| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IL300-DEFG | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 381 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL300-EF | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 1 Kind of output: photodiode Insulation voltage: 5.3kV Case: DIP8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL410 | VISHAY |
IL410 Optotriacs |
на замовлення 191 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IL4118-X017 | VISHAY |
IL4118-X017 Optotriacs |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IL420 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1 Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Trigger current: 2mA Mounting: THT Number of channels: 1 Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208 | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: without zero voltage crossing driver Case: DIP6 Trigger current: 2mA Mounting: THT Number of channels: 1 Slew rate: 10kV/μs Max. off-state voltage: 6V Output voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 319 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IL4208-X007T | VISHAY |
Category: OptotriacsDescription: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs Type of optocoupler: optotriac Insulation voltage: 5.3kV Kind of output: triac Case: Gull wing 6 Trigger current: 2mA Mounting: SMD Number of channels: 1 Slew rate: 10kV/μs Output voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IL4218 | VISHAY |
IL4218 Optotriacs |
на замовлення 325 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD205T | VISHAY |
ILD205T Optocouplers - analog output |
на замовлення 3934 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD206T | VISHAY |
ILD206T Optocouplers - analog output |
на замовлення 5236 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ILD213T | VISHAY |
Category: Optocouplers - analog outputDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 4kV; Uce: 70V; SO8 Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 2 Kind of output: transistor Insulation voltage: 4kV CTR@If: 100%@10mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SO8 Turn-on time: 6µs Turn-off time: 5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3433 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ILD223T | VISHAY |
ILD223T Optocouplers - analog output |
на замовлення 241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD615-2 | VISHAY |
ILD615-2 Optocouplers - analog output |
на замовлення 693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILD621GB | VISHAY |
ILD621GB Optocouplers - analog output |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ2-X009 | VISHAY |
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ30 | VISHAY |
ILQ30 Optocouplers - analog output |
на замовлення 493 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ615-4 | VISHAY |
ILQ615-4 Optocouplers - analog output |
на замовлення 915 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621 | VISHAY |
ILQ621 Optocouplers - analog output |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ILQ621GB | VISHAY |
ILQ621GB Optocouplers - analog output |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IMBD4148-E3-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: 7 inch reel Capacitance: 4pF Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBD4148-HE3-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: 7 inch reel Capacitance: 4pF Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF510SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF520PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 26nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2941 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF530SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Gate charge: 26nC Pulsed drain current: 56A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 522 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF610PBF | VISHAY |
IRF610PBF THT N channel transistors |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF620PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF630SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF634PBF | VISHAY |
IRF634PBF THT N channel transistors |
на замовлення 101 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 130W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF644PBF | VISHAY |
IRF644PBF THT N channel transistors |
на замовлення 645 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF644SPBF | VISHAY |
IRF644SPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF710PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF710STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 626 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF720PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.1A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 20nC Pulsed drain current: 13A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF730PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3.5A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 974 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF740ASTRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF740LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 39nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 513 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 568 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740PBF-BE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 63nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 867 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 969 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF820PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 934 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF830PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Gate charge: 38nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 0.85Ω Polarisation: unipolar Drain current: 5.1A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Mounting: SMD Kind of package: tube Case: D2PAK; TO263 Gate charge: 38nC On-state resistance: 0.85Ω Polarisation: unipolar Drain current: 5.1A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Gate charge: 39nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 0.85Ω Polarisation: unipolar Drain current: 5.1A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Case: TO220AB Gate charge: 63nC Heatsink thickness: 1.14...1.4mm On-state resistance: 0.85Ω Polarisation: unipolar Drain current: 5.1A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Mounting: SMD Kind of package: tube Case: D2PAK; TO263 Gate charge: 63nC On-state resistance: 0.85Ω Polarisation: unipolar Drain current: 5.1A Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF9510PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IL300-DEFG | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.18 грн |
| 25+ | 290.19 грн |
| 50+ | 254.31 грн |
| 100+ | 232.20 грн |
| 250+ | 207.07 грн |
| 500+ | 191.99 грн |
| IL300-EF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 5.3kV; DIP8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 1
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 5.3kV
Case: DIP8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.62 грн |
| 25+ | 275.57 грн |
| IL410 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL410 Optotriacs
IL410 Optotriacs
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 250.06 грн |
| 8+ | 150.78 грн |
| 22+ | 141.73 грн |
| IL4118-X017 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL4118-X017 Optotriacs
IL4118-X017 Optotriacs
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.22 грн |
| 6+ | 209.08 грн |
| 16+ | 197.02 грн |
| IL420 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 600V; DIP6; Ch: 1
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.10 грн |
| 10+ | 161.80 грн |
| 50+ | 153.79 грн |
| IL4208 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; DIP6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: without zero voltage crossing driver
Case: DIP6
Trigger current: 2mA
Mounting: THT
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Max. off-state voltage: 6V
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.62 грн |
| 10+ | 160.75 грн |
| 50+ | 151.78 грн |
| IL4208-X007T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optotriacs
Description: Optotriac; 5.3kV; Uout: 800V; triac; Gull wing 6; Ch: 1; 10kV/μs
Type of optocoupler: optotriac
Insulation voltage: 5.3kV
Kind of output: triac
Case: Gull wing 6
Trigger current: 2mA
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Slew rate: 10kV/μs
Output voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 237.07 грн |
| 5+ | 170.15 грн |
| 10+ | 149.77 грн |
| 25+ | 140.72 грн |
| 50+ | 133.69 грн |
| IL4218 |
![]() |
Виробник: VISHAY
IL4218 Optotriacs
IL4218 Optotriacs
на замовлення 325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.83 грн |
| 7+ | 194.00 грн |
| 17+ | 182.94 грн |
| ILD205T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD205T Optocouplers - analog output
ILD205T Optocouplers - analog output
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.62 грн |
| 41+ | 29.75 грн |
| 111+ | 28.14 грн |
| ILD206T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD206T Optocouplers - analog output
ILD206T Optocouplers - analog output
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.47 грн |
| 38+ | 31.46 грн |
| 105+ | 29.75 грн |
| ILD213T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 4kV; Uce: 70V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4kV
CTR@If: 100%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO8
Turn-on time: 6µs
Turn-off time: 5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 4kV; Uce: 70V; SO8
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4kV
CTR@If: 100%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SO8
Turn-on time: 6µs
Turn-off time: 5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.52 грн |
| 5+ | 72.65 грн |
| 10+ | 65.04 грн |
| 50+ | 52.77 грн |
| 100+ | 47.44 грн |
| 500+ | 34.98 грн |
| 1000+ | 29.55 грн |
| ILD223T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD223T Optocouplers - analog output
ILD223T Optocouplers - analog output
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.46 грн |
| 22+ | 55.28 грн |
| 60+ | 52.27 грн |
| ILD615-2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-2 Optocouplers - analog output
ILD615-2 Optocouplers - analog output
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.74 грн |
| 35+ | 34.58 грн |
| 95+ | 32.67 грн |
| ILD621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD621GB Optocouplers - analog output
ILD621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 2037 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.35 грн |
| 33+ | 36.59 грн |
| 90+ | 34.58 грн |
| ILQ2-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.47 грн |
| 15+ | 81.42 грн |
| 41+ | 77.40 грн |
| ILQ30 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
ILQ30 Optocouplers - analog output
на замовлення 493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.98 грн |
| 10+ | 122.63 грн |
| 27+ | 115.60 грн |
| ILQ615-4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 915 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.04 грн |
| 18+ | 69.36 грн |
| 48+ | 65.34 грн |
| ILQ621 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 1041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.96 грн |
| 17+ | 70.36 грн |
| 47+ | 66.34 грн |
| ILQ621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621GB Optocouplers - analog output
ILQ621GB Optocouplers - analog output
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.32 грн |
| 16+ | 78.40 грн |
| 42+ | 74.38 грн |
| IMBD4148-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.98 грн |
| 54+ | 5.80 грн |
| 100+ | 3.84 грн |
| 250+ | 3.00 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 1000+ | 1.96 грн |
| 1500+ | 1.76 грн |
| IMBD4148-HE3-08 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 4.76 грн |
| 100+ | 4.11 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 3000+ | 3.26 грн |
| IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.44 грн |
| 10+ | 45.20 грн |
| 50+ | 40.71 грн |
| 500+ | 36.69 грн |
| 1250+ | 35.18 грн |
| 4000+ | 33.98 грн |
| IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.35 грн |
| 10+ | 61.48 грн |
| 50+ | 48.15 грн |
| 100+ | 44.03 грн |
| 250+ | 39.30 грн |
| 500+ | 36.09 грн |
| 1000+ | 35.18 грн |
| IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.46 грн |
| 7+ | 48.02 грн |
| 10+ | 40.91 грн |
| 50+ | 30.26 грн |
| 100+ | 28.25 грн |
| 500+ | 26.54 грн |
| IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.54 грн |
| 7+ | 46.56 грн |
| 10+ | 41.31 грн |
| 50+ | 35.58 грн |
| 100+ | 34.18 грн |
| 500+ | 32.27 грн |
| IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Gate charge: 26nC
Pulsed drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.52 грн |
| 50+ | 74.11 грн |
| 100+ | 67.35 грн |
| 250+ | 62.32 грн |
| 500+ | 59.31 грн |
| 750+ | 57.30 грн |
| 1000+ | 55.28 грн |
| IRF610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF610PBF THT N channel transistors
IRF610PBF THT N channel transistors
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.36 грн |
| 51+ | 23.72 грн |
| 139+ | 22.42 грн |
| IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.42 грн |
| 10+ | 65.45 грн |
| 50+ | 54.68 грн |
| 100+ | 47.24 грн |
| 250+ | 42.42 грн |
| 500+ | 39.91 грн |
| 1000+ | 36.69 грн |
| IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.78 грн |
| 50+ | 44.47 грн |
| 500+ | 39.40 грн |
| 5000+ | 35.99 грн |
| IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.52 грн |
| 50+ | 59.92 грн |
| 100+ | 54.98 грн |
| 250+ | 51.67 грн |
| 500+ | 49.25 грн |
| 1000+ | 47.24 грн |
| IRF634PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF634PBF THT N channel transistors
IRF634PBF THT N channel transistors
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.58 грн |
| 27+ | 45.23 грн |
| 74+ | 42.22 грн |
| IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.63 грн |
| 10+ | 130.48 грн |
| 50+ | 95.49 грн |
| 100+ | 84.44 грн |
| 250+ | 76.39 грн |
| 500+ | 73.38 грн |
| IRF640PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.47 грн |
| 10+ | 102.30 грн |
| 25+ | 91.47 грн |
| 50+ | 86.45 грн |
| 100+ | 82.42 грн |
| 250+ | 76.39 грн |
| 500+ | 71.37 грн |
| IRF640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 165.62 грн |
| 50+ | 89.77 грн |
| IRF644PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF644PBF THT N channel transistors
IRF644PBF THT N channel transistors
на замовлення 645 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.64 грн |
| 24+ | 50.26 грн |
| 66+ | 47.24 грн |
| IRF644SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF644SPBF SMD N channel transistors
IRF644SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.94 грн |
| 15+ | 81.42 грн |
| 41+ | 76.39 грн |
| IRF710PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.96 грн |
| 50+ | 36.95 грн |
| 1000+ | 29.25 грн |
| IRF710STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.58 грн |
| 10+ | 69.21 грн |
| 100+ | 52.77 грн |
| 800+ | 45.74 грн |
| 1600+ | 44.13 грн |
| 2400+ | 43.22 грн |
| 4000+ | 42.42 грн |
| IRF720PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.1A; Idm: 13A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 13A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.76 грн |
| 10+ | 69.10 грн |
| 50+ | 58.20 грн |
| 100+ | 54.88 грн |
| 500+ | 47.65 грн |
| 1000+ | 44.73 грн |
| 2000+ | 41.92 грн |
| IRF730PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.5A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.87 грн |
| 50+ | 52.40 грн |
| 1000+ | 47.04 грн |
| IRF740ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 974 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.47 грн |
| 10+ | 130.48 грн |
| 50+ | 110.57 грн |
| 250+ | 100.52 грн |
| IRF740APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.52 грн |
| 10+ | 137.79 грн |
| 50+ | 98.51 грн |
| 100+ | 89.46 грн |
| 500+ | 80.41 грн |
| IRF740ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF740ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF740LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.38 грн |
| 10+ | 134.66 грн |
| 25+ | 109.56 грн |
| 50+ | 91.47 грн |
| 100+ | 77.40 грн |
| 500+ | 72.37 грн |
| IRF740PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.74 грн |
| 10+ | 97.08 грн |
| 40+ | 84.44 грн |
| 50+ | 83.43 грн |
| 100+ | 77.40 грн |
| 150+ | 75.39 грн |
| 200+ | 73.38 грн |
| IRF740PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.84 грн |
| 10+ | 91.86 грн |
| 25+ | 84.44 грн |
| 50+ | 80.41 грн |
| 100+ | 78.40 грн |
| IRF740SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 153.72 грн |
| 10+ | 123.17 грн |
| 50+ | 109.56 грн |
| 250+ | 101.52 грн |
| 1000+ | 95.49 грн |
| 2000+ | 92.48 грн |
| IRF820APBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.17 грн |
| 10+ | 70.98 грн |
| 50+ | 57.30 грн |
| 100+ | 55.28 грн |
| 1000+ | 51.26 грн |
| IRF820ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 10A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 969 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.97 грн |
| 10+ | 89.56 грн |
| 50+ | 73.78 грн |
| 100+ | 68.85 грн |
| 250+ | 62.42 грн |
| 500+ | 57.90 грн |
| 1000+ | 53.27 грн |
| IRF820PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.78 грн |
| 10+ | 53.24 грн |
| 50+ | 41.92 грн |
| 100+ | 38.70 грн |
| 250+ | 35.68 грн |
| 500+ | 34.88 грн |
| IRF830ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 134.23 грн |
| 5+ | 116.91 грн |
| 10+ | 107.55 грн |
| 50+ | 95.49 грн |
| 100+ | 90.47 грн |
| 250+ | 84.44 грн |
| 500+ | 78.40 грн |
| IRF830APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.57 грн |
| 10+ | 89.46 грн |
| 50+ | 73.68 грн |
| 100+ | 68.65 грн |
| 250+ | 62.32 грн |
| 500+ | 57.70 грн |
| 1000+ | 53.07 грн |
| IRF830PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 18A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.92 грн |
| 10+ | 61.59 грн |
| 50+ | 50.46 грн |
| 100+ | 48.65 грн |
| 500+ | 45.13 грн |
| 10000+ | 41.61 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Gate charge: 38nC
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.66 грн |
| 50+ | 100.21 грн |
| 100+ | 92.48 грн |
| 250+ | 85.44 грн |
| 500+ | 80.41 грн |
| 750+ | 77.40 грн |
| 1000+ | 75.39 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 39nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 39nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.61 грн |
| 10+ | 112.73 грн |
| 25+ | 96.50 грн |
| 50+ | 89.46 грн |
| 100+ | 83.43 грн |
| 250+ | 77.40 грн |
| 500+ | 75.39 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Gate charge: 63nC
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.58 грн |
| 4+ | 100.21 грн |
| 5+ | 92.48 грн |
| 10+ | 87.45 грн |
| 50+ | 77.40 грн |
| 100+ | 73.38 грн |
| 150+ | 71.37 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Case: D2PAK; TO263
Gate charge: 63nC
On-state resistance: 0.85Ω
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.1A
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 122.32 грн |
| 5+ | 102.30 грн |
| 10+ | 90.47 грн |
| 50+ | 74.38 грн |
| 100+ | 70.36 грн |
| IRF9510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.12 грн |
| 10+ | 43.63 грн |
| 50+ | 37.29 грн |
| 100+ | 35.38 грн |
| 250+ | 32.97 грн |
| 500+ | 31.26 грн |
| 1000+ | 29.55 грн |
















