| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFUC20PBF | VISHAY |
IRFUC20PBF THT N channel transistors |
на замовлення 198 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 939 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ24PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 479 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 67nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFZ48RPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 50A Pulsed drain current: 291A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRL510PBF | VISHAY |
IRL510PBF THT N channel transistors |
на замовлення 506 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRL640PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 241 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRL640SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRL640STRLPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLI640GPBF | VISHAY |
IRLI640GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRLIZ44GPBF | VISHAY |
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLL110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.93A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 760mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 519 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR014PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A On-state resistance: 0.28Ω Gate charge: 8.4nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR110PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 17A On-state resistance: 0.54Ω Gate charge: 6.1nC Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRLR120TRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRLU014PBF | VISHAY |
IRLU014PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRLZ44PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 28mΩ Gate-source voltage: ±10V Gate charge: 66nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UH5 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Terminal pitch: 5mm Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6271 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K10X7RF5UL2 | VISHAY |
Category: Ceramic capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Mounting: THT Tolerance: ±10% Terminal pitch: 2.5mm Operating temperature: -55...125°C Dielectric: X7R кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13508 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
K104K15X7RF5TH5 | VISHAY |
Category: MLCC THT capacitorsDescription: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm Type of capacitor: ceramic Capacitance: 0.1µF Operating voltage: 50V Dielectric: X7R Tolerance: ±10% Mounting: THT Operating temperature: -55...125°C Terminal pitch: 5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBL02-E4/51 | VISHAY |
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL04-E4/51 | VISHAY |
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL06-E4/51 | VISHAY |
KBL06-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL08-E4/51 | VISHAY |
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 105 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBL10-E4/51 | VISHAY |
KBL10-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4D-E4/51 | VISHAY |
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 204 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU4K-E4/51 | VISHAY |
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU6M-E4/51 | VISHAY |
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 312 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8B-E4/51 | VISHAY |
KBU8B-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8D-E4/51 | VISHAY |
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 64 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8G-E4/51 | VISHAY |
KBU8G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8J-E4/51 | VISHAY |
KBU8J-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| KBU8K-E4/51 | VISHAY |
KBU8K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KMKP 900-2,2IA | VISHAY |
Category: THT Film CapacitorsDescription: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10% Type of capacitor: polypropylene Capacitance: 2.2µF Body dimensions: Ø35x72mm Tolerance: ±10% Height: 72mm Diameter: 35mm Max. operating current: 16A Operating voltage: 900V AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LH1540AT | VISHAY |
Category: One Phase Solid State RelaysDescription: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase Type of relay: solid state Contacts configuration: SPST-NO Switched voltage: max. 350V Relay variant: 1-phase Manufacturer series: LH Mounting: THT Operating temperature: -40...85°C Release time: 50µs Operate time: 130µs Control current max.: 50mA Max. operating current: 120mA On-state resistance: 22Ω Case: DIP6 Insulation voltage: 5.3kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL101A-GS08 | VISHAY |
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 14795 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL101C-GS08 | VISHAY |
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 2142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LL103A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns Type of diode: Schottky switching Case: MiniMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL103B-GS08 | VISHAY |
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 2160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL103C-GS08 | VISHAY |
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL41-GS08 | VISHAY |
LL41-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 3237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LL4148-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Power dissipation: 0.5W Max. load current: 0.5A Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1781292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LL4148-GS18 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 13 inch reel Power dissipation: 0.5W Max. load current: 0.5A Quantity in set/package: 10000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14888 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL4148-M-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 8ns; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A; Ir: 5uA Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.3A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Leakage current: 5µA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL4150GS08 | VISHAY |
LL4150GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL4151-GS08 | VISHAY |
LL4151-GS08 SMD universal diodes |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL4154-M-18 | VISHAY |
LL4154-M-18 SMD universal diodes |
на замовлення 13318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL42-GS08 | VISHAY |
LL42-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LL43-GS08 | VISHAY |
LL43-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 3084 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LL4448-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: MiniMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.93V Max. load current: 0.5A Max. forward impulse current: 2A Power dissipation: 0.5W Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LL46-GS08 | VISHAY |
LL46-GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 5224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LS103A-GS08 | VISHAY |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW Type of diode: Schottky switching Case: QuadroMELF; SOD80 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 0.6V Max. forward impulse current: 15A Kind of package: 7 inch reel Capacitance: 50pF Reverse recovery time: 10ns Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.4W Quantity in set/package: 2500pcs. Features of semiconductor devices: small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LS4148-GS08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 8ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 4pF Case: QuadroMELF; SOD80 Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 2A Kind of package: 7 inch reel Leakage current: 5µA Power dissipation: 0.5W Max. load current: 0.5A Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 732 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LS4150GS08 | VISHAY |
LS4150GS08 SMD Schottky diodes |
на замовлення 3950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| LS4448GS08 | VISHAY |
LS4448GS08 SMD universal diodes |
на замовлення 4893 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LTO030F4R700JTE3 | VISHAY |
Category: Power resistorsDescription: Resistor: thick film; THT; 4.7Ω; 30W; ±5%; 500V; 12.7x0.8x0.6mm Type of resistor: thick film Resistance: 4.7Ω Power: 30W Tolerance: ±5% Operating voltage: 500V Temperature coefficient: 150ppm/°C Body dimensions: 10.4x16.2x3.2mm Leads dimensions: 12.7x0.8x0.6mm Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LTO030FR1000JTE3 | VISHAY |
LTO030FR1000JTE3 Power resistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
LTO100F100R0JTE3 | VISHAY |
Category: Power resistorsDescription: Resistor: thick film; THT; TO247; 100Ω; 100W; ±5%; 500V; -55÷155°C Case: TO247 Operating temperature: -55...155°C Tolerance: ±5% Power without heatsink: 3.5W Resistance: 100Ω Power: 0.1kW Operating voltage: 500V Mounting: THT Resistor features: needs additional heatsink Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W Type of resistor: thick film кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
LTO100F10R00FTE3 | VISHAY |
Category: Power resistorsDescription: Resistor: thick film; THT; TO247; 10Ω; 100W; ±1%; 500V; -55÷155°C Case: TO247 Operating temperature: -55...155°C Tolerance: ±1% Power without heatsink: 3.5W Resistance: 10Ω Power: 0.1kW Operating voltage: 500V Mounting: THT Resistor features: needs additional heatsink Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W Type of resistor: thick film кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LVB1560-M3/45 | VISHAY |
LVB1560-M3/45 Flat single phase diode bridge rectif. |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IRFUC20PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFUC20PBF THT N channel transistors
IRFUC20PBF THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.36 грн |
| 26+ | 46.34 грн |
| 71+ | 43.83 грн |
| IRFZ14PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 939 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.36 грн |
| 50+ | 39.56 грн |
| 1000+ | 31.26 грн |
| IRFZ24PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.08 грн |
| 10+ | 69.31 грн |
| 50+ | 59.21 грн |
| 100+ | 56.09 грн |
| 250+ | 51.97 грн |
| 500+ | 48.85 грн |
| 1000+ | 45.74 грн |
| IRFZ44PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.64 грн |
| 5+ | 119.00 грн |
| 25+ | 86.45 грн |
| 50+ | 82.42 грн |
| IRFZ48RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.64 грн |
| 50+ | 144.05 грн |
| 100+ | 128.66 грн |
| 250+ | 116.60 грн |
| 500+ | 108.56 грн |
| 1000+ | 103.53 грн |
| IRL510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRL510PBF THT N channel transistors
IRL510PBF THT N channel transistors
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.25 грн |
| 36+ | 33.47 грн |
| 99+ | 31.66 грн |
| IRL640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.90 грн |
| 10+ | 92.90 грн |
| 50+ | 78.40 грн |
| 100+ | 75.39 грн |
| 250+ | 74.38 грн |
| IRL640SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL640STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.28 грн |
| 10+ | 125.26 грн |
| 100+ | 95.49 грн |
| 250+ | 88.46 грн |
| 500+ | 84.44 грн |
| 800+ | 82.42 грн |
| 2400+ | 77.40 грн |
| IRLI640GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLI640GPBF THT N channel transistors
IRLI640GPBF THT N channel transistors
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.12 грн |
| 16+ | 78.40 грн |
| 42+ | 74.38 грн |
| IRLIZ44GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
IRLIZ44GPBF THT N channel transistors
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.35 грн |
| 11+ | 116.60 грн |
| 29+ | 109.56 грн |
| IRLL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 519 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.95 грн |
| 50+ | 53.76 грн |
| 100+ | 48.45 грн |
| 250+ | 43.62 грн |
| 500+ | 39.81 грн |
| 1000+ | 35.78 грн |
| 2500+ | 30.56 грн |
| IRLR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
On-state resistance: 0.28Ω
Gate charge: 8.4nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.36 грн |
| 10+ | 45.72 грн |
| 20+ | 39.00 грн |
| 50+ | 34.78 грн |
| 75+ | 33.57 грн |
| 300+ | 31.66 грн |
| IRLR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 17A
On-state resistance: 0.54Ω
Gate charge: 6.1nC
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.12 грн |
| 10+ | 44.68 грн |
| 75+ | 39.50 грн |
| 525+ | 36.09 грн |
| 2025+ | 33.77 грн |
| 5025+ | 32.27 грн |
| 11250+ | 30.86 грн |
| IRLR120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.94 грн |
| 9+ | 39.04 грн |
| 25+ | 33.27 грн |
| 100+ | 29.85 грн |
| 500+ | 28.45 грн |
| IRLU014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRLU014PBF THT N channel transistors
IRLU014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.23 грн |
| 40+ | 30.46 грн |
| 108+ | 28.75 грн |
| IRLZ44PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 28mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.47 грн |
| 10+ | 111.69 грн |
| 50+ | 96.50 грн |
| 100+ | 92.48 грн |
| 250+ | 86.45 грн |
| 500+ | 83.43 грн |
| 750+ | 80.41 грн |
| K104K10X7RF5UH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6271 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.39 грн |
| 21+ | 15.14 грн |
| 50+ | 7.27 грн |
| 100+ | 5.96 грн |
| 250+ | 4.81 грн |
| 500+ | 4.47 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |
| K104K10X7RF5UL2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Terminal pitch: 2.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Ceramic capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 2.5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Mounting: THT
Tolerance: ±10%
Terminal pitch: 2.5mm
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: X7R
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.83 грн |
| 29+ | 11.01 грн |
| 50+ | 7.78 грн |
| 100+ | 6.83 грн |
| 500+ | 5.24 грн |
| 1000+ | 4.75 грн |
| 2500+ | 4.27 грн |
| K104K15X7RF5TH5 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MLCC THT capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100nF; 50V; X7R; ±10%; THT; 5mm
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1µF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: THT
Operating temperature: -55...125°C
Terminal pitch: 5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8047 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.32 грн |
| 39+ | 8.14 грн |
| 50+ | 6.21 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| 250+ | 4.90 грн |
| 500+ | 4.41 грн |
| 1000+ | 3.98 грн |
| KBL02-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL02-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.31 грн |
| 8+ | 157.81 грн |
| 21+ | 148.77 грн |
| KBL04-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL04-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.17 грн |
| 8+ | 151.78 грн |
| 22+ | 143.74 грн |
| KBL06-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL06-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL06-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 324.75 грн |
| 6+ | 199.03 грн |
| 17+ | 188.97 грн |
| KBL08-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL08-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.49 грн |
| 9+ | 137.71 грн |
| 24+ | 130.67 грн |
| KBL10-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBL10-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBL10-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 424.34 грн |
| 8+ | 162.84 грн |
| 21+ | 153.79 грн |
| KBU4D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.92 грн |
| 8+ | 169.88 грн |
| 20+ | 160.83 грн |
| KBU4K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU4K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.81 грн |
| 8+ | 168.87 грн |
| 20+ | 159.82 грн |
| KBU6M-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU6M-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.99 грн |
| 6+ | 221.14 грн |
| 15+ | 209.08 грн |
| KBU8B-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8B-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8B-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.09 грн |
| 5+ | 271.40 грн |
| 13+ | 256.32 грн |
| 250+ | 255.74 грн |
| KBU8D-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8D-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 439.50 грн |
| 5+ | 239.23 грн |
| 14+ | 226.17 грн |
| KBU8G-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8G-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.22 грн |
| 5+ | 269.39 грн |
| 13+ | 254.31 грн |
| KBU8J-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8J-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8J-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.60 грн |
| 6+ | 205.06 грн |
| 16+ | 194.00 грн |
| KBU8K-E4/51 |
![]() |
Виробник: VISHAY
KBU8K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
KBU8K-E4/51 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.64 грн |
| 5+ | 239.23 грн |
| 14+ | 226.17 грн |
| KMKP 900-2,2IA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Body dimensions: Ø35x72mm
Tolerance: ±10%
Height: 72mm
Diameter: 35mm
Max. operating current: 16A
Operating voltage: 900V AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 2.2uF; 900VAC; 16A; Ø35x72mm; ±10%
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 2.2µF
Body dimensions: Ø35x72mm
Tolerance: ±10%
Height: 72mm
Diameter: 35mm
Max. operating current: 16A
Operating voltage: 900V AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5142.96 грн |
| 5+ | 4568.88 грн |
| 10+ | 4144.35 грн |
| 20+ | 4007.65 грн |
| 50+ | 3926.23 грн |
| LH1540AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Manufacturer series: LH
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 22Ω
Case: DIP6
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 120mA; LH; 1-phase
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Switched voltage: max. 350V
Relay variant: 1-phase
Manufacturer series: LH
Mounting: THT
Operating temperature: -40...85°C
Release time: 50µs
Operate time: 130µs
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
On-state resistance: 22Ω
Case: DIP6
Insulation voltage: 5.3kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 216.50 грн |
| 10+ | 192.07 грн |
| 50+ | 160.83 грн |
| 100+ | 136.70 грн |
| 500+ | 113.59 грн |
| LL101A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes
LL101A-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 14795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.94 грн |
| 381+ | 3.14 грн |
| 1046+ | 2.97 грн |
| LL101C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes
LL101C-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 6.32 грн |
| 307+ | 3.89 грн |
| 844+ | 3.68 грн |
| LL103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 40V; 0.2A; 10ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.16 грн |
| 33+ | 9.50 грн |
| 50+ | 6.77 грн |
| 100+ | 5.95 грн |
| 500+ | 4.47 грн |
| 1000+ | 3.97 грн |
| 2500+ | 3.44 грн |
| LL103B-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes
LL103B-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.37 грн |
| 334+ | 3.58 грн |
| 917+ | 3.39 грн |
| LL103C-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes
LL103C-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.46 грн |
| 320+ | 3.73 грн |
| 880+ | 3.53 грн |
| LL41-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL41-GS08 SMD Schottky diodes
LL41-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.49 грн |
| 225+ | 5.31 грн |
| 618+ | 5.03 грн |
| 2500+ | 5.01 грн |
| LL4148-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1781292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.33 грн |
| 116+ | 2.71 грн |
| 228+ | 1.33 грн |
| 500+ | 0.64 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 2500+ | 0.42 грн |
| 5000+ | 0.41 грн |
| LL4148-GS18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 10000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 10000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 3.50 грн |
| 150+ | 2.09 грн |
| 160+ | 1.89 грн |
| 177+ | 1.71 грн |
| 193+ | 1.57 грн |
| 500+ | 1.06 грн |
| 1000+ | 0.85 грн |
| LL4148-M-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 8ns; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.3A; 8ns; Ufmax: 1V; Ifsm: 2A; Ir: 5uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Leakage current: 5µA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 4.33 грн |
| 120+ | 2.61 грн |
| 169+ | 1.79 грн |
| 250+ | 1.66 грн |
| 500+ | 1.58 грн |
| 1000+ | 1.43 грн |
| 2500+ | 1.40 грн |
| LL4150GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL4150GS08 SMD Schottky diodes
LL4150GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.07 грн |
| 575+ | 2.08 грн |
| 1580+ | 1.96 грн |
| LL4151-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL4151-GS08 SMD universal diodes
LL4151-GS08 SMD universal diodes
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.24 грн |
| 617+ | 1.94 грн |
| 1695+ | 1.83 грн |
| LL4154-M-18 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL4154-M-18 SMD universal diodes
LL4154-M-18 SMD universal diodes
на замовлення 13318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 1.70 грн |
| LL42-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL42-GS08 SMD Schottky diodes
LL42-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 24.68 грн |
| 464+ | 2.57 грн |
| 1276+ | 2.43 грн |
| LL43-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL43-GS08 SMD Schottky diodes
LL43-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 3084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.33 грн |
| 411+ | 2.90 грн |
| 1130+ | 2.74 грн |
| LL4448-GS08 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.93V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; MiniMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: MiniMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.93V
Max. load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.66 грн |
| 58+ | 5.43 грн |
| 100+ | 3.78 грн |
| 250+ | 3.23 грн |
| 500+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.42 грн |
| 2500+ | 1.91 грн |
| LL46-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LL46-GS08 SMD Schottky diodes
LL46-GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 5224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.16 грн |
| 267+ | 4.48 грн |
| 733+ | 4.23 грн |
| LS103A-GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW
Type of diode: Schottky switching
Case: QuadroMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; QuadroMELF,SOD80; SMD; 40V; 10ns; 400mW
Type of diode: Schottky switching
Case: QuadroMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: 7 inch reel
Capacitance: 50pF
Reverse recovery time: 10ns
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.4W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Features of semiconductor devices: small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.72 грн |
| 10+ | 31.32 грн |
| 50+ | 10.76 грн |
| 100+ | 9.75 грн |
| 500+ | 7.44 грн |
| 1000+ | 6.53 грн |
| 2500+ | 5.63 грн |
| LS4148-GS08 | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: QuadroMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 8ns; QuadroMELF,SOD80; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 8ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 4pF
Case: QuadroMELF; SOD80
Max. forward voltage: 0.86V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 5µA
Power dissipation: 0.5W
Max. load current: 0.5A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.66 грн |
| 66+ | 4.80 грн |
| 87+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.14 грн |
| 250+ | 2.71 грн |
| 500+ | 2.45 грн |
| 2500+ | 1.95 грн |
| LS4150GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LS4150GS08 SMD Schottky diodes
LS4150GS08 SMD Schottky diodes
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.21 грн |
| 488+ | 2.45 грн |
| 1341+ | 2.31 грн |
| LS4448GS08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LS4448GS08 SMD universal diodes
LS4448GS08 SMD universal diodes
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.28 грн |
| 664+ | 1.80 грн |
| 1826+ | 1.70 грн |
| LTO030F4R700JTE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; 4.7Ω; 30W; ±5%; 500V; 12.7x0.8x0.6mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7Ω
Power: 30W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 500V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Body dimensions: 10.4x16.2x3.2mm
Leads dimensions: 12.7x0.8x0.6mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; 4.7Ω; 30W; ±5%; 500V; 12.7x0.8x0.6mm
Type of resistor: thick film
Resistance: 4.7Ω
Power: 30W
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 500V
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Body dimensions: 10.4x16.2x3.2mm
Leads dimensions: 12.7x0.8x0.6mm
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.34 грн |
| 50+ | 215.03 грн |
| LTO030FR1000JTE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LTO030FR1000JTE3 Power resistors
LTO030FR1000JTE3 Power resistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 402.69 грн |
| 4+ | 349.80 грн |
| 10+ | 330.70 грн |
| LTO100F100R0JTE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; TO247; 100Ω; 100W; ±5%; 500V; -55÷155°C
Case: TO247
Operating temperature: -55...155°C
Tolerance: ±5%
Power without heatsink: 3.5W
Resistance: 100Ω
Power: 0.1kW
Operating voltage: 500V
Mounting: THT
Resistor features: needs additional heatsink
Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W
Type of resistor: thick film
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; TO247; 100Ω; 100W; ±5%; 500V; -55÷155°C
Case: TO247
Operating temperature: -55...155°C
Tolerance: ±5%
Power without heatsink: 3.5W
Resistance: 100Ω
Power: 0.1kW
Operating voltage: 500V
Mounting: THT
Resistor features: needs additional heatsink
Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W
Type of resistor: thick film
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 614.86 грн |
| 3+ | 563.67 грн |
| 5+ | 515.66 грн |
| 10+ | 438.26 грн |
| 30+ | 344.78 грн |
| LTO100F10R00FTE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; TO247; 10Ω; 100W; ±1%; 500V; -55÷155°C
Case: TO247
Operating temperature: -55...155°C
Tolerance: ±1%
Power without heatsink: 3.5W
Resistance: 10Ω
Power: 0.1kW
Operating voltage: 500V
Mounting: THT
Resistor features: needs additional heatsink
Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W
Type of resistor: thick film
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power resistors
Description: Resistor: thick film; THT; TO247; 10Ω; 100W; ±1%; 500V; -55÷155°C
Case: TO247
Operating temperature: -55...155°C
Tolerance: ±1%
Power without heatsink: 3.5W
Resistance: 10Ω
Power: 0.1kW
Operating voltage: 500V
Mounting: THT
Resistor features: needs additional heatsink
Recommended heatsink: thermal resistance 0,5 K/W
Type of resistor: thick film
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 725.28 грн |
| 10+ | 624.22 грн |
| 20+ | 549.83 грн |
| 30+ | 516.66 грн |
| 60+ | 469.42 грн |
| 120+ | 451.33 грн |
| LVB1560-M3/45 |
![]() |
Виробник: VISHAY
LVB1560-M3/45 Flat single phase diode bridge rectif.
LVB1560-M3/45 Flat single phase diode bridge rectif.
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 500.12 грн |
| 5+ | 292.51 грн |
| 12+ | 276.42 грн |





















