644S-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.82 грн
17+68.88 грн
45+65.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1205 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]