Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (349039) > Сторінка 3486 з 5818

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1162 1743 2324 2905 3481 3482 3483 3484 3485 3486 3487 3488 3489 3490 3491 4067 4648 5229 5810 5818  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ILQ1 ILQ1 VISHAY 2047194.pdf Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.30 грн
10+121.02 грн
25+116.08 грн
50+102.44 грн
100+90.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC CRCW080547K0JNEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
770+1.07 грн
1250+0.66 грн
1667+0.49 грн
2000+0.38 грн
2500+0.28 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED CRCW0402220RFKED VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
253+3.26 грн
472+1.75 грн
622+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED RCS0402220RFKED VISHAY 2848043.pdf Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.75 грн
622+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED. CRCW0402510KFKED. VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.91 грн
553+1.49 грн
944+0.87 грн
2500+0.60 грн
5000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500. PR01000103301JR500. VISHAY 2049118.pdf Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0
Widerstandstechnologie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: 0
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Produktdurchmesser: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.13 грн
42+19.76 грн
60+13.75 грн
107+7.19 грн
250+5.33 грн
500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.99 грн
500+26.83 грн
1000+21.38 грн
5000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 SISA35DN-T1-GE3 VISHAY sisa35dn.pdf Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.90 грн
500+13.38 грн
1500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.96 грн
13+67.51 грн
50+60.84 грн
100+50.30 грн
200+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 AC07000002209JAC00 VISHAY ac_ac-at_ac-ni.pdf Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 MCT06030E7501BP100 VISHAY VISH-S-A0013915974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.44 грн
250+26.99 грн
500+23.01 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+1.56 грн
1112+0.74 грн
1429+0.58 грн
1667+0.46 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC CRCW06037K50FKEAC VISHAY 3937398.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
527+1.56 грн
1112+0.74 грн
1429+0.58 грн
1667+0.46 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA TNPW06037K50BEEA VISHAY 3924229.pdf Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.70 грн
100+14.90 грн
500+11.28 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA CRCW06037K50FKTA VISHAY 3924201.pdf Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+4.61 грн
304+2.72 грн
500+2.39 грн
1000+1.91 грн
2500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.70 грн
500+45.87 грн
1000+40.36 грн
5000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 SIZF928DT-T1-GE3 VISHAY sizf928dt.pdf Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.33 грн
13+66.85 грн
100+51.70 грн
500+45.87 грн
1000+40.36 грн
5000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 VISHAY si2338ds.pdf Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 27550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.26 грн
50+34.91 грн
100+25.11 грн
500+17.97 грн
1500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001143822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.82 грн
10+141.61 грн
100+98.80 грн
500+72.32 грн
1000+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY sir826adp.pdf Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.47 грн
10+151.49 грн
100+114.44 грн
500+88.68 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 SQD50034E_GE3 VISHAY sqd50034e.pdf Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.31 грн
10+104.56 грн
100+77.64 грн
500+61.01 грн
1000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 SIJ462ADP-T1-GE3 VISHAY sij462adp.pdf Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.43 грн
10+93.86 грн
100+66.03 грн
500+48.93 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA P11H1F0GHFW10502KA VISHAY p11h.pdf Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: 150ppm/C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: No
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+660.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 SI3129DV-T1-GE3 VISHAY 3183556.pdf Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.06 грн
20+42.07 грн
100+28.98 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 SIZ260DT-T1-GE3 VISHAY siz260dt.pdf Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.79 грн
50+68.00 грн
100+54.83 грн
500+42.81 грн
1500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.97 грн
12+74.67 грн
100+51.54 грн
500+38.22 грн
1000+29.29 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 SIR826ADP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001113297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.91 грн
500+90.97 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+396.01 грн
10+294.74 грн
100+238.76 грн
500+200.30 грн
1000+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 SISS30DN-T1-GE3 VISHAY 2786201.pdf Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.50 грн
13+68.33 грн
100+48.00 грн
500+35.93 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 SISS30ADN-T1-GE3 VISHAY 3098124.pdf Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.91 грн
10+82.33 грн
100+64.30 грн
500+50.61 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 SIS126DN-T1-GE3 VISHAY sis126dn.pdf Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.99 грн
500+26.68 грн
1000+22.44 грн
5000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 SISS32LDN-T1-GE3 VISHAY siss32ldn.pdf Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.72 грн
500+35.24 грн
1000+26.75 грн
5000+26.53 грн
10000+26.46 грн
25000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.54 грн
500+53.51 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 SIJH800E-T1-GE3 VISHAY sijh800e.pdf Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+238.76 грн
500+200.30 грн
1000+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.55 грн
10+83.15 грн
100+54.17 грн
500+40.75 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.88 грн
10+181.95 грн
100+133.37 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.82 грн
500+35.17 грн
1500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 SQJB80EP-T1_GE3 VISHAY sqjb80ep.pdf Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.17 грн
500+40.75 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 SQSA80ENW-T1_GE3 VISHAY sqsa80enw.pdf Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.67 грн
50+58.29 грн
100+48.82 грн
500+35.17 грн
1500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 VISHAY sqja86ep.pdf Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.54 грн
500+38.22 грн
1000+29.29 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 SQJQ480E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.37 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY sis128ldn.pdf Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.63 грн
500+28.74 грн
1500+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 SQD50P08-28_GE3 VISHAY sqd50p08.pdf Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.50 грн
500+77.98 грн
1000+67.89 грн
2000+66.55 грн
5000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 SIJ478DP-T1-GE3 VISHAY sij478dp.pdf Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.72 грн
10+107.85 грн
100+71.54 грн
500+53.51 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.00 грн
500+162.84 грн
1000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 SQJQ184ER-T1_GE3 VISHAY sqjq184er.pdf Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+319.44 грн
10+207.47 грн
100+191.00 грн
500+162.84 грн
1000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.14 грн
500+97.09 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 SQJQ186ER-T1_GE3 VISHAY sqjq186er.pdf Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+279.10 грн
10+172.07 грн
100+125.14 грн
500+97.09 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 SQS181ELNW-T1_GE3 VISHAY 3973110.pdf Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.91 грн
11+76.07 грн
100+53.76 грн
500+39.75 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 SIJH5800E-T1-GE3 VISHAY 3983286.pdf Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.63 грн
10+330.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.19 грн
500+18.50 грн
1000+15.45 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.56 грн
26+32.85 грн
100+23.63 грн
500+17.20 грн
1000+12.84 грн
5000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0003617735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.99 грн
500+17.66 грн
1500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 SISS76LDN-T1-GE3 VISHAY 3164659.pdf Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.85 грн
13+63.81 грн
100+47.09 грн
500+37.77 грн
1000+34.23 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY sq1470aeh.pdf Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.93 грн
500+18.96 грн
1500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 SIA483ADJ-T1-GE3 VISHAY sia483adj.pdf Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+11.24 грн
1000+9.24 грн
5000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.05 грн
500+18.96 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA918EDJ-T1-GE3 SIA918EDJ-T1-GE3 VISHAY sia918edj.pdf Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.59 грн
26+31.86 грн
100+19.35 грн
500+12.00 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 SQA401EJ-T1_GE3 VISHAY sqa401ej.pdf Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.085 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.70 грн
500+18.19 грн
1000+14.68 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ILQ1 2047194.pdf
ILQ1
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - ILQ1 - Optokoppler, Transistorausgang, 4 Kanäle, DIP, 16 Pin(s), 60 mA, 5.3 kV, 20 %
tariffCode: 85414900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
CTR, min.: 20%
Isolationsspannung: 5.3kV
euEccn: NLR
Durchlassstrom If, max.: 60mA
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.30 грн
10+121.02 грн
25+116.08 грн
50+102.44 грн
100+90.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080547K0JNEAC 3937398.pdf
CRCW080547K0JNEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080547K0JNEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 47 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 47kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: 200ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 99430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
770+1.07 грн
1250+0.66 грн
1667+0.49 грн
2000+0.38 грн
2500+0.28 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 770
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402220RFKED 2310790.pdf
CRCW0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
253+3.26 грн
472+1.75 грн
622+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 253
В кошику  од. на суму  грн.
RCS0402220RFKED 2848043.pdf
RCS0402220RFKED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402220RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.75 грн
622+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0402510KFKED. 2310790.pdf
CRCW0402510KFKED.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402510KFKED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 510 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 510kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 55288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.91 грн
553+1.49 грн
944+0.87 грн
2500+0.60 грн
5000+0.54 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PR01000103301JR500. 2049118.pdf
PR01000103301JR500.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PR01000103301JR500. - METAL FILM RESISTOR, 3.3 KOHM, 1 W, 5%
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0
Widerstandstechnologie: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
Nennleistung: 0
Widerstandstyp: 0
Widerstand: 0
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: 0
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: 0
Produktlänge: 0
euEccn: NLR
Produktpalette: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 0
Produktdurchmesser: 0
Betriebstemperatur, max.: 0
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.13 грн
42+19.76 грн
60+13.75 грн
107+7.19 грн
250+5.33 грн
500+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
SI4103DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.99 грн
500+26.83 грн
1000+21.38 грн
5000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISA35DN-T1-GE3 sisa35dn.pdf
SISA35DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA35DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.90 грн
500+13.38 грн
1500+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.96 грн
13+67.51 грн
50+60.84 грн
100+50.30 грн
200+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AC07000002209JAC00 ac_ac-at_ac-ni.pdf
AC07000002209JAC00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AC07000002209JAC00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 22 ohm, AC Series, 7 W, ± 5%, Axial bedrahtet, 12 V
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Drahtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 7W
Widerstandstyp: Hochleistung
Widerstand: 22ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 5%
Temperaturkoeffizient: -10ppm/K bis -80ppm/K
Produktlänge: 26mm
euEccn: NLR
Produktpalette: AC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 12V
Produktdurchmesser: 7.5mm
Betriebstemperatur, max.: 250°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+40.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MCT06030E7501BP100 VISH-S-A0013915974-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MCT06030E7501BP100
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MCT06030E7501BP100 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Schwefelbeständig
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 15ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: MCT Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.44 грн
250+26.99 грн
500+23.01 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC 3937398.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+1.56 грн
1112+0.74 грн
1429+0.58 грн
1667+0.46 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKEAC 3937398.pdf
CRCW06037K50FKEAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 89330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
527+1.56 грн
1112+0.74 грн
1429+0.58 грн
1667+0.46 грн
2500+0.35 грн
5000+0.21 грн
Мінімальне замовлення: 527
В кошику  од. на суму  грн.
TNPW06037K50BEEA 3924229.pdf
TNPW06037K50BEEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPW06037K50BEEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 0.1%, 125 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Stabilität
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 25ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.70 грн
100+14.90 грн
500+11.28 грн
1000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06037K50FKTA 3924201.pdf
CRCW06037K50FKTA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06037K50FKTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.5 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: NO
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.5kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+4.61 грн
304+2.72 грн
500+2.39 грн
1000+1.91 грн
2500+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.70 грн
500+45.87 грн
1000+40.36 грн
5000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIZF928DT-T1-GE3 sizf928dt.pdf
SIZF928DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 0.00053 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00053ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 74W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00053ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 74W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.33 грн
13+66.85 грн
100+51.70 грн
500+45.87 грн
1000+40.36 грн
5000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI2338DS-T1-GE3 si2338ds.pdf
SI2338DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2338DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.023 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 27550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.26 грн
50+34.91 грн
100+25.11 грн
500+17.97 грн
1500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001143822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR870ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR870ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 40071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.82 грн
10+141.61 грн
100+98.80 грн
500+72.32 грн
1000+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 sir826adp.pdf
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.47 грн
10+151.49 грн
100+114.44 грн
500+88.68 грн
1000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034E_GE3 sqd50034e.pdf
SQD50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.31 грн
10+104.56 грн
100+77.64 грн
500+61.01 грн
1000+50.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ462ADP-T1-GE3 sij462adp.pdf
SIJ462ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ462ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 39.3 A, 0.0057 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.43 грн
10+93.86 грн
100+66.03 грн
500+48.93 грн
1000+41.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
P11H1F0GHFW10502KA p11h.pdf
P11H1F0GHFW10502KA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - P11H1F0GHFW10502KA - Drehpotentiometer, Hohes Drehmoment, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 1 W, ± 10%, P11H Series
tariffCode: 85334090
Produkthöhe: 13.6mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Cermet
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Panelmontage
Nennleistung: 1W
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 6.35mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 10%
Temperaturkoeffizient: 150ppm/C
Produktlänge: 35.6mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Modular
Länge der Welle: 9.65mm
Produktpalette: P11H Series
productTraceability: No
Potentiometeranschlüsse: Leiterplattenstift
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 12.8mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+660.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SI3129DV-T1-GE3 3183556.pdf
SI3129DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI3129DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 5.4 A, 0.0689 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0689ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.06 грн
20+42.07 грн
100+28.98 грн
500+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ260DT-T1-GE3 siz260dt.pdf
SIZ260DT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZ260DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 24.7 A, 24.7 A, 0.0204 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 24.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0204ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0204ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.79 грн
50+68.00 грн
100+54.83 грн
500+42.81 грн
1500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.97 грн
12+74.67 грн
100+51.54 грн
500+38.22 грн
1000+29.29 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3 VISH-S-A0001113297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826ADP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.91 грн
500+90.97 грн
1000+74.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+396.01 грн
10+294.74 грн
100+238.76 грн
500+200.30 грн
1000+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3 2786201.pdf
SISS30DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.50 грн
13+68.33 грн
100+48.00 грн
500+35.93 грн
1000+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3 3098124.pdf
SISS30ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.91 грн
10+82.33 грн
100+64.30 грн
500+50.61 грн
1000+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIS126DN-T1-GE3 sis126dn.pdf
SIS126DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS126DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 45.1 A, 0.0085 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.99 грн
500+26.68 грн
1000+22.44 грн
5000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS32LDN-T1-GE3 siss32ldn.pdf
SISS32LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS32LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 63 A, 0.0058 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.72 грн
500+35.24 грн
1000+26.75 грн
5000+26.53 грн
10000+26.46 грн
25000+26.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.54 грн
500+53.51 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH800E-T1-GE3 sijh800e.pdf
SIJH800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.00122 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00122ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122ohm
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+238.76 грн
500+200.30 грн
1000+158.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.55 грн
10+83.15 грн
100+54.17 грн
500+40.75 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.88 грн
10+181.95 грн
100+133.37 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.82 грн
500+35.17 грн
1500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJB80EP-T1_GE3 sqjb80ep.pdf
SQJB80EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB80EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.0155 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0155ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0155ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.17 грн
500+40.75 грн
1000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA80ENW-T1_GE3 sqsa80enw.pdf
SQSA80ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA80ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 18 A, 0.015 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.67 грн
50+58.29 грн
100+48.82 грн
500+35.17 грн
1500+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA86EP-T1_GE3 sqja86ep.pdf
SQJA86EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA86EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0155 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 12316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.54 грн
500+38.22 грн
1000+29.29 грн
5000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ480E-T1_GE3 VISH-S-A0003603034-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ480E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ480E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 0.0024 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.37 грн
500+113.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS128LDN-T1-GE3 sis128ldn.pdf
SIS128LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS128LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33.7 A, 0.013 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 39W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.63 грн
500+28.74 грн
1500+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50P08-28_GE3 sqd50p08.pdf
SQD50P08-28_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 16495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.50 грн
500+77.98 грн
1000+67.89 грн
2000+66.55 грн
5000+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ478DP-T1-GE3 sij478dp.pdf
SIJ478DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ478DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.0064 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0064ohm
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.72 грн
10+107.85 грн
100+71.54 грн
500+53.51 грн
1000+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.00 грн
500+162.84 грн
1000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ184ER-T1_GE3 sqjq184er.pdf
SQJQ184ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ184ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 430 A, 0.0012 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+319.44 грн
10+207.47 грн
100+191.00 грн
500+162.84 грн
1000+136.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.14 грн
500+97.09 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ186ER-T1_GE3 sqjq186er.pdf
SQJQ186ER-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ186ER-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 329 A, 0.0017 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 329A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+279.10 грн
10+172.07 грн
100+125.14 грн
500+97.09 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQS181ELNW-T1_GE3 3973110.pdf
SQS181ELNW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQS181ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0241 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0241ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.91 грн
11+76.07 грн
100+53.76 грн
500+39.75 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH5800E-T1-GE3 3983286.pdf
SIJH5800E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH5800E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 302 A, 970 µohm, PowerPAK 8 x 8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 302A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 970µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+467.63 грн
10+330.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
SQSA82CENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.0227 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0227ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.19 грн
500+18.50 грн
1000+15.45 грн
5000+13.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 7309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.56 грн
26+32.85 грн
100+23.63 грн
500+17.20 грн
1000+12.84 грн
5000+9.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 VISH-S-A0003617735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ1421EDH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1421EDH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.23 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 26535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.99 грн
500+17.66 грн
1500+13.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISS76LDN-T1-GE3 3164659.pdf
SISS76LDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS76LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 67.4 A, 0.0052 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.85 грн
13+63.81 грн
100+47.09 грн
500+37.77 грн
1000+34.23 грн
5000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470AEH-T1_GE3 sq1470aeh.pdf
SQ1470AEH-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ1470AEH-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.7 A, 0.045 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.93 грн
500+18.96 грн
1500+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA483ADJ-T1-GE3 sia483adj.pdf
SIA483ADJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA483ADJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.9W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.34 грн
500+11.24 грн
1000+9.24 грн
5000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA400EDJ-T1-GE3 VISH-S-A0001798696-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIA400EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA400EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12 A, 0.016 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.05 грн
500+18.96 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIA918EDJ-T1-GE3 sia918edj.pdf
SIA918EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.59 грн
26+31.86 грн
100+19.35 грн
500+12.00 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SQA401EJ-T1_GE3 sqa401ej.pdf
SQA401EJ-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.75 A, 0.085 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.70 грн
500+18.19 грн
1000+14.68 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 581 1162 1743 2324 2905 3481 3482 3483 3484 3485 3486 3487 3488 3489 3490 3491 4067 4648 5229 5810 5818  [ Наступна Сторінка >> ]