Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (357587) > Сторінка 1265 з 5960

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9510SPBF IRF9510SPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.56 грн
10+89.77 грн
50+74.48 грн
100+69.46 грн
250+63.02 грн
500+58.00 грн
1000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF VISHAY IRF9530S.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.06 грн
10+68.89 грн
25+57.50 грн
50+55.69 грн
100+52.17 грн
250+50.46 грн
500+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF VISHAY IRF9540PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.90 грн
10+88.73 грн
50+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540SPBF VISHAY IRF9540S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.51 грн
10+119.00 грн
50+98.51 грн
100+92.48 грн
200+85.44 грн
250+83.43 грн
500+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF VISHAY 91080.pdf IRF9610PBF THT P channel transistors
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.62 грн
34+35.88 грн
92+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF VISHAY 91082.pdf IRF9620PBF THT P channel transistors
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.33 грн
26+46.24 грн
72+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF VISHAY IRF9630%2CSiHF9630.pdf IRF9630PBF THT P channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.22 грн
20+61.32 грн
54+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF VISHAY IRF9630S_SiHF9630S.pdf IRF9630SPBF SMD P channel transistors
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.22 грн
21+58.30 грн
57+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24PBF VISHAY IRF9Z24.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.59 грн
50+80.58 грн
100+72.07 грн
250+63.93 грн
500+57.50 грн
750+53.58 грн
1000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.08 грн
5+84.55 грн
10+75.39 грн
50+67.35 грн
500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF VISHAY irf9z34.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.97 грн
10+80.90 грн
50+70.36 грн
100+67.35 грн
250+63.13 грн
500+60.11 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF VISHAY IRF9Z34S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.94 грн
50+102.30 грн
500+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF VISHAY IRFB11N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.16 грн
10+157.62 грн
50+101.52 грн
100+90.47 грн
1000+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF VISHAY irfb17n50l.pdf IRFB17N50LPBF THT N channel transistors
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+377.79 грн
9+143.74 грн
23+135.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+158.04 грн
50+125.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20PBF VISHAY IRFBC20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.76 грн
50+77.56 грн
100+66.74 грн
250+61.62 грн
500+52.97 грн
1000+48.55 грн
2000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.09 грн
10+103.53 грн
50+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.87 грн
10+119.00 грн
25+98.51 грн
50+92.48 грн
100+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+107.17 грн
50+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF VISHAY 91117.pdf IRFBE20PBF THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.65 грн
19+64.33 грн
52+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.47 грн
10+126.30 грн
50+105.54 грн
100+98.51 грн
250+87.45 грн
500+79.41 грн
1000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.14 грн
50+133.61 грн
100+122.63 грн
250+115.60 грн
500+109.56 грн
1000+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.50 грн
18+67.35 грн
49+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF VISHAY 91122.pdf IRFBF30 THT N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.38 грн
17+73.38 грн
45+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF VISHAY sihbg20.pdf IRFBG20PBF THT N channel transistors
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.66 грн
20+61.32 грн
54+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf IRFD9020PBF THT P channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.28 грн
28+44.23 грн
75+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.93 грн
10+72.13 грн
100+59.41 грн
200+56.49 грн
500+52.67 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF IRFD9210PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.92 грн
5+83.92 грн
10+70.06 грн
25+53.98 грн
100+36.19 грн
200+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.26 грн
10+89.77 грн
50+82.42 грн
100+73.38 грн
500+62.32 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf IRFI510GPBF THT N channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.11 грн
28+42.82 грн
77+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY IRFI540G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.01 грн
10+80.38 грн
50+69.36 грн
100+61.32 грн
250+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF VISHAY 91148.pdf IRFI630GPBF THT N channel transistors
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.65 грн
23+53.27 грн
62+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY IRFI644G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.16 грн
50+104.38 грн
100+97.50 грн
250+92.48 грн
500+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF VISHAY sihfi740.pdf IRFI740GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.68 грн
22+54.28 грн
61+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY IRFI830G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+160.21 грн
10+114.82 грн
50+98.51 грн
100+92.48 грн
250+85.44 грн
500+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY IRFI840GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 67nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.39 грн
10+163.88 грн
50+148.77 грн
100+134.69 грн
500+109.56 грн
1000+101.52 грн
2000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY IRFI9530G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.84 грн
25+87.68 грн
50+77.40 грн
100+70.36 грн
250+64.33 грн
500+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF VISHAY irfi9540g.pdf IRFI9540GPBF THT P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.04 грн
14+89.46 грн
37+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF VISHAY irfi9630g.pdf IRFI9630GPBF THT P channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.02 грн
19+63.33 грн
52+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF VISHAY irfi9634g.pdf IRFI9634GPBF THT P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.02 грн
19+65.34 грн
51+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY IRFI9640G.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.40 грн
50+108.56 грн
500+98.51 грн
2000+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34GPBF VISHAY IRFI9Z34G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+80.10 грн
10+69.94 грн
50+63.33 грн
100+62.32 грн
250+61.32 грн
500+59.31 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.64 грн
50+141.96 грн
1000+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF VISHAY 91180.pdf IRFIBC30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+125.57 грн
16+79.41 грн
42+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF VISHAY 91184.pdf IRFIBE30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+159.13 грн
13+96.50 грн
34+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF VISHAY 91185.pdf IRFIBF20GPBF THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.92 грн
13+94.49 грн
35+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48GPBF IRFIZ48GPBF VISHAY IRFIZ48G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.48 грн
5+123.17 грн
10+114.59 грн
50+104.54 грн
100+99.51 грн
250+93.48 грн
500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF VISHAY IRFL014.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.54 грн
10+51.67 грн
20+47.54 грн
40+45.13 грн
100+42.32 грн
200+40.11 грн
500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+57.37 грн
10+46.76 грн
50+40.11 грн
100+38.20 грн
250+35.78 грн
500+34.28 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY IRFL210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.70 грн
10+47.81 грн
100+36.59 грн
250+33.07 грн
500+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY IRFL9014-DTE.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.54 грн
50+49.06 грн
100+44.33 грн
250+40.01 грн
500+36.49 грн
1000+32.97 грн
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY IRFL9110PBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.28 грн
6+58.87 грн
10+52.57 грн
50+43.42 грн
100+39.81 грн
500+32.27 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF VISHAY sihfp048.pdf IRFP048RPBF THT N channel transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+329.08 грн
11+112.58 грн
30+106.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF IRFP054PBF VISHAY IRFP054PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.06 грн
10+279.75 грн
25+244.26 грн
50+227.17 грн
100+213.10 грн
125+209.08 грн
250+198.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF IRFP064PBF VISHAY IRFP064PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.04 грн
1000+247.39 грн
2500+213.10 грн
5000+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF IRFP140PBF VISHAY irfp140.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.85 грн
5+170.15 грн
10+151.78 грн
25+136.70 грн
50+123.64 грн
100+112.58 грн
250+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF IRFP150PBF VISHAY IRFP150PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.60 грн
5+244.26 грн
10+215.11 грн
25+189.98 грн
50+174.90 грн
100+163.84 грн
125+160.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+422.18 грн
10+289.14 грн
25+259.34 грн
50+246.27 грн
100+233.20 грн
125+230.19 грн
200+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF IRFP244PBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.41 грн
5+187.89 грн
10+166.86 грн
25+150.78 грн
50+142.74 грн
100+135.70 грн
125+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+224.08 грн
5+200.42 грн
10+183.95 грн
25+172.89 грн
1000+157.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90FA74E04D8143&compId=IRF9510S.pdf?ci_sign=da5f9f0d1192f1fcac73e28e1769abb28ee49627
IRF9510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W
Case: D2PAK; TO263
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -16A
Drain current: -4A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 43W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.56 грн
10+89.77 грн
50+74.48 грн
100+69.46 грн
250+63.02 грн
500+58.00 грн
1000+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description IRF9530S.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.06 грн
10+68.89 грн
25+57.50 грн
50+55.69 грн
100+52.17 грн
250+50.46 грн
500+48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540PBF IRF9540PBF.pdf
IRF9540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.90 грн
10+88.73 грн
50+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540S.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.51 грн
10+119.00 грн
50+98.51 грн
100+92.48 грн
200+85.44 грн
250+83.43 грн
500+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610PBF 91080.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9610PBF THT P channel transistors
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.62 грн
34+35.88 грн
92+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9620PBF 91082.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9620PBF THT P channel transistors
на замовлення 718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.33 грн
26+46.24 грн
72+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630PBF IRF9630%2CSiHF9630.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9630PBF THT P channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.22 грн
20+61.32 грн
54+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
Виробник: VISHAY
IRF9630SPBF SMD P channel transistors
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.22 грн
21+58.30 грн
57+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24PBF IRF9Z24.pdf
IRF9Z24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.59 грн
50+80.58 грн
100+72.07 грн
250+63.93 грн
500+57.50 грн
750+53.58 грн
1000+50.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24S.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.08 грн
5+84.55 грн
10+75.39 грн
50+67.35 грн
500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34PBF irf9z34.pdf
IRF9Z34PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.97 грн
10+80.90 грн
50+70.36 грн
100+67.35 грн
250+63.13 грн
500+60.11 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34S.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.94 грн
50+102.30 грн
500+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB11N50APBF IRFB11N50APBF.pdf
IRFB11N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.16 грн
10+157.62 грн
50+101.52 грн
100+90.47 грн
1000+86.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB17N50LPBF irfb17n50l.pdf
Виробник: VISHAY
IRFB17N50LPBF THT N channel transistors
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+377.79 грн
9+143.74 грн
23+135.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB9N60APBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A6CEDAB5E0469&compId=IRFB9N60APBF.pdf?ci_sign=82f44d4d943ac0e0c629cc76acf8996fc666f9d4
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 885 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.04 грн
50+125.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC20PBF IRFBC20.pdf
IRFBC20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.76 грн
50+77.56 грн
100+66.74 грн
250+61.62 грн
500+52.97 грн
1000+48.55 грн
2000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.09 грн
10+103.53 грн
50+95.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.87 грн
10+119.00 грн
25+98.51 грн
50+92.48 грн
100+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.17 грн
50+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF 91117.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBE20PBF THT N channel transistors
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.65 грн
19+64.33 грн
52+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 648 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.47 грн
10+126.30 грн
50+105.54 грн
100+98.51 грн
250+87.45 грн
500+79.41 грн
1000+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.14 грн
50+133.61 грн
100+122.63 грн
250+115.60 грн
500+109.56 грн
1000+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 925 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.50 грн
18+67.35 грн
49+64.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF 91122.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF30 THT N channel transistors
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.38 грн
17+73.38 грн
45+69.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF sihbg20.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBG20PBF THT N channel transistors
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.66 грн
20+61.32 грн
54+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9020PBF THT P channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.28 грн
28+44.23 грн
75+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF irfd9110.pdf
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.93 грн
10+72.13 грн
100+59.41 грн
200+56.49 грн
500+52.67 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A482F2942300D2&compId=irfd9210.pdf?ci_sign=af6eda42cb6a95db7fd983107888411cde1b2422
IRFD9210PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.25A; 1W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.25A
Gate charge: 8.9nC
On-state resistance: 3Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.92 грн
5+83.92 грн
10+70.06 грн
25+53.98 грн
100+36.19 грн
200+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF.pdf
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.26 грн
10+89.77 грн
50+82.42 грн
100+73.38 грн
500+62.32 грн
1000+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI510GPBF THT N channel transistors
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.11 грн
28+42.82 грн
77+40.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540G.pdf
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 48W
Gate charge: 72nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.01 грн
10+80.38 грн
50+69.36 грн
100+61.32 грн
250+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF 91148.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI630GPBF THT N channel transistors
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.65 грн
23+53.27 грн
62+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644G.pdf
IRFI644GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.16 грн
50+104.38 грн
100+97.50 грн
250+92.48 грн
500+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF sihfi740.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI740GPBF THT N channel transistors
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.68 грн
22+54.28 грн
61+51.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830G.pdf
IRFI830GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 35W
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.21 грн
10+114.82 грн
50+98.51 грн
100+92.48 грн
250+85.44 грн
500+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF.pdf
IRFI840GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 67nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.39 грн
10+163.88 грн
50+148.77 грн
100+134.69 грн
500+109.56 грн
1000+101.52 грн
2000+96.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530G.pdf
IRFI9530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 38nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.84 грн
25+87.68 грн
50+77.40 грн
100+70.36 грн
250+64.33 грн
500+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9540GPBF irfi9540g.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI9540GPBF THT P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.04 грн
14+89.46 грн
37+85.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9630GPBF irfi9630g.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI9630GPBF THT P channel transistors
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.02 грн
19+63.33 грн
52+59.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9634GPBF irfi9634g.pdf
Виробник: VISHAY
IRFI9634GPBF THT P channel transistors
на замовлення 391 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.02 грн
19+65.34 грн
51+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9640GPBF description IRFI9640G.pdf
IRFI9640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Gate charge: 44nC
On-state resistance: 0.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 40W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.40 грн
50+108.56 грн
500+98.51 грн
2000+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9Z34GPBF IRFI9Z34G.pdf
IRFI9Z34GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.10 грн
10+69.94 грн
50+63.33 грн
100+62.32 грн
250+61.32 грн
500+59.31 грн
1000+57.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60A.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.64 грн
50+141.96 грн
1000+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBC30GPBF 91180.pdf
Виробник: VISHAY
IRFIBC30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.57 грн
16+79.41 грн
42+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: VISHAY
IRFIBE30GPBF THT N channel transistors
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.13 грн
13+96.50 грн
34+91.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBF20GPBF 91185.pdf
Виробник: VISHAY
IRFIBF20GPBF THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.92 грн
13+94.49 грн
35+89.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ48GPBF IRFIZ48G.pdf
IRFIZ48GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 50W
Gate charge: 110nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.48 грн
5+123.17 грн
10+114.59 грн
50+104.54 грн
100+99.51 грн
250+93.48 грн
500+88.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014.pdf
IRFL014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
10+51.67 грн
20+47.54 грн
40+45.13 грн
100+42.32 грн
200+40.11 грн
500+36.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110PBF.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.37 грн
10+46.76 грн
50+40.11 грн
100+38.20 грн
250+35.78 грн
500+34.28 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.70 грн
10+47.81 грн
100+36.59 грн
250+33.07 грн
500+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF description IRFL9014-DTE.pdf
IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
50+49.06 грн
100+44.33 грн
250+40.01 грн
500+36.49 грн
1000+32.97 грн
2500+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.28 грн
6+58.87 грн
10+52.57 грн
50+43.42 грн
100+39.81 грн
500+32.27 грн
1000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP048RPBF sihfp048.pdf
Виробник: VISHAY
IRFP048RPBF THT N channel transistors
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.08 грн
11+112.58 грн
30+106.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054PBF IRFP054PBF.pdf
IRFP054PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.06 грн
10+279.75 грн
25+244.26 грн
50+227.17 грн
100+213.10 грн
125+209.08 грн
250+198.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064PBF IRFP064PBF.pdf
IRFP064PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.04 грн
1000+247.39 грн
2500+213.10 грн
5000+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140PBF irfp140.pdf
IRFP140PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.85 грн
5+170.15 грн
10+151.78 грн
25+136.70 грн
50+123.64 грн
100+112.58 грн
250+99.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150PBF IRFP150PBF.pdf
IRFP150PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.60 грн
5+244.26 грн
10+215.11 грн
25+189.98 грн
50+174.90 грн
100+163.84 грн
125+160.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.18 грн
10+289.14 грн
25+259.34 грн
50+246.27 грн
100+233.20 грн
125+230.19 грн
200+222.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP244PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8B264E39866469&compId=IRFP244PBF.pdf?ci_sign=728bb25c17a7c6c5adb2974fabf65c2499b27929
IRFP244PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.41 грн
5+187.89 грн
10+166.86 грн
25+150.78 грн
50+142.74 грн
100+135.70 грн
125+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.08 грн
5+200.42 грн
10+183.95 грн
25+172.89 грн
1000+157.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 596 1192 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1788 2384 2980 3576 4172 4768 5364 5960  [ Наступна Сторінка >> ]