| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP254PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 407 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFP340PBF | VISHAY |
IRFP340PBF THT N channel transistors |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP350PBF | VISHAY |
IRFP350PBF THT N channel transistors |
на замовлення 161 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFP440PBF | VISHAY |
IRFP440PBF THT N channel transistors |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFP450APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP450LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP450PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP460APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFP460PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP9240PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFPC40PBF | VISHAY |
IRFPC40PBF THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC50APBF | VISHAY | IRFPC50APBF THT N channel transistors |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC50PBF | VISHAY | IRFPC50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC60LCPBF | VISHAY |
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPC60PBF | VISHAY |
IRFPC60PBF THT N channel transistors |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFPE40PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFPE50PBF | VISHAY |
IRFPE50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 131 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFPF50PBF | VISHAY |
IRFPF50PBF THT N channel transistors |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFPG30PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 80nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 462 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFPG40PBF | VISHAY |
IRFPG40PBF THT N channel transistors |
на замовлення 289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFPG50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR014PBF | VISHAY |
IRFR014PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR024PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR110PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4908 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR120PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Drain current: 4.9A Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 42W Drain-source voltage: 100V Gate charge: 16nC Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 703 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR1N60APBF | VISHAY |
IRFR1N60APBF SMD N channel transistors |
на замовлення 126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR210PBF | VISHAY |
IRFR210PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 268 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR220PBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR224PBF | VISHAY |
IRFR224PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR310PBF | VISHAY |
IRFR310PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR320PBF | VISHAY |
IRFR320PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 719 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR320TRLPBF | VISHAY |
IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR420APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.1A Power dissipation: 83W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17nC Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR420PBF | VISHAY |
IRFR420PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR420TRPBF | VISHAY |
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR430APBF | VISHAY |
IRFR430APBF SMD N channel transistors |
на замовлення 1186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR9014PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9024PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Pulsed drain current: -35A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 272 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFR9110PBF | VISHAY |
IRFR9110PBF SMD P channel transistors |
на замовлення 808 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFR9120PBF | VISHAY |
IRFR9120PBF SMD P channel transistors |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFR9220PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 143 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9220TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.3A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9310PBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 685 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFR9310TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -400V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -7.2A Power dissipation: 50W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFRC20PBF | VISHAY |
IRFRC20PBF SMD N channel transistors |
на замовлення 2070 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFS11N50APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 52nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS9N60APBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5.8A Power dissipation: 170W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 49nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFSL11N50APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 190W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 51nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 459 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU024PBF | VISHAY |
IRFU024PBF THT N channel transistors |
на замовлення 215 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU120PBF | VISHAY |
IRFU120PBF THT N channel transistors |
на замовлення 919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU220PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU320PBF | VISHAY |
IRFU320PBF THT N channel transistors |
на замовлення 599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU420PBF | VISHAY |
IRFU420PBF THT N channel transistors |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFU9014PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251 Kind of package: tube Case: IPAK; TO251 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.2A Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.5Ω Power dissipation: 25W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 852 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFU9024PBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.6A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 159 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFU9110PBF | VISHAY |
IRFU9110PBF THT P channel transistors |
на замовлення 504 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9120PBF | VISHAY |
IRFU9120PBF THT P channel transistors |
на замовлення 1629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFU9310PBF | VISHAY |
IRFU9310PBF THT P channel transistors |
на замовлення 2146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| IRFP254PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.79 грн |
| 10+ | 218.16 грн |
| 25+ | 194.00 грн |
| 50+ | 180.93 грн |
| 100+ | 168.87 грн |
| 125+ | 164.85 грн |
| 250+ | 151.78 грн |
| IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 270.62 грн |
| 25+ | 233.82 грн |
| 50+ | 213.10 грн |
| 100+ | 205.06 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.10 грн |
| 10+ | 337.16 грн |
| 25+ | 294.52 грн |
| 50+ | 276.42 грн |
| 100+ | 260.34 грн |
| 125+ | 254.31 грн |
| 375+ | 235.21 грн |
| IRFP340PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP340PBF THT N channel transistors
IRFP340PBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 359.39 грн |
| 10+ | 129.67 грн |
| 26+ | 122.63 грн |
| IRFP350PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP350PBF THT N channel transistors
IRFP350PBF THT N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.10 грн |
| 9+ | 144.75 грн |
| 23+ | 136.70 грн |
| IRFP440PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFP440PBF THT N channel transistors
IRFP440PBF THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.36 грн |
| 9+ | 137.71 грн |
| 24+ | 130.67 грн |
| IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.01 грн |
| 10+ | 251.57 грн |
| 25+ | 213.10 грн |
| 50+ | 194.00 грн |
| 100+ | 180.93 грн |
| 500+ | 164.85 грн |
| IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.92 грн |
| 5+ | 191.02 грн |
| 10+ | 159.82 грн |
| 25+ | 146.76 грн |
| 50+ | 143.74 грн |
| IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.64 грн |
| 5+ | 195.20 грн |
| 10+ | 155.80 грн |
| 25+ | 113.59 грн |
| 100+ | 107.55 грн |
| IRFP460APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP460PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.58 грн |
| 10+ | 301.67 грн |
| 25+ | 272.40 грн |
| 50+ | 256.32 грн |
| 100+ | 237.22 грн |
| 200+ | 217.12 грн |
| 250+ | 210.08 грн |
| IRFP9240PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 864 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.53 грн |
| 5+ | 129.44 грн |
| 10+ | 104.54 грн |
| 25+ | 96.50 грн |
| 50+ | 92.48 грн |
| 100+ | 89.46 грн |
| 250+ | 86.45 грн |
| IRFPC40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC40PBF THT N channel transistors
IRFPC40PBF THT N channel transistors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 525.01 грн |
| 10+ | 130.67 грн |
| 26+ | 122.63 грн |
| IRFPC50APBF |
Виробник: VISHAY
IRFPC50APBF THT N channel transistors
IRFPC50APBF THT N channel transistors
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.78 грн |
| 8+ | 165.85 грн |
| 20+ | 156.81 грн |
| IRFPC50PBF |
Виробник: VISHAY
IRFPC50PBF THT N channel transistors
IRFPC50PBF THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 445.99 грн |
| 8+ | 165.85 грн |
| 20+ | 155.80 грн |
| IRFPC60LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
IRFPC60LCPBF THT N channel transistors
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 435.16 грн |
| 5+ | 245.26 грн |
| 14+ | 232.20 грн |
| IRFPC60PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPC60PBF THT N channel transistors
IRFPC60PBF THT N channel transistors
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.46 грн |
| 6+ | 231.19 грн |
| 15+ | 218.12 грн |
| IRFPE40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 357.22 грн |
| 10+ | 245.30 грн |
| 25+ | 208.07 грн |
| 100+ | 173.90 грн |
| 200+ | 157.81 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPE50PBF THT N channel transistors
IRFPE50PBF THT N channel transistors
на замовлення 131 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 261.96 грн |
| 7+ | 184.95 грн |
| 18+ | 174.90 грн |
| 2000+ | 174.32 грн |
| IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPF50PBF THT N channel transistors
IRFPF50PBF THT N channel transistors
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 414.60 грн |
| 6+ | 214.10 грн |
| 16+ | 203.05 грн |
| IRFPG30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.04 грн |
| 25+ | 136.74 грн |
| IRFPG40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPG40PBF THT N channel transistors
IRFPG40PBF THT N channel transistors
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.06 грн |
| 7+ | 172.89 грн |
| 19+ | 163.84 грн |
| IRFPG50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.04 грн |
| 10+ | 201.46 грн |
| 25+ | 175.91 грн |
| 50+ | 166.86 грн |
| 100+ | 158.82 грн |
| 250+ | 154.80 грн |
| 500+ | 151.78 грн |
| IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR014PBF SMD N channel transistors
IRFR014PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.27 грн |
| 47+ | 25.53 грн |
| 129+ | 24.12 грн |
| IRFR024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.87 грн |
| 10+ | 54.59 грн |
| 75+ | 40.91 грн |
| 150+ | 37.39 грн |
| 300+ | 35.99 грн |
| IRFR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.69 грн |
| 10+ | 54.18 грн |
| 75+ | 41.41 грн |
| 150+ | 37.79 грн |
| 300+ | 35.78 грн |
| 375+ | 34.68 грн |
| 525+ | 32.57 грн |
| IRFR120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 42W
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 16nC
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.46 грн |
| 20+ | 40.81 грн |
| 75+ | 37.29 грн |
| 525+ | 34.28 грн |
| 1050+ | 33.17 грн |
| 3000+ | 31.46 грн |
| 6000+ | 30.46 грн |
| IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR1N60APBF SMD N channel transistors
IRFR1N60APBF SMD N channel transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.57 грн |
| 28+ | 43.32 грн |
| 76+ | 40.91 грн |
| IRFR210PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR210PBF SMD N channel transistors
IRFR210PBF SMD N channel transistors
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.74 грн |
| 37+ | 32.27 грн |
| 102+ | 30.56 грн |
| IRFR220PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.54 грн |
| 10+ | 51.15 грн |
| 75+ | 36.29 грн |
| 150+ | 32.57 грн |
| 300+ | 29.95 грн |
| 525+ | 28.45 грн |
| 1050+ | 28.14 грн |
| IRFR224PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR224PBF SMD N channel transistors
IRFR224PBF SMD N channel transistors
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.44 грн |
| 34+ | 36.19 грн |
| 91+ | 34.18 грн |
| IRFR310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR310PBF SMD N channel transistors
IRFR310PBF SMD N channel transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 78.16 грн |
| 34+ | 35.88 грн |
| 92+ | 33.98 грн |
| IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR320PBF SMD N channel transistors
IRFR320PBF SMD N channel transistors
на замовлення 719 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.21 грн |
| 35+ | 34.48 грн |
| 96+ | 32.57 грн |
| IRFR320TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
IRFR320TRLPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 83.79 грн |
| 33+ | 36.79 грн |
| 90+ | 34.78 грн |
| IRFR420APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.1A; Idm: 10A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.22 грн |
| 5+ | 105.85 грн |
| 10+ | 85.64 грн |
| 25+ | 68.96 грн |
| 50+ | 60.71 грн |
| 75+ | 57.19 грн |
| 150+ | 52.97 грн |
| IRFR420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420PBF SMD N channel transistors
IRFR420PBF SMD N channel transistors
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.30 грн |
| 32+ | 38.10 грн |
| 87+ | 35.99 грн |
| IRFR420TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
IRFR420TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.02 грн |
| 37+ | 32.37 грн |
| 102+ | 30.56 грн |
| IRFR430APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR430APBF SMD N channel transistors
IRFR430APBF SMD N channel transistors
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.59 грн |
| 34+ | 35.78 грн |
| 92+ | 33.77 грн |
| IRFR9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; Idm: -20A; 25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.80 грн |
| 50+ | 43.21 грн |
| 75+ | 40.11 грн |
| 150+ | 36.89 грн |
| 525+ | 32.87 грн |
| IRFR9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.92 грн |
| 5+ | 79.96 грн |
| 10+ | 67.45 грн |
| 25+ | 56.89 грн |
| 50+ | 50.86 грн |
| 75+ | 48.15 грн |
| 150+ | 44.33 грн |
| IRFR9110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
IRFR9110PBF SMD P channel transistors
на замовлення 808 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.92 грн |
| 41+ | 29.55 грн |
| 111+ | 27.94 грн |
| IRFR9120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR9120PBF SMD P channel transistors
IRFR9120PBF SMD P channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.32 грн |
| 34+ | 35.88 грн |
| 92+ | 33.98 грн |
| IRFR9220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.93 грн |
| 10+ | 80.69 грн |
| 50+ | 61.01 грн |
| 75+ | 56.19 грн |
| 525+ | 49.35 грн |
| IRFR9220TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.3A; Idm: -14A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.44 грн |
| 250+ | 70.77 грн |
| 500+ | 62.42 грн |
| 1000+ | 55.39 грн |
| 2000+ | 47.34 грн |
| 4000+ | 38.80 грн |
| 6000+ | 33.67 грн |
| IRFR9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.98 грн |
| 10+ | 67.43 грн |
| 75+ | 57.40 грн |
| 150+ | 53.07 грн |
| 525+ | 46.74 грн |
| 1050+ | 43.83 грн |
| 2025+ | 41.61 грн |
| IRFR9310TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -400V; -1.1A; Idm: -7.2A; 50W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -400V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -7.2A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.74 грн |
| 5+ | 89.56 грн |
| 10+ | 78.81 грн |
| 50+ | 63.73 грн |
| 100+ | 58.10 грн |
| 500+ | 46.64 грн |
| 1000+ | 42.42 грн |
| IRFRC20PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFRC20PBF SMD N channel transistors
IRFRC20PBF SMD N channel transistors
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.22 грн |
| 31+ | 38.80 грн |
| 85+ | 36.69 грн |
| IRFS11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 52nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.98 грн |
| 5+ | 186.85 грн |
| 10+ | 163.84 грн |
| 50+ | 135.70 грн |
| IRFS9N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 163.46 грн |
| 10+ | 141.96 грн |
| 50+ | 124.64 грн |
| IRFSL11N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 190W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 190W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 51nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 459 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.53 грн |
| 3+ | 154.49 грн |
| 10+ | 132.68 грн |
| 50+ | 118.61 грн |
| 250+ | 110.57 грн |
| IRFU024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU024PBF THT N channel transistors
IRFU024PBF THT N channel transistors
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.38 грн |
| 32+ | 37.39 грн |
| 88+ | 35.28 грн |
| IRFU120PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU120PBF THT N channel transistors
IRFU120PBF THT N channel transistors
на замовлення 919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.75 грн |
| 28+ | 42.82 грн |
| 77+ | 40.51 грн |
| IRFU220PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.52 грн |
| 10+ | 57.62 грн |
| 25+ | 47.24 грн |
| 75+ | 41.51 грн |
| 150+ | 39.60 грн |
| IRFU320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU320PBF THT N channel transistors
IRFU320PBF THT N channel transistors
на замовлення 599 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.96 грн |
| 36+ | 33.37 грн |
| 99+ | 31.56 грн |
| IRFU420PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU420PBF THT N channel transistors
IRFU420PBF THT N channel transistors
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.34 грн |
| 36+ | 33.17 грн |
| 100+ | 31.16 грн |
| IRFU9014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.2A; 25W; IPAK,TO251
Kind of package: tube
Case: IPAK; TO251
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.2A
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.5Ω
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.86 грн |
| 10+ | 57.20 грн |
| 75+ | 47.95 грн |
| 150+ | 46.04 грн |
| 375+ | 43.73 грн |
| 1050+ | 41.51 грн |
| 5025+ | 38.70 грн |
| IRFU9024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.78 грн |
| 10+ | 58.56 грн |
| 75+ | 51.06 грн |
| 150+ | 49.25 грн |
| 300+ | 47.54 грн |
| 525+ | 46.04 грн |
| 750+ | 45.23 грн |
| IRFU9110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9110PBF THT P channel transistors
IRFU9110PBF THT P channel transistors
на замовлення 504 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.17 грн |
| 43+ | 28.04 грн |
| 118+ | 26.44 грн |
| IRFU9120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9120PBF THT P channel transistors
IRFU9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.74 грн |
| 38+ | 32.17 грн |
| 104+ | 30.16 грн |
| IRFU9310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFU9310PBF THT P channel transistors
IRFU9310PBF THT P channel transistors
на замовлення 2146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 180.99 грн |
| 31+ | 38.70 грн |
| 85+ | 36.59 грн |








