Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357027) > Сторінка 1199 з 5951

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS698DN-T1-GE3 VISHAY SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS780DN-T1-GE3 VISHAY sis780dn.pdf SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 VISHAY sis822dnt.pdf SIS822DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 VISHAY sis862adn.pdf SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 VISHAY sis862dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 VISHAY sis888dn.pdf SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY sis890adn.pdf SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 VISHAY sis890dn.pdf SIS890DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.81 грн
10+67.93 грн
25+44.13 грн
68+41.74 грн
500+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 VISHAY sis892dn.pdf SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 VISHAY sis903dn.pdf SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 VISHAY sis932edn.pdf SIS932EDN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 VISHAY sis990dn.pdf SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 VISHAY sisa01dn.pdf SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 VISHAY sisa04dn.pdf SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 VISHAY sisa10dn.pdf SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 VISHAY sisa12adn.pdf SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3 VISHAY sisa14bdn.pdf SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 VISHAY sisa14dn.pdf SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 VISHAY sisa18adn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 VISHAY sisa24dn.pdf SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 VISHAY sisa40dn.pdf SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 VISHAY sisa72adn.pdf SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 VISHAY sisa72dn.pdf SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 VISHAY SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 VISHAY sisa96dn.pdf SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 VISHAY sisb46dn.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
On-state resistance: 15.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 14.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3 VISHAY sisc06dn.pdf SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 VISHAY sisf00dn.pdf SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 VISHAY sisf02dn.pdf SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 VISHAY sisf06dn.pdf SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3 VISHAY sisf20dn.pdf SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 VISHAY sish101dn.pdf SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 VISHAY sish106dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 VISHAY sish108dn.pdf SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 VISHAY sish110dn.pdf SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 VISHAY sish112dn.pdf SISH112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sish114adn-t1-ge3.pdf SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 VISHAY sish116dn.pdf SISH116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 VISHAY sish129dn.pdf SISH129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 VISHAY sish402dn.pdf SISH402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 VISHAY sish407dn.pdf SISH407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 VISHAY sish410dn.pdf SISH410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 VISHAY sish434dn.pdf SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 VISHAY sish472dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 VISHAY sish536dn.pdf SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 VISHAY sish615adn.pdf SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 VISHAY sish617dn.pdf SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 VISHAY sish625dn.pdf SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+61.94 грн
35+31.10 грн
95+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY sish892bdn.pdf SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf SISHA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3 VISHAY SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf SISHA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3 VISHAY sisha14dn.pdf SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 VISHAY vis-siss02dn-t1-ge3.pdf SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 VISHAY siss04dn.pdf SISS04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 SISS05DN-T1-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.89 грн
5+78.12 грн
15+74.31 грн
25+67.89 грн
100+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 VISHAY siss06dn.pdf SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 VISHAY siss08dn.pdf SISS08DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS698DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIS698DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS780DN-T1-GE3 sis780dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS780DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS822DNT-T1-GE3 sis822dnt.pdf
Виробник: VISHAY
SIS822DNT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3 sis862adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS862ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3 sis862dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 40A; Idm: 100A; 52W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20.8nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3 sis888dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS888DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3 sis890adn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS890ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS890DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9B3F662251E03A0C4&compId=SIS892ADN-T1-GE3.pdf?ci_sign=0a834ab447961948415ca38054b4337a39ebce76
SIS892ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 28A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 52W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 6.1nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.81 грн
10+67.93 грн
25+44.13 грн
68+41.74 грн
500+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 sis892dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS892DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3 sis903dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS903DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3 sis932edn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS932EDN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS990DN-T1-GE3 sis990dn.pdf
Виробник: VISHAY
SIS990DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA01DN-T1-GE3 sisa01dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA01DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 sisa04dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA12ADN-T1-GE3 sisa12adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14BDN-T1-GE3 sisa14bdn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA14BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA14DN-T1-GE3 sisa14dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18ADN-T1-GE3 sisa18adn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.6A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.6A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA24DN-T1-GE3 sisa24dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA24DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 sisa35dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA35DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA40DN-T1-GE3 sisa40dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA40DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72ADN-T1-GE3 sisa72adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA72ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA72DN-T1-GE3 sisa72dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA72DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISA88DN-T1-GE3 SISA88DN_Rev.A_Oct02%2C2017_DS.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32.4A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32.4A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 12.7W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSA96DN-T1-GE3 sisa96dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISA96DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISB46DN-T1-GE3 sisb46dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.3A
On-state resistance: 15.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 14.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISC06DN-T1-GE3 sisc06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISC06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF00DN-T1-GE3 sisf00dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF00DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF02DN-T1-GE3 sisf02dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF02DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF06DN-T1-GE3 sisf06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF06DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISF20DN-T1-GE3 sisf20dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISF20DN-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH101DN-T1-GE3 sish101dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH101DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH106DN-T1-GE3 sish106dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 15.6A; Idm: 60A; 2W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15.6A
On-state resistance: 9.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 27nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH108DN-T1-GE3 sish108dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH108DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH110DN-T1-GE3 sish110dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH110DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH112DN-T1-GE3 sish112dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH112DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH114ADN-T1-GE3 tf-sish114adn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISH114ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH116DN-T1-GE3 sish116dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH116DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH129DN-T1-GE3 sish129dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH129DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH402DN-T1-GE3 sish402dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH402DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH407DN-T1-GE3 sish407dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH407DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH410DN-T1-GE3 sish410dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH410DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH434DN-T1-GE3 sish434dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH434DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH472DN-T1-GE3 sish472dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 20A; Idm: 50A; 18W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 30nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH536DN-T1-GE3 sish536dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH536DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH615ADN-T1-GE3 sish615adn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH615ADN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH617DN-T1-GE3 sish617dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH617DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISH625DN-T1-GE3 sish625dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH625DN-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.94 грн
35+31.10 грн
95+29.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
Виробник: VISHAY
SISH892BDN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISHA04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA10DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SISHA10DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA12ADN-T1-GE3 tf-sisha12adn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISHA12ADN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA14DN-T1-GE3 sisha14dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISHA14DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS02DN-T1-GE3 vis-siss02dn-t1-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
SISS02DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS04DN-T1-GE3 siss04dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS04DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS05DN-T1-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA9395D2EB486E00C4&compId=siss05dn.pdf?ci_sign=a6ad886a87c78f05ec0f27231ba6a5e604ee0763
SISS05DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -86.6A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 115nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -20...16V
Pulsed drain current: -300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -86.6A
On-state resistance: 5.8mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2577 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.89 грн
5+78.12 грн
15+74.31 грн
25+67.89 грн
100+66.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SISS06DN-T1-GE3 siss06dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS06DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS08DN-T1-GE3 siss08dn.pdf
Виробник: VISHAY
SISS08DN-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 595 1190 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1202 1203 1204 1785 2380 2975 3570 4165 4760 5355 5950 5951  [ Наступна Сторінка >> ]