Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362661) > Сторінка 1199 з 6045

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1022R-T1-GE3
+1
 		SI1022R-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Case: SC75A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
10+32.93 грн
50+27.18 грн
64+17.55 грн
174+16.61 грн
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.69 грн
73+15.29 грн
200+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.61A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.55 грн
11+29.01 грн
12+24.82 грн
100+14.44 грн
141+7.83 грн
389+7.45 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.73 грн
189+5.92 грн
518+5.60 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.66 грн
9+32.73 грн
11+28.12 грн
82+13.49 грн
226+12.74 грн
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 SI1308EDL-T1-GE3 VISHAY si1308edl.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.53 грн
13+23.91 грн
25+19.53 грн
50+17.08 грн
100+15.00 грн
500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 VISHAY si1317dl.pdf SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.95 грн
99+11.32 грн
271+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 VISHAY si1442dh.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.42 грн
17+18.03 грн
19+15.38 грн
100+10.76 грн
500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 VISHAY si1443edh.pdf SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.44 грн
81+13.87 грн
221+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY si1902cdl.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+25.41 грн
17+17.44 грн
20+14.44 грн
100+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 VISHAY si2300ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.36 грн
19+15.68 грн
25+14.15 грн
50+13.40 грн
100+12.64 грн
500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 SI2301BDS-T1-GE3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+304.86 грн
10+29.50 грн
25+24.91 грн
100+20.76 грн
250+16.80 грн
500+14.91 грн
1000+13.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 SI2301CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.68 грн
11+28.22 грн
20+23.68 грн
100+17.17 грн
500+12.83 грн
1000+11.42 грн
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 SI2302CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
11+28.61 грн
50+21.70 грн
100+19.53 грн
500+15.19 грн
1000+13.49 грн
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 SI2302DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.45 грн
13+23.32 грн
25+19.91 грн
100+15.95 грн
500+11.89 грн
1000+10.38 грн
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 SI2303CDS-T1-GE3 VISHAY si2303cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
10+34.59 грн
50+25.10 грн
100+22.08 грн
500+16.23 грн
1000+14.15 грн
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.49 грн
16+19.30 грн
50+13.78 грн
100+12.17 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 SI2305CDS-T1-GE3 VISHAY si2305cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.60 грн
18+17.15 грн
20+15.19 грн
50+13.68 грн
100+12.64 грн
500+10.57 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 SI2306BDS-T1-E3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
12+25.97 грн
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.86 грн
10+36.26 грн
50+25.10 грн
100+21.61 грн
500+15.19 грн
1000+13.02 грн
1500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.78 грн
20+34.10 грн
100+24.53 грн
250+20.76 грн
500+18.49 грн
1000+16.61 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 SI2308CDS-T1-GE3 VISHAY si2308cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.79 грн
10+35.18 грн
50+25.86 грн
100+22.74 грн
500+16.80 грн
1000+14.53 грн
1500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ADCC6486D6522143&compId=si2312cd.pdf?ci_sign=13f696a1c8bca796f8fe35d5c138eb5b9fc25e86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
52+21.61 грн
142+20.48 грн
3000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY si2315bd.pdf SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.36 грн
61+18.40 грн
167+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.62 грн
12+25.28 грн
20+20.95 грн
90+12.36 грн
248+11.70 грн
500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.77 грн
25+25.87 грн
58+19.44 грн
158+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.83 грн
10+35.57 грн
100+23.59 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.40 грн
66+16.89 грн
182+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.10 грн
34+33.48 грн
92+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.05 грн
38+29.63 грн
104+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 VISHAY si2323cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.76 грн
10+34.88 грн
78+14.34 грн
214+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 SI2323DDS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.91 грн
10+40.86 грн
50+29.25 грн
52+21.70 грн
142+20.48 грн
500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.31 грн
10+62.03 грн
25+53.41 грн
37+30.86 грн
100+29.25 грн
250+29.16 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.49 грн
12+23.97 грн
50+21.23 грн
100+20.10 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISHAY si2328ds.pdf SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+70.73 грн
58+19.44 грн
158+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 VISHAY si2329ds.pdf SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.77 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 VISHAY si2333cd.pdf SI2333CDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.37 грн
43+26.42 грн
116+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY si2333cd.pdf SI2333CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.09 грн
79+14.25 грн
215+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 VISHAY si2333dds.pdf SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.36 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.53 грн
12+26.07 грн
100+19.82 грн
110+10.10 грн
303+9.53 грн
15000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.62 грн
10+68.01 грн
31+36.24 грн
50+36.14 грн
85+34.25 грн
3000+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.20 грн
67+16.70 грн
184+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 VISHAY si2342ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.65 грн
10+29.69 грн
50+22.36 грн
100+20.10 грн
500+15.85 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 VISHAY si2343cd.pdf SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.59 грн
68+16.42 грн
187+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 VISHAY si2347ds.pdf SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.33 грн
108+10.38 грн
295+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 VISHAY si2356ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.53 грн
15+20.97 грн
50+14.72 грн
100+12.93 грн
500+9.81 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 VISHAY si2365eds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.45 грн
17+17.34 грн
50+11.61 грн
100+9.91 грн
151+7.45 грн
413+6.98 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 VISHAY si2366ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.70 грн
10+32.14 грн
50+23.02 грн
87+12.83 грн
239+12.17 грн
3000+11.98 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 VISHAY si2369d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.70 грн
10+29.99 грн
50+21.61 грн
69+16.23 грн
189+15.38 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 VISHAY si2374ds.pdf SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.96 грн
96+11.70 грн
263+11.04 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 VISHAY si2377eds.pdf SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.39 грн
69+16.23 грн
189+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 VISHAY si2392ads.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.78 грн
8+40.96 грн
10+35.20 грн
100+22.46 грн
500+16.80 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 VISHAY si2393ds.pdf SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+44.41 грн
80+13.87 грн
220+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 Si3407DV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.52 грн
13+24.30 грн
25+21.42 грн
50+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 VISHAY si3421dv.pdf SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.25 грн
61+18.40 грн
167+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 VISHAY 72749.pdf description SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+28.76 грн
66+16.86 грн
182+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.99 грн
10+39.29 грн
50+30.01 грн
75+14.81 грн
206+13.97 грн
3000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 VISHAY Si3458BDV.PDF SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.31 грн
40+28.03 грн
110+26.52 грн
6000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73
SI1022R-T1-GE3
+1
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Case: SC75A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.65 грн
10+32.93 грн
50+27.18 грн
64+17.55 грн
174+16.61 грн
3000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 si1032r.pdf
Виробник: VISHAY
SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.69 грн
73+15.29 грн
200+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.61A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.55 грн
11+29.01 грн
12+24.82 грн
100+14.44 грн
141+7.83 грн
389+7.45 грн
6000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
Виробник: VISHAY
SI1062X-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 4844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.73 грн
189+5.92 грн
518+5.60 грн
6000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC741F42B04E143&compId=SI1302DL.pdf?ci_sign=0e47094d7460bbf8757050183f77302d44966af5
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.48A; Idm: 1.5A; 0.18W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.48A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.18W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.66 грн
9+32.73 грн
11+28.12 грн
82+13.49 грн
226+12.74 грн
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1308EDL-T1-GE3 si1308edl.pdf
SI1308EDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; Idm: 6A; 0.3W; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Gate charge: 4.1nC
On-state resistance: 132mΩ
Power dissipation: 0.3W
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
13+23.91 грн
25+19.53 грн
50+17.08 грн
100+15.00 грн
500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1317DL-T1-GE3 si1317dl.pdf
Виробник: VISHAY
SI1317DL-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.95 грн
99+11.32 грн
271+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 12V; 4A; Idm: 20A; 2.8W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 12V
Pulsed drain current: 20A
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Case: SC70-6; SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.42 грн
17+18.03 грн
19+15.38 грн
100+10.76 грн
500+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1443EDH-T1-GE3 si1443edh.pdf
Виробник: VISHAY
SI1443EDH-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.44 грн
81+13.87 грн
221+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902CDL-T1-GE3 si1902cdl.pdf
SI1902CDL-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.9A; 0.27W; SC70-6,SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 0.27W
Case: SC70-6; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+25.41 грн
17+17.44 грн
20+14.44 грн
100+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.6A; Idm: 15A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±12V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 15A
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 68mΩ
Power dissipation: 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.36 грн
19+15.68 грн
25+14.15 грн
50+13.40 грн
100+12.64 грн
500+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-GE3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A; 0.45W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+304.86 грн
10+29.50 грн
25+24.91 грн
100+20.76 грн
250+16.80 грн
500+14.91 грн
1000+13.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD839B390EFF83A0D2&compId=si2301cds.pdf?ci_sign=d4aa7f78301d7ab60fad71ebe961198b9879d6ca
SI2301CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.68 грн
11+28.22 грн
20+23.68 грн
100+17.17 грн
500+12.83 грн
1000+11.42 грн
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79935417D6143&compId=si2302cds.pdf?ci_sign=34ad82b4a4e4bbcce1ee89b45eda96c4079cb0b1
SI2302CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.65 грн
11+28.61 грн
50+21.70 грн
100+19.53 грн
500+15.19 грн
1000+13.49 грн
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC79DE494CA2143&compId=si2302dds.pdf?ci_sign=ffc0abc65cc01b56a97def224c49af6063d8b26c
SI2302DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.1A; 0.46W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 0.46W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3389 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.45 грн
13+23.32 грн
25+19.91 грн
100+15.95 грн
500+11.89 грн
1000+10.38 грн
3000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2303CDS-T1-GE3 si2303cd.pdf
SI2303CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.7A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 8nC
On-state resistance: 0.19Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.76 грн
10+34.59 грн
50+25.10 грн
100+22.08 грн
500+16.23 грн
1000+14.15 грн
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF8CB0D602D3D7&compId=SI2304DDS.pdf?ci_sign=95ef3ca732170878e414a35ea9ea6f42a08fd886
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.49 грн
16+19.30 грн
50+13.78 грн
100+12.17 грн
500+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3 si2305cd.pdf
SI2305CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -3.5A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.60 грн
18+17.15 грн
20+15.19 грн
50+13.68 грн
100+12.64 грн
500+10.57 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2306BDS-T1-E3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC109F31BF4A143&compId=SI2306BDS.pdf?ci_sign=e699881520bc8652df15271140da71df0ec946ac
SI2306BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
12+25.97 грн
50+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2307CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787BCE1F6230D6745&compId=SI2307CDS-T1-GE3.pdf?ci_sign=0e68f187c351520fd9a36877902641072ec5e87d
SI2307CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.2A; 1.8W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.86 грн
10+36.26 грн
50+25.10 грн
100+21.61 грн
500+15.19 грн
1000+13.02 грн
1500+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; Idm: 8A; 1.06W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.06W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 192mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.78 грн
20+34.10 грн
100+24.53 грн
250+20.76 грн
500+18.49 грн
1000+16.61 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308CDS-T1-GE3 si2308cds.pdf
SI2308CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.6A; Idm: 6A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AACAA06089133D7&compId=si2309cds.pdf?ci_sign=5fda44675b522bbf564fe36d914d0dc0ba66599e
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.3A; Idm: -8A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.3A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+35.18 грн
50+25.86 грн
100+22.74 грн
500+16.80 грн
1000+14.53 грн
1500+13.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8ADCC6486D6522143&compId=si2312cd.pdf?ci_sign=13f696a1c8bca796f8fe35d5c138eb5b9fc25e86
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.1A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-E3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.73 грн
52+21.61 грн
142+20.48 грн
3000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2315BDS-T1-GE3 si2315bd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2315BDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.36 грн
61+18.40 грн
167+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB05E85B46033D7&compId=si2318cds.pdf?ci_sign=0c176385f3d62a85465756e8056b99325fd9812d
SI2318CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.62 грн
12+25.28 грн
20+20.95 грн
90+12.36 грн
248+11.70 грн
500+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAFC88707C753D7&compId=SI2318DS.pdf?ci_sign=ee5767015e0283adb239c741ea5762be7aa01eca
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2.4A; Idm: 16A; 0.75W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.75W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.77 грн
25+25.87 грн
58+19.44 грн
158+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AAF9DAA948853D7&compId=si2319cds.pdf?ci_sign=64bdacd284ecc776da0ce9fcde1da45273922ddb
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.83 грн
10+35.57 грн
100+23.59 грн
500+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.40 грн
66+16.89 грн
182+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.10 грн
34+33.48 грн
92+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2319DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
38+29.63 грн
104+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; Idm: -20A; 2.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.76 грн
10+34.88 грн
78+14.34 грн
214+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DDS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB46CCAC12F38BF&compId=SI2323DDS.pdf?ci_sign=2d10d3b27bf6d96adaa54a9af723a3b621d994a7
SI2323DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.91 грн
10+40.86 грн
50+29.25 грн
52+21.70 грн
142+20.48 грн
500+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C59D00304A469&compId=SI2323DS-T1-E3.pdf?ci_sign=d95c0c5102cf040311d81532a6afc241b9b95a1c
SI2323DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.8A; Idm: -20A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.31 грн
10+62.03 грн
25+53.41 грн
37+30.86 грн
100+29.25 грн
250+29.16 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BCC7A41FD92BA143&compId=si2324ds.pdf?ci_sign=f1682294c926f8f629558c3b26e38ef41d87eb49
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 234mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.49 грн
12+23.97 грн
50+21.23 грн
100+20.10 грн
500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 si2328ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2328DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.73 грн
58+19.44 грн
158+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2329DS-T1-GE3 si2329ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2329DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.77 грн
43+25.95 грн
118+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-E3 si2333cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333CDS-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.37 грн
43+26.42 грн
116+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.09 грн
79+14.25 грн
215+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333DDS-T1-GE3 si2333dds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2333DDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.36 грн
72+15.57 грн
197+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2336DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AB0BD13802753D7&compId=si2336ds.pdf?ci_sign=962d2d3f76ac6bd02781750941977a5dca4c02cc
SI2336DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 883 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
12+26.07 грн
100+19.82 грн
110+10.10 грн
303+9.53 грн
15000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2337DS-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF902890339D2143&compId=SI2337DS.pdf?ci_sign=cb73a2039e3415bf5787f902365bd67d81fa9f04
SI2337DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -1.75A; Idm: -7A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -1.75A
Pulsed drain current: -7A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.62 грн
10+68.01 грн
31+36.24 грн
50+36.14 грн
85+34.25 грн
3000+33.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2338DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 3144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.20 грн
67+16.70 грн
184+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2342DS-T1-GE3 si2342ds.pdf
SI2342DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 6A; Idm: 30A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.8nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±5V
Drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Pulsed drain current: 30A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.65 грн
10+29.69 грн
50+22.36 грн
100+20.10 грн
500+15.85 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
Виробник: VISHAY
SI2343CDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.59 грн
68+16.42 грн
187+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2347DS-T1-GE3 si2347ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2347DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.33 грн
108+10.38 грн
295+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2356DS-T1-GE3 si2356ds.pdf
SI2356DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.53 грн
15+20.97 грн
50+14.72 грн
100+12.93 грн
500+9.81 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2365EDS-T1-GE3 si2365eds.pdf
SI2365EDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.5A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.45 грн
17+17.34 грн
50+11.61 грн
100+9.91 грн
151+7.45 грн
413+6.98 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2366DS-T1-GE3 si2366ds.pdf
SI2366DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 20A; 1.3W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.70 грн
10+32.14 грн
50+23.02 грн
87+12.83 грн
239+12.17 грн
3000+11.98 грн
6000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2369DS-T1-GE3 si2369d.pdf
SI2369DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.6A; Idm: -80A; 1.6W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7.6A
Gate charge: 36nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Pulsed drain current: -80A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+43.70 грн
10+29.99 грн
50+21.61 грн
69+16.23 грн
189+15.38 грн
500+14.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2374DS-T1-GE3 si2374ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2374DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.96 грн
96+11.70 грн
263+11.04 грн
1000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2377EDS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.39 грн
69+16.23 грн
189+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2392ADS-T1-GE3 si2392ads.pdf
SI2392ADS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10.4nC
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 126mΩ
Power dissipation: 1.6W
Pulsed drain current: 8A
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.78 грн
8+40.96 грн
10+35.20 грн
100+22.46 грн
500+16.80 грн
1000+15.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2393DS-T1-GE3 si2393ds.pdf
Виробник: VISHAY
SI2393DS-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+44.41 грн
80+13.87 грн
220+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3407DV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF9109767358C143&compId=SI3407DV.pdf?ci_sign=2f96d2939fba080c17c1f68a74427c8cae953e2b
Si3407DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -8A; Idm: -25A; 4.2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.52 грн
13+24.30 грн
25+21.42 грн
50+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3421DV-T1-GE3 si3421dv.pdf
Виробник: VISHAY
SI3421DV-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.25 грн
61+18.40 грн
167+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443BDV-T1-E3 description 72749.pdf
Виробник: VISHAY
SI3443BDV-T1-E3 SMD P channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+28.76 грн
66+16.86 грн
182+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF90844D94CA0143&compId=SI3457CDV.pdf?ci_sign=25586387bfcf9fd5d614a04f6b2f0c1c1871ce4b
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.1A; Idm: -20A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -4.1A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 113mΩ
Power dissipation: 3W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.99 грн
10+39.29 грн
50+30.01 грн
75+14.81 грн
206+13.97 грн
3000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-GE3 Si3458BDV.PDF
Виробник: VISHAY
SI3458BDV-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.31 грн
40+28.03 грн
110+26.52 грн
6000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1208 1812 2416 3020 3624 4228 4832 5436 6040 6045  [ Наступна Сторінка >> ]