Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (362622) > Сторінка 3379 з 6044

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1812 2416 3020 3374 3375 3376 3377 3378 3379 3380 3381 3382 3383 3384 3624 4228 4832 5436 6040 6044  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRCW06035K10FKEAHP CRCW06035K10FKEAHP VISHAY 3924202.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+5.09 грн
250+3.39 грн
500+3.07 грн
1000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y473JXAAC VJ1206Y473JXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.64 грн
50+19.90 грн
250+13.46 грн
500+8.57 грн
1500+7.22 грн
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY vjcommercialseries.pdf Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104JXAAT VJ1206Y104JXAAT VISHAY 2878570.pdf Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+17.02 грн
63+13.46 грн
250+10.75 грн
500+7.26 грн
1500+6.05 грн
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MAL209637152E3 MAL209637152E3 VISHAY VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5501.07 грн
3+4872.71 грн
5+4373.08 грн
10+3640.80 грн
20+3072.57 грн
50+2784.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY 3672812.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+137.19 грн
10+87.22 грн
100+58.69 грн
500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY VISH-S-A0001224394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0056 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.31 грн
10+143.12 грн
100+115.17 грн
500+85.71 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.17 грн
500+85.71 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6l.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.19 грн
500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MKT1817210404 MKT1817210404 VISHAY mkt1817.pdf Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 200V
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VY1220K31U2JQ6TV0 VY1220K31U2JQ6TV0 VISHAY VISH-S-A0014510894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.51 грн
71+11.94 грн
73+11.60 грн
100+8.81 грн
200+7.62 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
AY1681M35Y5UC63L0 AY1681M35Y5UC63L0 VISHAY 4330016.pdf Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.83 грн
50+29.55 грн
100+20.07 грн
250+18.09 грн
500+16.11 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
F340X153348MPP2T0 F340X153348MPP2T0 VISHAY VISH-S-A0020332144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+976.41 грн
5+834.14 грн
10+691.87 грн
20+629.87 грн
40+569.08 грн
63+557.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C3302FB300 MMU01020C3302FB300 VISHAY 2278511.pdf Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+6.06 грн
152+5.60 грн
250+5.13 грн
500+3.45 грн
1500+3.12 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IMC0805ER100J01 IMC0805ER100J01 VISHAY VISH-S-A0001785452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.62 грн
250+11.01 грн
500+9.91 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080540K0FKEA CRCW080540K0FKEA VISHAY VISH-S-A0023700354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 44730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.69 грн
1000+1.35 грн
2500+1.07 грн
5000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.87 грн
50+74.27 грн
250+62.92 грн
500+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP0603R0500FEA WSLP0603R0500FEA VISHAY VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.91 грн
100+35.57 грн
500+31.67 грн
1000+27.05 грн
2500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.27 грн
250+62.92 грн
500+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T55V336M025C0050 T55V336M025C0050 VISHAY t55.pdf Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+139.73 грн
12+73.93 грн
50+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP5050CEER100M01 IHLP5050CEER100M01 VISHAY VISH-S-A0025625206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.23 грн
11+83.50 грн
50+76.72 грн
100+64.95 грн
200+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V10PM45HM3/H V10PM45HM3/H VISHAY v10pm45.pdf Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.84 грн
500+21.62 грн
1000+18.58 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VS-18TQ045S-M3 VS-18TQ045S-M3 VISHAY vs-18tq035s-m3.pdf Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.16 грн
10+138.03 грн
100+108.40 грн
500+84.93 грн
1000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY 3257149.pdf Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+286.23 грн
10+198.16 грн
100+142.27 грн
500+97.51 грн
1000+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+249.82 грн
10+176.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.37 грн
10+116.02 грн
100+78.76 грн
500+58.35 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.76 грн
500+58.35 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY sidr402dp.pdf Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+211.71 грн
10+156.67 грн
100+108.40 грн
500+81.78 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.03 грн
50+60.04 грн
100+40.99 грн
500+30.67 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.48 грн
10+94.00 грн
100+76.22 грн
500+63.14 грн
1000+52.26 грн
5000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY sqjq410el.pdf Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50034E_GE3 SQM50034E_GE3 VISHAY 2795476.pdf Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.20 грн
10+112.63 грн
100+81.38 грн
500+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+40.48 грн
22+39.89 грн
100+28.79 грн
500+23.12 грн
1000+19.38 грн
5000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY 3672806.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+221.02 грн
10+143.12 грн
100+105.01 грн
500+76.67 грн
1000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6_GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.45 грн
10+111.78 грн
100+76.98 грн
500+53.79 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L_GE3 SQD100N04-3M6L_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6l.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+141.42 грн
10+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.84 грн
10+137.19 грн
100+95.69 грн
500+76.91 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.90 грн
20+42.34 грн
100+33.03 грн
500+25.64 грн
1000+20.18 грн
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY siss46dn.pdf Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.57 грн
500+49.54 грн
1000+42.97 грн
5000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY sish892bdn.pdf Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.03 грн
16+54.28 грн
100+36.75 грн
500+30.04 грн
1000+23.52 грн
5000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.63 грн
21+40.39 грн
100+27.78 грн
500+24.38 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 VISHAY 2838128.pdf Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.28 грн
500+76.22 грн
2000+71.21 грн
4000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.82 грн
500+22.65 грн
1000+16.69 грн
3000+15.46 грн
6000+15.17 грн
12000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.68 грн
500+36.64 грн
1500+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY sidr680dp.pdf Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.14 грн
10+157.51 грн
25+142.27 грн
100+117.95 грн
500+90.73 грн
1000+89.28 грн
3000+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.78 грн
500+24.38 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.11 грн
500+24.22 грн
1000+18.80 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.33 грн
500+106.16 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+246.13 грн
500+176.38 грн
2000+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.06 грн
50+148.20 грн
100+125.33 грн
500+106.16 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 VISHAY sqd70140el.pdf Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.40 грн
10+90.61 грн
100+66.39 грн
500+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CA-E3/57T SMCJ15CA-E3/57T VISHAY VISH-S-A0020274178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.35 грн
31+27.44 грн
100+24.05 грн
500+20.76 грн
1000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMP24A-M3/84A SMP24A-M3/84A VISHAY VISH-S-A0015178121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+21.09 грн
63+13.46 грн
108+7.86 грн
500+7.22 грн
1000+6.60 грн
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K33CA-M3/57 SMC3K33CA-M3/57 VISHAY smc3k22ca.pdf Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEAHP 3924202.pdf
CRCW06035K10FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
167+5.09 грн
250+3.39 грн
500+3.07 грн
1000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 167
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y473JXAAC vjcommercialseries.pdf
VJ1206Y473JXAAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.64 грн
50+19.90 грн
250+13.46 грн
500+8.57 грн
1500+7.22 грн
3000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC vjcommercialseries.pdf
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104JXAAT 2878570.pdf
VJ1206Y104JXAAT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.02 грн
63+13.46 грн
250+10.75 грн
500+7.26 грн
1500+6.05 грн
3000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MAL209637152E3 VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAL209637152E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5501.07 грн
3+4872.71 грн
5+4373.08 грн
10+3640.80 грн
20+3072.57 грн
50+2784.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 3672812.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+137.19 грн
10+87.22 грн
100+58.69 грн
500+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 VISH-S-A0001224394-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0056 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.31 грн
10+143.12 грн
100+115.17 грн
500+85.71 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 3500 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.17 грн
500+85.71 грн
1000+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 sqd50n04-5m6l.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.19 грн
500+50.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MKT1817210404 mkt1817.pdf
MKT1817210404
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 200V
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VY1220K31U2JQ6TV0 VISH-S-A0014510894-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VY1220K31U2JQ6TV0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+26.51 грн
71+11.94 грн
73+11.60 грн
100+8.81 грн
200+7.62 грн
500+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
AY1681M35Y5UC63L0 4330016.pdf
AY1681M35Y5UC63L0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.83 грн
50+29.55 грн
100+20.07 грн
250+18.09 грн
500+16.11 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
F340X153348MPP2T0 VISH-S-A0020332144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F340X153348MPP2T0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+976.41 грн
5+834.14 грн
10+691.87 грн
20+629.87 грн
40+569.08 грн
63+557.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C3302FB300 2278511.pdf
MMU01020C3302FB300
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 62037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
140+6.06 грн
152+5.60 грн
250+5.13 грн
500+3.45 грн
1500+3.12 грн
3000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
IMC0805ER100J01 VISH-S-A0001785452-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IMC0805ER100J01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.62 грн
250+11.01 грн
500+9.91 грн
1000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080540K0FKEA VISH-S-A0023700354-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CRCW080540K0FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 44730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.69 грн
1000+1.35 грн
2500+1.07 грн
5000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.87 грн
50+74.27 грн
250+62.92 грн
500+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP0603R0500FEA VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSLP0603R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.91 грн
100+35.57 грн
500+31.67 грн
1000+27.05 грн
2500+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA VISH-S-A0016133496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.27 грн
250+62.92 грн
500+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T55V336M025C0050 t55.pdf
T55V336M025C0050
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+139.73 грн
12+73.93 грн
50+70.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP5050CEER100M01 VISH-S-A0025625206-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IHLP5050CEER100M01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.23 грн
11+83.50 грн
50+76.72 грн
100+64.95 грн
200+58.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
V10PM45HM3/H v10pm45.pdf
V10PM45HM3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.84 грн
500+21.62 грн
1000+18.58 грн
5000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VS-18TQ045S-M3 vs-18tq035s-m3.pdf
VS-18TQ045S-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 45V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.16 грн
10+138.03 грн
100+108.40 грн
500+84.93 грн
1000+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 3257149.pdf
SUM70042E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+286.23 грн
10+198.16 грн
100+142.27 грн
500+97.51 грн
1000+86.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.82 грн
10+176.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+169.37 грн
10+116.02 грн
100+78.76 грн
500+58.35 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 VISH-S-A0004852706-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.76 грн
500+58.35 грн
1000+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 sidr402dp.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 880µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+211.71 грн
10+156.67 грн
100+108.40 грн
500+81.78 грн
1000+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.03 грн
50+60.04 грн
100+40.99 грн
500+30.67 грн
1000+25.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.48 грн
10+94.00 грн
100+76.22 грн
500+63.14 грн
1000+52.26 грн
5000+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 3400 µohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50034E_GE3 2795476.pdf
SQM50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.20 грн
10+112.63 грн
100+81.38 грн
500+66.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613189-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.234 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.234ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.48 грн
22+39.89 грн
100+28.79 грн
500+23.12 грн
1000+19.38 грн
5000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3 3672806.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.02 грн
10+143.12 грн
100+105.01 грн
500+76.67 грн
1000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6_GE3 sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.45 грн
10+111.78 грн
100+76.98 грн
500+53.79 грн
1000+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L_GE3 sqd100n04-3m6l.pdf
SQD100N04-3M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 3600 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+141.42 грн
10+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 3400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.84 грн
10+137.19 грн
100+95.69 грн
500+76.91 грн
1000+67.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
SIA416DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.90 грн
20+42.34 грн
100+33.03 грн
500+25.64 грн
1000+20.18 грн
5000+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 siss46dn.pdf
SISS46DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0128 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0128ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.57 грн
500+49.54 грн
1000+42.97 грн
5000+40.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
SISH892BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.03 грн
16+54.28 грн
100+36.75 грн
500+30.04 грн
1000+23.52 грн
5000+21.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.63 грн
21+40.39 грн
100+27.78 грн
500+24.38 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 2838128.pdf
SQD50034EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.28 грн
500+76.22 грн
2000+71.21 грн
4000+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.82 грн
500+22.65 грн
1000+16.69 грн
3000+15.46 грн
6000+15.17 грн
12000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 VISH-S-A0010613188-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.68 грн
500+36.64 грн
1500+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.14 грн
10+157.51 грн
25+142.27 грн
100+117.95 грн
500+90.73 грн
1000+89.28 грн
3000+87.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.78 грн
500+24.38 грн
1000+21.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.11 грн
500+24.22 грн
1000+18.80 грн
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.33 грн
500+106.16 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+246.13 грн
500+176.38 грн
2000+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.06 грн
50+148.20 грн
100+125.33 грн
500+106.16 грн
1000+84.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.40 грн
10+90.61 грн
100+66.39 грн
500+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CA-E3/57T VISH-S-A0020274178-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ15CA-E3/57T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.35 грн
31+27.44 грн
100+24.05 грн
500+20.76 грн
1000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMP24A-M3/84A VISH-S-A0015178121-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMP24A-M3/84A
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMP24A-M3/84A - TVS-Diode, TRANSZORB eSMP, Unidirektional, 24 V, 38.9 V, SMD, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SMD
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 400W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB eSMP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38.9V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+21.09 грн
63+13.46 грн
108+7.86 грн
500+7.22 грн
1000+6.60 грн
5000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
SMC3K33CA-M3/57 smc3k22ca.pdf
SMC3K33CA-M3/57
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMC3K33CA-M3/57 - TVS-Diode, TRANSZORB SMC3K, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 3kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMC3K
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 604 1208 1812 2416 3020 3374 3375 3376 3377 3378 3379 3380 3381 3382 3383 3384 3624 4228 4832 5436 6040 6044  [ Наступна Сторінка >> ]