Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (255897) > Сторінка 3975 з 4265

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 426 852 1278 1704 2130 2556 2982 3408 3834 3970 3971 3972 3973 3974 3975 3976 3977 3978 3979 3980 4260 4265  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GRC00JE1021H00L GRC00JE1021H00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.17 грн
11+37.89 грн
50+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 MAL215031102E3 VISHAY 150rmi.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø16x25mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Height: 25mm
Diameter: 16mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+195.09 грн
5+129.63 грн
10+118.83 грн
25+111.35 грн
50+106.36 грн
100+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC00JG1021H00L VISHAY ZRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26-E3/52T SS26-E3/52T VISHAY SS24-E3-52T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
на замовлення 9682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
21+20.69 грн
50+13.21 грн
100+11.30 грн
200+10.05 грн
250+9.72 грн
500+8.97 грн
750+8.48 грн
1500+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26HE3_A/H SS26HE3_A/H VISHAY ss22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Application: automotive industry
Case: SMB
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.11 грн
18+23.35 грн
25+20.36 грн
100+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT SS26S-E3/5AT VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Case: SMA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T SS26S-E3/61T VISHAY ss26s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Case: SMA
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
26+16.54 грн
31+13.79 грн
50+12.05 грн
100+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 VISHAY siss26dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 VISHAY siss26ldn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSS2600 TSSS2600 VISHAY TSSS2600.pdf Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 950nm; transparent; 2.6mW; 25°; 1.25÷1.6VDC; THT
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 950nm
LED lens: transparent
Radiant power: 2.6mW
Viewing angle: 25°
Operating voltage: 1.25...1.6V DC
Mounting: THT
Dimensions: 3.6x2.2x5mm
LED current: 100mA
LED version: angular
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
17+25.84 грн
25+23.27 грн
50+21.61 грн
100+20.28 грн
500+17.70 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY IRF840AL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+187.03 грн
10+107.19 грн
50+94.73 грн
100+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.51 грн
5+141.26 грн
10+125.48 грн
50+96.39 грн
100+88.08 грн
250+81.43 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF VISHAY irf840as_IRF840al.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.77 грн
10+137.94 грн
25+113.01 грн
50+94.73 грн
100+80.60 грн
250+68.14 грн
500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+122.60 грн
10+73.96 грн
50+65.65 грн
100+63.98 грн
250+60.66 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840STRLPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-05-E3-08 VISHAY BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Reverse recovery time: 5ns
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.63 грн
57+7.40 грн
100+4.22 грн
500+3.07 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 1.5KE27CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
100+20.44 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1N5822-E3/54 VISHAY 1n5820-22.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.37 грн
25+16.95 грн
100+15.54 грн
500+13.88 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP BYV26C-TAP VISHAY byv26.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.17 грн
13+33.65 грн
100+27.01 грн
500+23.35 грн
1000+22.02 грн
2000+20.86 грн
2500+20.52 грн
5000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR BYV26C-TR VISHAY byv26.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
18+24.10 грн
25+23.10 грн
100+21.85 грн
250+20.94 грн
500+20.19 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 1.5KE400A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+49.22 грн
12+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF VISHAY IRF740APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.82 грн
10+88.91 грн
50+78.94 грн
100+72.29 грн
250+64.82 грн
500+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740ASPBF VISHAY IRF740A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.45 грн
5+140.43 грн
10+118.83 грн
25+95.56 грн
50+84.76 грн
100+76.45 грн
250+71.46 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF IRF740LCPBF VISHAY IRF740LC.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+255.94 грн
10+122.15 грн
25+99.72 грн
50+88.08 грн
100+78.11 грн
250+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF VISHAY IRF740PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.66 грн
10+90.58 грн
40+78.11 грн
50+76.45 грн
100+69.80 грн
250+62.32 грн
500+58.17 грн
1000+53.18 грн
2000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.62 грн
10+155.39 грн
25+131.29 грн
50+115.50 грн
100+104.70 грн
150+98.88 грн
250+93.07 грн
500+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF VISHAY IRF740SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 1.5KE18CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.33 грн
9+48.20 грн
11+39.80 грн
25+30.08 грн
50+25.59 грн
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 1.5KE180CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
10+42.13 грн
100+29.25 грн
500+24.18 грн
1000+22.44 грн
1400+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 1.5KE18A-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
14+31.16 грн
50+29.42 грн
100+28.34 грн
250+27.17 грн
500+26.18 грн
1400+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 P6KE200A-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: P6KE
Max. forward impulse current: 2.2A
Max. off-state voltage: 171V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1N5817-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.58 грн
25+16.79 грн
28+15.21 грн
100+10.64 грн
250+8.73 грн
500+7.64 грн
1000+6.81 грн
2000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1N5817-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
36+11.63 грн
100+9.31 грн
500+7.81 грн
1000+7.06 грн
3000+5.98 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1N5819-E3/54 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
23+18.12 грн
27+15.62 грн
100+9.97 грн
500+7.48 грн
1000+6.81 грн
2000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1N5819-E3/73 VISHAY 1n5817-19.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.79 грн
33+12.88 грн
100+8.89 грн
500+7.06 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
 BAV99-E3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.42 грн
63+6.65 грн
112+3.74 грн
500+2.75 грн
1000+2.38 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 BAV99-HE3-08 VISHAY bav99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1N4007GP-E3/54 VISHAY 1n4001gp.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.48 грн
50+16.70 грн
100+15.12 грн
250+12.71 грн
500+10.64 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357B0102MXB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 1kΩ; single turn; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Potentiometer features: without limiters
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft diameter: 6.35mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Power: 1W
Linearity tolerance: ±2%
Tolerance: ±20%
Resistance: 1kΩ
Mechanical durability: 10000000 cycles
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Track material: plastic
Type of potentiometer: shaft
Shaft surface: smooth
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2718.66 грн
3+2201.23 грн
10+2006.78 грн
25+1903.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357B2102MAB251S22 VISHAY 357.pdf Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 1kΩ; single turn; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft diameter: 6.35mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Power: 1W
Linearity tolerance: ±2%
Tolerance: ±20%
Electrical rotation angle: 340°
Resistance: 1kΩ
Mechanical durability: 10000000 cycles
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Track material: plastic
Type of potentiometer: shaft
Shaft surface: smooth
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2578.17 грн
3+2112.32 грн
10+2071.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC VJ1206A100KXAAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
60+7.16 грн
100+6.73 грн
500+5.92 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 BAS85-GS08 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 89632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.48 грн
35+11.97 грн
100+7.41 грн
500+5.32 грн
1000+4.62 грн
2500+3.84 грн
5000+3.34 грн
7500+3.08 грн
12500+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 BAS85-GS18 VISHAY bas85.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 24390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.95 грн
77+5.40 грн
100+4.25 грн
500+3.44 грн
1000+3.12 грн
2500+2.97 грн
5000+2.72 грн
10000+2.38 грн
20000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 NTCLE100E3472JB0 VISHAY ntcle100.pdf Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
18+24.10 грн
19+22.19 грн
25+19.61 грн
50+17.87 грн
100+16.45 грн
200+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 1.5KE47CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
12+35.40 грн
50+31.41 грн
100+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 VISHAY siha25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 VISHAY sihb25n50e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 VISHAY sihg25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3/4W VISHAY MBR10100-E3-4W.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.11 грн
10+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C12-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.69 грн
52+8.14 грн
65+6.40 грн
100+4.65 грн
500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C5V1-TAP VISHAY BZX85C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 9559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
50+8.48 грн
56+7.48 грн
100+6.57 грн
500+5.18 грн
1000+4.72 грн
2500+4.26 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF VISHAY IRF540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF IRF540SPBF VISHAY irf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLR4400 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 50°
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.32 грн
18+23.93 грн
21+20.44 грн
27+15.95 грн
50+13.38 грн
100+11.55 грн
250+10.14 грн
500+9.64 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z VISHAY TLLR4400-AS12Z.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 25°
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLR4401 VISHAY TLLx440x-DTE.pdf Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 1...2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 50°
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.85 грн
22+19.53 грн
25+17.45 грн
50+15.95 грн
100+14.62 грн
250+12.96 грн
500+11.80 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00JE1021H00L GRC.pdf
GRC00JE1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Pitch: 7.5mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 16x20mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+92.17 грн
11+37.89 грн
50+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL215031102E3 150rmi.pdf
MAL215031102E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; Ø16x25mm; Pitch: 7.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Body dimensions: Ø16x25mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Height: 25mm
Diameter: 16mm
Terminal pitch: 7.5mm
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+195.09 грн
5+129.63 грн
10+118.83 грн
25+111.35 грн
50+106.36 грн
100+103.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC00JG1021H00L ZRC.pdf
ZRC00JG1021H00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 50VDC; ±20%; 10000h; 16x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 50V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -55...105°C
Dimensions: 16x25mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-GE3 si7852dp.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 80V
On-state resistance: 16.5mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26-E3/52T SS24-E3-52T.pdf
SS26-E3/52T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Case: SMB
на замовлення 9682 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.32 грн
21+20.69 грн
50+13.21 грн
100+11.30 грн
200+10.05 грн
250+9.72 грн
500+8.97 грн
750+8.48 грн
1500+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26HE3_A/H ss22.pdf
SS26HE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 75A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Application: automotive industry
Case: SMB
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+33.11 грн
18+23.35 грн
25+20.36 грн
100+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/5AT ss26s.pdf
SS26S-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
Case: SMA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS26S-E3/61T ss26s.pdf
SS26S-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 2A; 7 inch reel
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 10mA
Max. forward voltage: 0.62V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 40A
Max. off-state voltage: 60V
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Case: SMA
на замовлення 999 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+24.16 грн
26+16.54 грн
31+13.79 грн
50+12.05 грн
100+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3 siss26dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3 siss26ldn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSS2600 TSSS2600.pdf
TSSS2600
Виробник: VISHAY
Category: IR LEDs
Description: IR transmitter; 950nm; transparent; 2.6mW; 25°; 1.25÷1.6VDC; THT
Type of diode: IR transmitter
Wavelength: 950nm
LED lens: transparent
Radiant power: 2.6mW
Viewing angle: 25°
Operating voltage: 1.25...1.6V DC
Mounting: THT
Dimensions: 3.6x2.2x5mm
LED current: 100mA
LED version: angular
на замовлення 4305 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+38.48 грн
17+25.84 грн
25+23.27 грн
50+21.61 грн
100+20.28 грн
500+17.70 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840AL.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+187.03 грн
10+107.19 грн
50+94.73 грн
100+88.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+191.51 грн
5+141.26 грн
10+125.48 грн
50+96.39 грн
100+88.08 грн
250+81.43 грн
500+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF irf840as_IRF840al.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+180.77 грн
10+137.94 грн
25+113.01 грн
50+94.73 грн
100+80.60 грн
250+68.14 грн
500+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 667 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+122.60 грн
10+73.96 грн
50+65.65 грн
100+63.98 грн
250+60.66 грн
500+58.17 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRLPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-05-E3-08 BAS40-00_to_BAS40-06_Rev2.2_2-13-18.pdf
BAS40-05-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Capacitance: 5pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 0.1µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Reverse recovery time: 5ns
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
39+11.63 грн
57+7.40 грн
100+4.22 грн
500+3.07 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE27CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE27CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 27.05V; 40A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 23.1V
Breakdown voltage: 27.05V
Max. forward impulse current: 40A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+24.16 грн
100+20.44 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5822-E3/54 1n5820-22.pdf
1N5822-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 3A; DO201AD; Ufmax: 0.525V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 0.525V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 1400pcs.
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+22.37 грн
25+16.95 грн
100+15.54 грн
500+13.88 грн
1000+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TAP byv26.pdf
BYV26C-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; SOD57; 30ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
на замовлення 7704 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+58.17 грн
13+33.65 грн
100+27.01 грн
500+23.35 грн
1000+22.02 грн
2000+20.86 грн
2500+20.52 грн
5000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV26C-TR description byv26.pdf
BYV26C-TR
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 1A; 10 inch reel; Ifsm: 30A; SOD57
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated
Kind of package: 10 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: SOD57
Max. forward voltage: 1.3V
Reverse recovery time: 30ns
Leakage current: 0.1mA
Quantity in set/package: 5000pcs.
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+27.74 грн
18+24.10 грн
25+23.10 грн
100+21.85 грн
250+20.94 грн
500+20.19 грн
5000+18.95 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE400A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE400A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 400V; 2.7A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 342V
Breakdown voltage: 400V
Max. forward impulse current: 2.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+49.22 грн
12+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740APBF IRF740APBF.pdf
IRF740APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+171.82 грн
10+88.91 грн
50+78.94 грн
100+72.29 грн
250+64.82 грн
500+63.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASPBF IRF740A.pdf
IRF740ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+200.45 грн
5+140.43 грн
10+118.83 грн
25+95.56 грн
50+84.76 грн
100+76.45 грн
250+71.46 грн
1000+67.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740LCPBF description IRF740LC.pdf
IRF740LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+255.94 грн
10+122.15 грн
25+99.72 грн
50+88.08 грн
100+78.11 грн
250+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF IRF740PBF.pdf
IRF740PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+147.66 грн
10+90.58 грн
40+78.11 грн
50+76.45 грн
100+69.80 грн
250+62.32 грн
500+58.17 грн
1000+53.18 грн
2000+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740SPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 510 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.62 грн
10+155.39 грн
25+131.29 грн
50+115.50 грн
100+104.70 грн
150+98.88 грн
250+93.07 грн
500+87.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740SPBF.pdf
IRF740STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 18V; 59.5A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+65.33 грн
9+48.20 грн
11+39.80 грн
25+30.08 грн
50+25.59 грн
100+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE180CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE180CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 180V; 6.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 154V
Breakdown voltage: 180V
Max. forward impulse current: 6.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+55.48 грн
10+42.13 грн
100+29.25 грн
500+24.18 грн
1000+22.44 грн
1400+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE18A-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE18A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 18V; 59.5A; unidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15.3V
Breakdown voltage: 18V
Max. forward impulse current: 59.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+37.59 грн
14+31.16 грн
50+29.42 грн
100+28.34 грн
250+27.17 грн
500+26.18 грн
1400+24.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE200A-E3/54 p6ke.pdf
P6KE200A-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Unidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 200V; 2.2A; unidirectional; DO15,DO204AC; P6KE
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Breakdown voltage: 200V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer series: P6KE
Max. forward impulse current: 2.2A
Max. off-state voltage: 171V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Leakage current: 1µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+20.58 грн
25+16.79 грн
28+15.21 грн
100+10.64 грн
250+8.73 грн
500+7.64 грн
1000+6.81 грн
2000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5817-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5817-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 20V; 1A; DO41; Ufmax: 0.45V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 0.45V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 7199 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+17.90 грн
36+11.63 грн
100+9.31 грн
500+7.81 грн
1000+7.06 грн
3000+5.98 грн
6000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/54 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+24.16 грн
23+18.12 грн
27+15.62 грн
100+9.97 грн
500+7.48 грн
1000+6.81 грн
2000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5819-E3/73 1n5817-19.pdf
1N5819-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 40V; 1A; DO41; Ufmax: 0.6V
Case: DO41
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Max. forward voltage: 0.6V
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 25A
Max. off-state voltage: 40V
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+18.79 грн
33+12.88 грн
100+8.89 грн
500+7.06 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-E3-08 bav99.pdf
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
BAV99-E3-08BAV99-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.42 грн
63+6.65 грн
112+3.74 грн
500+2.75 грн
1000+2.38 грн
3000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99-HE3-08 bav99.pdf
BAV99-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 70V; 0.15A; 6ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 50uA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 6ns
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 1.5pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.3W
Kind of package: 7 inch reel
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007GP-E3/54 1n4001gp.pdf
1N4007GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
21+21.48 грн
50+16.70 грн
100+15.12 грн
250+12.71 грн
500+10.64 грн
1000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
357B0102MXB251S22 357.pdf
357B0102MXB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 1kΩ; single turn; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Potentiometer features: without limiters
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft diameter: 6.35mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Power: 1W
Linearity tolerance: ±2%
Tolerance: ±20%
Resistance: 1kΩ
Mechanical durability: 10000000 cycles
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Track material: plastic
Type of potentiometer: shaft
Shaft surface: smooth
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2718.66 грн
3+2201.23 грн
10+2006.78 грн
25+1903.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
357B2102MAB251S22 357.pdf
357B2102MAB251S22
Виробник: VISHAY
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 1kΩ; single turn; ±20%; 1W; linear; 6.35mm
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft diameter: 6.35mm
Thread length: 8mm
Shaft length: 14mm
L shaft length: 22mm
Power: 1W
Linearity tolerance: ±2%
Tolerance: ±20%
Electrical rotation angle: 340°
Resistance: 1kΩ
Mechanical durability: 10000000 cycles
Fastening thread: 3/8"x32UNEF
Manufacturer series: 357
Track material: plastic
Type of potentiometer: shaft
Shaft surface: smooth
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2578.17 грн
3+2112.32 грн
10+2071.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A100KXAAC vjcommercialseries.pdf
VJ1206A100KXAAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10pF; 50V; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
60+7.16 грн
100+6.73 грн
500+5.92 грн
1000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS08 bas85.pdf
BAS85-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 200mW
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.24V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 2500pcs.
Max. load current: 0.3A
на замовлення 89632 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
21+21.48 грн
35+11.97 грн
100+7.41 грн
500+5.32 грн
1000+4.62 грн
2500+3.84 грн
5000+3.34 грн
7500+3.08 грн
12500+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS85-GS18 bas85.pdf
BAS85-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; MiniMELF,SOD80; SMD; 30V; 0.2A; 5ns
Type of diode: Schottky switching
Case: MiniMELF; SOD80
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 10pF
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 13 inch reel
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 10000pcs.
на замовлення 24390 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.95 грн
77+5.40 грн
100+4.25 грн
500+3.44 грн
1000+3.12 грн
2500+2.97 грн
5000+2.72 грн
10000+2.38 грн
20000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTCLE100E3472JB0 ntcle100.pdf
NTCLE100E3472JB0
Виробник: VISHAY
Category: THT measurement NTC thermistors
Description: NTC thermistor; 4.7kΩ; THT; 3977K; -40÷125°C; 500mW
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.5W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Material constant B: 3977K
Type of sensor: NTC thermistor
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+29.53 грн
18+24.10 грн
19+22.19 грн
25+19.61 грн
50+17.87 грн
100+16.45 грн
200+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE47CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE47CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 47.05V; 23.1A; bidirectional; DO201; 13 inch reel
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 40.2V
Breakdown voltage: 47.05V
Max. forward impulse current: 23.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+48.32 грн
12+35.40 грн
50+31.41 грн
100+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR10100-E3/4W MBR10100-E3-4W.pdf
MBR10100-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10A; TO220AC; Ufmax: 0.65V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220AC
Max. forward voltage: 0.65V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+50.11 грн
10+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C12-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C12-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 12V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 12V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 13225 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
23+19.69 грн
52+8.14 грн
65+6.40 грн
100+4.65 грн
500+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX85C5V1-TAP BZX85C10-TAP.pdf
BZX85C5V1-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1.3W; 5.1V; Ammo Pack; DO41; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1.3W
Zener voltage: 5.1V
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO41
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 9559 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+23.27 грн
50+8.48 грн
56+7.48 грн
100+6.57 грн
500+5.18 грн
1000+4.72 грн
2500+4.26 грн
5000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540PBF IRF540PBF.pdf
IRF540PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540SPBF irf540s.pdf
IRF540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4400
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 50°
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
15+31.32 грн
18+23.93 грн
21+20.44 грн
27+15.95 грн
50+13.38 грн
100+11.55 грн
250+10.14 грн
500+9.64 грн
1000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4400-AS12Z TLLR4400-AS12Z.pdf
TLLR4400-AS12Z
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 0.63÷1.2mcd; 25°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 0.63...1.2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 25°
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLLR4401 TLLx440x-DTE.pdf
TLLR4401
Виробник: VISHAY
Category: THT LEDs Round
Description: LED; red; 3mm; 1÷2mcd; 50°; Front: convex; 1.9÷2.4VDC; No.of term: 2
Type of diode: LED
Front: convex
LED lens: diffused; red
Mounting: THT
LED colour: red
Wavelength: 612...625nm
Luminosity: 1...2mcd
LED current: 2mA
Terminal pitch: 2.54mm
LED diameter: 3mm
Operating voltage: 1.9...2.4V DC
Number of terminals: 2
Viewing angle: 50°
на замовлення 3802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+26.85 грн
22+19.53 грн
25+17.45 грн
50+15.95 грн
100+14.62 грн
250+12.96 грн
500+11.80 грн
1000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 426 852 1278 1704 2130 2556 2982 3408 3834 3970 3971 3972 3973 3974 3975 3976 3977 3978 3979 3980 4260 4265  [ Наступна Сторінка >> ]