Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (234779) > Сторінка 3382 з 3913

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 391 782 1173 1564 1955 2346 2737 3128 3377 3378 3379 3380 3381 3382 3383 3384 3385 3386 3387 3519 3910 3913  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WSBE8518L1000JKA2 WSBE8518L1000JKA2 VISHAY wsbeseries.pdf Description: VISHAY - WSBE8518L1000JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBE Series, 3307 [Metrisch 8518], 36 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3307 [Metrisch 8518]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
isCanonical: Y
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2029.54 грн
10+1519.51 грн
20+1489.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSBS8536L0250JK20 WSBS8536L0250JK20 VISHAY VISH-S-A0025250056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1885.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSBS8536L0500JK14 WSBS8536L0500JK14 VISHAY VISH-S-A0025250111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK14 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-14 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 175ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-14 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1670.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPF21R0000FKE14. CPF21R0000FKE14. VISHAY 2045686.pdf Description: VISHAY - CPF21R0000FKE14. - METAL FILM RESISTOR, 1 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.16 грн
10+155.37 грн
25+132.59 грн
50+104.99 грн
100+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-90EPS08L-M3 VS-90EPS08L-M3 VISHAY vs-90epsl-m3.pdf Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+429.50 грн
10+230.20 грн
100+200.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0550 TR3D106K050C0550 VISHAY tr3.pdf Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.11 грн
10+176.52 грн
50+170.01 грн
100+150.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS TP3D106K050C0550AS VISHAY VISH-S-A0024282169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.28 грн
10+126.90 грн
50+104.12 грн
100+89.89 грн
200+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
593D106X9050E8T 593D106X9050E8T VISHAY 3457704.pdf Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.91 грн
400+218.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS TP3D106K050C0550AS VISHAY 2899270.pdf Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0450 TR3D106K050C0450 VISHAY tr3.pdf Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+270.06 грн
10+193.60 грн
25+186.28 грн
50+167.69 грн
100+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.86 грн
10+92.73 грн
100+61.66 грн
500+48.49 грн
1000+41.42 грн
5000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHD3EB103L IHD3EB103L VISHAY 2050685.pdf Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.25 грн
10+777.65 грн
25+671.90 грн
50+577.08 грн
100+472.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP1206R0150FEA. WSLP1206R0150FEA. VISHAY Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.90 грн
25+34.98 грн
50+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EF-GE3 SIHA22N60EF-GE3 VISHAY VISH-S-A0010124977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.84 грн
10+222.88 грн
100+160.25 грн
500+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215299705E3 MAL215299705E3 VISHAY 2875167.pdf Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.83 грн
5+288.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTCS0805E3104SMT NTCS0805E3104SMT VISHAY VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: No
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.32 грн
500+37.42 грн
1000+33.31 грн
2000+29.14 грн
4000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y474KXAAT VJ1812Y474KXAAT VISHAY VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.29 грн
10+146.42 грн
100+110.63 грн
500+95.93 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+210.68 грн
50+156.99 грн
100+113.07 грн
500+85.35 грн
1500+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.32 грн
10+145.61 грн
100+107.37 грн
500+83.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.17 грн
10+115.51 грн
25+104.12 грн
100+84.60 грн
500+67.84 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+236.71 грн
50+158.62 грн
100+111.44 грн
500+84.60 грн
1500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.06 грн
10+116.32 грн
100+89.48 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.28 грн
13+63.37 грн
100+40.43 грн
500+31.35 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.94 грн
10+123.64 грн
100+108.19 грн
500+81.58 грн
1000+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.27 грн
500+50.46 грн
1500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.48 грн
10+142.35 грн
100+98.43 грн
500+68.21 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.89 грн
10+126.08 грн
100+87.85 грн
500+69.26 грн
1000+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.64 грн
10+144.79 грн
100+117.14 грн
500+92.91 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 SIR668ADP-T1-RE3 VISHAY sir668adp.pdf Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.99 грн
500+72.51 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 VISHAY 2816254.pdf Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.63 грн
500+95.93 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 SIR580DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.48 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 SIR680DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+111.44 грн
500+84.60 грн
1500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 SIR638DP-T1-GE3 VISHAY sir638dp.pdf Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.60 грн
500+67.84 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 SIRA80DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.74 грн
500+58.46 грн
1000+49.71 грн
5000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.08 грн
500+46.53 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 SIHD3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+40.43 грн
500+31.35 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.30 грн
10+129.34 грн
100+94.36 грн
500+70.40 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 SIR510DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.36 грн
500+70.40 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 SIR570DP-T1-RE3 VISHAY 3194653.pdf Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.14 грн
500+92.91 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 SIR680LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+113.07 грн
500+85.35 грн
1500+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+117.14 грн
25+96.80 грн
100+80.82 грн
500+68.75 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 VISHAY sira20dp.pdf Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 SIR668DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+98.43 грн
500+68.21 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.37 грн
500+83.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A5R6CXACW1BC VJ0603A5R6CXACW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+3.57 грн
314+2.59 грн
500+1.94 грн
1000+1.70 грн
2000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603D5R6CXPAJ VJ0603D5R6CXPAJ VISHAY VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100JXGAT5Z VJ1206A100JXGAT5Z VISHAY 3965981.pdf Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20101K00JNEF-DEL CRCW20101K00JNEF-DEL VISHAY Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.20 грн
33+25.14 грн
50+17.49 грн
100+9.14 грн
250+8.16 грн
500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20102R00JNEF CRCW20102R00JNEF VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+3.34 грн
278+2.93 грн
334+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+8.46 грн
121+6.73 грн
500+5.72 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y473JXQPW1BC VJ0603Y473JXQPW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+3.09 грн
363+2.25 грн
500+1.68 грн
2500+1.26 грн
7500+0.91 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC VJ0603Y564KXQCW1BC VISHAY 2878571.pdf Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.57 грн
500+8.95 грн
1000+6.85 грн
2000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.87 грн
500+75.01 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 SI4497DY-T1-GE3 VISHAY si4497dy.pdf Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.80 грн
50+146.42 грн
100+100.87 грн
500+75.01 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A470KXBPW1BC VJ1206A470KXBPW1BC VISHAY 2620235.pdf Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.26 грн
108+7.57 грн
500+6.10 грн
2500+5.06 грн
7500+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54. 1.5KE18A-E3/54. VISHAY VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.92 грн
100+40.83 грн
500+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 SI7949DP-T1-GE3 VISHAY 73130.pdf Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.76 грн
10+109.81 грн
100+80.61 грн
500+54.99 грн
1000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3 SIZ342ADT-T1-GE3 VISHAY 2898284.pdf Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.67 грн
18+46.85 грн
100+30.91 грн
500+22.36 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WSBE8518L1000JKA2 wsbeseries.pdf
WSBE8518L1000JKA2
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBE8518L1000JKA2 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 100 µohm, WSBE Series, 3307 [Metrisch 8518], 36 W, ± 5%
tariffCode: 85332900
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3307 [Metrisch 8518]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 36W
isCanonical: Y
Widerstand: 100µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 18mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2029.54 грн
10+1519.51 грн
20+1489.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSBS8536L0250JK20 VISH-S-A0025250056-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSBS8536L0250JK20
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0250JK20 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 25 µohm, WSBS8536-20 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 25µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-20 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1885.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSBS8536L0500JK14 VISH-S-A0025250111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSBS8536L0500JK14
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSBS8536L0500JK14 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 50 µohm, WSBS8536-14 Series, 3314 [Metrisch 8536], 50 W
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 3314 [Metrisch 8536]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50W
Widerstand: 50µohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 175ppm/°C
Produktlänge: 85mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSBS8536-14 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 36mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1670.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CPF21R0000FKE14. 2045686.pdf
CPF21R0000FKE14.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CPF21R0000FKE14. - METAL FILM RESISTOR, 1 OHM, 2W, 1%
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial Leaded
Widerstandstechnologie: Metal Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 2W
Widerstandstyp: High Power, Precision
Widerstand: 1ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 10.8mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CPF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 3.68mm
Betriebstemperatur, max.: 230°C
Produktbreite: -
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.16 грн
10+155.37 грн
25+132.59 грн
50+104.99 грн
100+89.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-90EPS08L-M3 vs-90epsl-m3.pdf
VS-90EPS08L-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-90EPS08L-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 90 A, Einfach, 1.2 V, 915 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 915A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+429.50 грн
10+230.20 грн
100+200.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0550 tr3.pdf
TR3D106K050C0550
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0550 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, TANTAMOUNT®, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+261.11 грн
10+176.52 грн
50+170.01 грн
100+150.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS VISH-S-A0024282169-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TP3D106K050C0550AS
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 50 V, 2917 [Metrisch 7343], ± 10%, 0.55 ohm, D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+186.28 грн
10+126.90 грн
50+104.12 грн
100+89.89 грн
200+78.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
593D106X9050E8T 3457704.pdf
593D106X9050E8T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D106X9050E8T - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE E
tariffCode: 0
Produkthöhe: 4mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.55ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 550mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.91 грн
400+218.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TP3D106K050C0550AS 2899270.pdf
TP3D106K050C0550AS
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TP3D106K050C0550AS - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 0
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 520mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TP3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
TR3D106K050C0450 tr3.pdf
TR3D106K050C0450
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR3D106K050C0450 - CAP, 10UF, 50V, TANT, CASE D
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 2.8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [7343 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 0
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.45ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 50V
Rippelstrom: 580mA
Produktpalette: TANTAMOUNT TR3 Series
Hersteller-Größencode: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 4.3mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.06 грн
10+193.60 грн
25+186.28 грн
50+167.69 грн
100+135.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50N04-8M8P-4GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 8800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 48655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.86 грн
10+92.73 грн
100+61.66 грн
500+48.49 грн
1000+41.42 грн
5000+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHD3EB103L 2050685.pdf
IHD3EB103L
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHD3EB103L - INDUCTOR, 10MH, 250MA, AXIAL LEADED
tariffCode: 85339000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Induktivitätstoleranz: 0
Induktivität: 10mH
euEccn: NLR
DC-Nennstrom: 250mA
DC-Widerstand, max.: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Produktpalette: IHD Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+814.25 грн
10+777.65 грн
25+671.90 грн
50+577.08 грн
100+472.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP1206R0150FEA.
WSLP1206R0150FEA.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP1206R0150FEA. - RESISTOR, CURRENT SENSE, 0.015 OHM, 1W 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [3216 Metric]
Widerstandstechnologie: Metal Strip
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.90 грн
25+34.98 грн
50+33.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA22N60EF-GE3 VISH-S-A0010124977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHA22N60EF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHA22N60EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.182 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+292.84 грн
10+222.88 грн
100+160.25 грн
500+122.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215299705E3 2875167.pdf
MAL215299705E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL215299705E3 - Aluminium-Elektrolytkondensatoren, SMD, Becher, radial - SMD, 15 µF, 450 V
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 22mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Becher, radial - SMD
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 6000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): -
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 15µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 110mA
Produktpalette: 152 CME Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 16mm
Kondensatoranschlüsse: Lötanschlüsse
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+340.83 грн
5+288.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTCS0805E3104SMT VISH-S-A0013031991-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTCS0805E3104SMT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - NTCS0805E3104SMT - NTC-Thermistor, 100 kOhm, Baureihe NTCS, 3590 K, SMD, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85334010
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Thermistor: NTC
Bauform - Thermistor: 0805 [Metrisch 2012]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Fühlerdurchmesser: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
Widerstand (25°C): 100kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Thermische Zeitkonstante (in Luft): -
Anschlusslänge: -
NTC-Montage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
B-Konstante: 3590K
Toleranz B-Konstante: ±1%
NTC-Gehäusegröße: 0805 [Metrisch 2012]
Produktpalette: NTCS0805E3 Series
productTraceability: No
Widerstandstoleranz (25°C): ±1%
Fühlermaterial: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.32 грн
500+37.42 грн
1000+33.31 грн
2000+29.14 грн
4000+27.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1812Y474KXAAT VISH-S-A0024904092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1812Y474KXAAT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y474KXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.47 µF, 50 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.58mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.47µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.29 грн
10+146.42 грн
100+110.63 грн
500+95.93 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.68 грн
50+156.99 грн
100+113.07 грн
500+85.35 грн
1500+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.32 грн
10+145.61 грн
100+107.37 грн
500+83.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 730µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.17 грн
10+115.51 грн
25+104.12 грн
100+84.60 грн
500+67.84 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+236.71 грн
50+158.62 грн
100+111.44 грн
500+84.60 грн
1500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.06 грн
10+116.32 грн
100+89.48 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.28 грн
13+63.37 грн
100+40.43 грн
500+31.35 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+165.94 грн
10+123.64 грн
100+108.19 грн
500+81.58 грн
1000+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA90DP-T1-GE3 VISH-S-A0002523144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA90DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA90DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.27 грн
500+50.46 грн
1500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.48 грн
10+142.35 грн
100+98.43 грн
500+68.21 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
SIR668ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.89 грн
10+126.08 грн
100+87.85 грн
500+69.26 грн
1000+60.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+171.64 грн
10+144.79 грн
100+117.14 грн
500+92.91 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668ADP-T1-RE3 sir668adp.pdf
SIR668ADP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 93.6 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 11381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.99 грн
500+72.51 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA99DP-T1-GE3 2816254.pdf
SIRA99DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA99DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 195 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.63 грн
500+95.93 грн
1000+81.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR580DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629303-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR580DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.0027 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+89.48 грн
500+66.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+111.44 грн
500+84.60 грн
1500+75.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR638DP-T1-GE3 sir638dp.pdf
SIR638DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR638DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.60 грн
500+67.84 грн
1000+60.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA80DP-T1-RE3 VISH-S-A0013439338-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA80DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA80DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 620 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.74 грн
500+58.46 грн
1000+49.71 грн
5000+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD5N50D-GE3 VISH-S-A0009403020-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD5N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.08 грн
500+46.53 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIHD3N50D-GE3 VISH-S-A0012662111-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHD3N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHD3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
150+40.43 грн
500+31.35 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+151.30 грн
10+129.34 грн
100+94.36 грн
500+70.40 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3 VISH-S-A0024282161-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR510DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.36 грн
500+70.40 грн
1000+63.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3 3194653.pdf
SIR570DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+117.14 грн
500+92.91 грн
1000+74.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3 VISH-S-A0019740026-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR680LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 36695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+113.07 грн
500+85.35 грн
1500+78.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR872ADP-T1-GE3 VISH-S-A0000184592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR872ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR872ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 53.7 A, 0.0148 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0148ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+117.14 грн
25+96.80 грн
100+80.82 грн
500+68.75 грн
1000+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3 sira20dp.pdf
SIRA20DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3 VISH-S-A0003320274-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR668DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 14018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+98.43 грн
500+68.21 грн
1000+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 VISH-S-A0019859687-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA00DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.37 грн
500+83.84 грн
1000+66.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A5R6CXACW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603A5R6CXACW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603A5R6CXACW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 50 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+3.57 грн
314+2.59 грн
500+1.94 грн
1000+1.70 грн
2000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603D5R6CXPAJ VISH-S-A0020776423-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603D5R6CXPAJ
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603D5R6CXPAJ - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 5.6 pF, 250 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 0.25pF, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 0.25pF
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 5.6pF
Spannung (DC): 250V
Produktpalette: VJ HIFREQ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100JXGAT5Z 3965981.pdf
VJ1206A100JXGAT5Z
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A100JXGAT5Z - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 10 pF, 1 kV, 1206 [Metrisch: 3216], ± 5%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch: 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ HVArc Guard Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20101K00JNEF-DEL
CRCW20101K00JNEF-DEL
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20101K00JNEF-DEL - RES, THICK FILM, 1K, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.20 грн
33+25.14 грн
50+17.49 грн
100+9.14 грн
250+8.16 грн
500+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW20102R00JNEF dcrcwe3.pdf
CRCW20102R00JNEF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW20102R00JNEF - RES, THICK FILM, 2R, 5%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 2ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+3.34 грн
278+2.93 грн
334+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC VISH-S-A0021330455-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ0603Y564KXQCW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+8.46 грн
121+6.73 грн
500+5.72 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y473JXQPW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ0603Y473JXQPW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y473JXQPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+3.09 грн
363+2.25 грн
500+1.68 грн
2500+1.26 грн
7500+0.91 грн
15000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y564KXQCW1BC 2878571.pdf
VJ0603Y564KXQCW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ0603Y564KXQCW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.56 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.56µF
Spannung (DC): 10V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.57 грн
500+8.95 грн
1000+6.85 грн
2000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.87 грн
500+75.01 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI4497DY-T1-GE3 si4497dy.pdf
SI4497DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4497DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 36 A, 3300 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.8W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+205.80 грн
50+146.42 грн
100+100.87 грн
500+75.01 грн
1000+67.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A470KXBPW1BC 2620235.pdf
VJ1206A470KXBPW1BC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206A470KXBPW1BC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 47 pF, 100 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 10%, C0G / NP0
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: C0G / NP0
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 47pF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: VJ_W1BC Basic Commodity Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.26 грн
108+7.57 грн
500+6.10 грн
2500+5.06 грн
7500+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54. VISH-S-A0017356990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1.5KE18A-E3/54.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1.5KE18A-E3/54. - TVS-Diode, TRANSZORB 1.5KE Series, Unidirektional, 15.3 V, 25.2 V, DO-201, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.1V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 18.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15.3V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB 1.5KE Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 25.2V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.92 грн
100+40.83 грн
500+37.84 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SI7949DP-T1-GE3 73130.pdf
SI7949DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7949DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 5 A, 5 A, 0.08 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.76 грн
10+109.81 грн
100+80.61 грн
500+54.99 грн
1000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ342ADT-T1-GE3 2898284.pdf
SIZ342ADT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ342ADT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 33.4 A, 33.4 A, 7800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 33.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 33.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 16.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET GEN IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 16.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.67 грн
18+46.85 грн
100+30.91 грн
500+22.36 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 391 782 1173 1564 1955 2346 2737 3128 3377 3378 3379 3380 3381 3382 3383 3384 3385 3386 3387 3519 3910 3913  [ Наступна Сторінка >> ]