Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (255702) > Сторінка 3971 з 4262

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 426 852 1278 1704 2130 2556 2982 3408 3834 3966 3967 3968 3969 3970 3971 3972 3973 3974 3975 3976 4260 4262  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+126.79 грн
10+55.63 грн
50+49.25 грн
100+46.68 грн
250+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF VISHAY IRF510SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF IRF520PBF VISHAY IRF520PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.65 грн
10+52.73 грн
50+48.09 грн
100+42.37 грн
250+36.15 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T VISHAY 6N137-X007T.pdf Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Mounting: THT
Turn-off time: 7ns
Turn-on time: 27ns
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: logic
Number of channels: 1
Case: Gull wing 8
Collector-emitter voltage: 7V
Output voltage: 7V
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT SS14-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
34+12.52 грн
39+10.68 грн
100+8.01 грн
500+5.57 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3/61T VISHAY SS14-E3_61T.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 24707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.57 грн
20+21.06 грн
23+18.07 грн
50+12.22 грн
100+10.26 грн
500+6.88 грн
1000+5.82 грн
1800+5.10 грн
3600+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS14-M3/61T VISHAY SS12-SS16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36-E3/57T SS36-E3/57T VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.50 грн
23+18.82 грн
25+16.75 грн
100+14.01 грн
200+13.51 грн
500+12.93 грн
850+12.19 грн
1700+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS36-E3/9AT VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 10mA
Quantity in set/package: 3500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3/80 VISHAY MB6S-E3-80.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
18+23.71 грн
100+17.41 грн
500+14.10 грн
1000+12.85 грн
1300+12.44 грн
3000+11.03 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC CRCW06034K70FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 0603; 4.7kΩ; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Manufacturer series: CRCW0603
Mounting: SMD
на замовлення 20790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
374+1.20 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.15 грн
20000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 1.5KE100CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.61 грн
22+19.73 грн
100+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H SS24HE3_A/H VISHAY ss22.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC00FE1002WTNL VISHAY HRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.40 грн
10+42.70 грн
50+30.93 грн
100+25.79 грн
300+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 MAL204217109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+306.26 грн
5+222.20 грн
10+193.18 грн
20+169.14 грн
40+152.56 грн
60+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 MAL204272109E3 VISHAY 041042043ash.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Leads: axial
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 VISHAY siss54dn.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
Pulsed drain current: 300A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA CRCW120610K0FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.63 грн
177+2.35 грн
292+1.42 грн
500+1.01 грн
1000+0.87 грн
5000+0.61 грн
10000+0.52 грн
15000+0.47 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC CRCW120610K0FKTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 27128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
806+0.55 грн
973+0.43 грн
1109+0.37 грн
1363+0.30 грн
2000+0.25 грн
4000+0.21 грн
5000+0.20 грн
10000+0.19 грн
Мінімальне замовлення: 806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA CRCW120610K0JNEA VISHAY dcrcwe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
66+6.79 грн
138+3.01 грн
180+2.30 грн
220+1.89 грн
268+1.55 грн
500+0.99 грн
1000+0.82 грн
2500+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC CRCW120610K0JNTABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
300+1.90 грн
1000+0.57 грн
5000+0.27 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1N4001-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
34+13.39 грн
46+9.20 грн
52+8.00 грн
100+5.69 грн
250+4.82 грн
500+4.41 грн
1000+4.08 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 BAT54WS-E3-08 VISHAY bat54ws.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.3A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1N4004-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
61+6.88 грн
100+5.35 грн
500+4.30 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1N4004-E3/73 VISHAY 1n4001.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
40+10.36 грн
100+7.07 грн
500+5.42 грн
1000+4.85 грн
3000+4.06 грн
6000+3.63 грн
9000+3.40 грн
24000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1N4004GP-E3/54 VISHAY 1n400x.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.72 грн
23+18.24 грн
60+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF VISHAY IRF640PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640SPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF VISHAY IRF640S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 BAT54A-E3-08 VISHAY bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
105+3.98 грн
124+3.36 грн
500+3.16 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08 BAT54A-HE3-08 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
80+5.71 грн
125+3.33 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 BAT54S-E3-08 VISHAY bat54-vi.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54S-HE3-08 VISHAY BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
75+6.34 грн
115+3.72 грн
500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF VISHAY IRFP240PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 T63XB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: THT
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Manufacturer series: T63XB
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 T63YB103KT20 VISHAY t63.pdf Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: THT
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Manufacturer series: T63YB
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+241.98 грн
10+172.46 грн
25+158.36 грн
50+149.24 грн
100+140.12 грн
250+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 T93XB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Track material: cermet
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.36 грн
10+72.96 грн
50+67.99 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 T93YB103KT20 VISHAY t93.pdf Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Track material: cermet
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.29 грн
5+91.20 грн
10+82.08 грн
25+70.48 грн
30+67.99 грн
50+63.84 грн
100+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-36MT60 VISHAY VS-26MT_36MT.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1120.59 грн
5+951.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 VISHAY sihb12n60.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 VISHAY doc?91486 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 VISHAY sihf12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY IRFP22N50APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+341.98 грн
10+281.90 грн
25+270.29 грн
50+260.34 грн
100+240.44 грн
125+233.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF VISHAY IRFP250PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+308.05 грн
5+233.81 грн
10+209.77 грн
25+183.24 грн
50+166.65 грн
100+151.73 грн
125+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF IRFP260PBF VISHAY IRFP260.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.98 грн
10+213.91 грн
25+198.16 грн
50+185.72 грн
100+173.29 грн
125+170.80 грн
375+159.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF IRFP264PBF VISHAY irfp264.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+475.91 грн
10+307.60 грн
25+273.61 грн
100+229.67 грн
125+223.03 грн
250+205.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 1.5KE6.8CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.54 грн
12+34.57 грн
100+25.79 грн
250+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T SS34-E3/57T VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 850pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.86 грн
15+29.60 грн
100+19.15 грн
200+17.08 грн
500+14.34 грн
850+12.52 грн
1700+10.61 грн
2550+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT VISHAY ss32_ss36.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 3500pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT-E3/4W MBR20100CT-E3/4W VISHAY mbr20100.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
Max. forward impulse current: 150A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.65 грн
6+77.94 грн
10+72.96 грн
25+64.67 грн
50+59.70 грн
100+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2N7002K-T1-E3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+16.97 грн
43+9.70 грн
59+7.10 грн
100+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 VISHAY 2n7002k.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.18 грн
45+9.37 грн
100+5.18 грн
500+3.20 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 SIHB15N65E-GE3 VISHAY sihb15n65e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 SIHF15N65E-GE3 VISHAY sihf15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 SIHP15N65E-GE3 VISHAY sihp15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT SS16-E3/5AT VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 5mA
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
59+7.13 грн
100+5.37 грн
500+4.36 грн
1000+4.20 грн
1300+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T SS16-E3/61T VISHAY ss12.pdf description Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 12627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
24+18.75 грн
29+14.59 грн
33+12.93 грн
50+9.02 грн
100+7.79 грн
500+5.85 грн
1000+5.16 грн
1800+4.74 грн
3600+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H SS16HE3_B/H VISHAY ss12.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
38+11.03 грн
40+10.53 грн
50+9.04 грн
100+8.13 грн
500+6.14 грн
1000+5.89 грн
1800+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.79 грн
5+101.98 грн
10+89.54 грн
50+67.99 грн
100+63.84 грн
250+58.87 грн
500+55.55 грн
1000+51.41 грн
2000+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510SPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+126.79 грн
10+55.63 грн
50+49.25 грн
100+46.68 грн
250+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRLPBF IRF510SPBF.pdf
IRF510STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520PBF description IRF520PBF.pdf
IRF520PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; Idm: 37A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 37A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+69.65 грн
10+52.73 грн
50+48.09 грн
100+42.37 грн
250+36.15 грн
500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6N137-X007T 6N137-X007T.pdf
6N137-X007T
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - digital output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: logic; Uinsul: 5kV; 10Mbps; Uce: 7V
Mounting: THT
Turn-off time: 7ns
Turn-on time: 27ns
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: logic
Number of channels: 1
Case: Gull wing 8
Collector-emitter voltage: 7V
Output voltage: 7V
Insulation voltage: 5kV
Transfer rate: 10Mbps
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/5AT ss12.pdf
SS14-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+16.97 грн
34+12.52 грн
39+10.68 грн
100+8.01 грн
500+5.57 грн
1000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-E3/61T SS14-E3_61T.pdf
SS14-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 24707 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
16+28.57 грн
20+21.06 грн
23+18.07 грн
50+12.22 грн
100+10.26 грн
500+6.88 грн
1000+5.82 грн
1800+5.10 грн
3600+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS14-M3/61T SS12-SS16.pdf
SS14-M3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 40V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS36-E3/57T ss32_ss36.pdf
SS36-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 850pcs.
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+37.50 грн
23+18.82 грн
25+16.75 грн
100+14.01 грн
200+13.51 грн
500+12.93 грн
850+12.19 грн
1700+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS36-E3/9AT ss32_ss36.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 60V; 3A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 10mA
Quantity in set/package: 3500pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB6S-E3/80 MB6S-E3-80.pdf
MB6S-E3/80
Виробник: VISHAY
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 0.5A; Ifsm: 35A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.5A
Max. forward impulse current: 35A
Case: MBS; TO269AA
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 8481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+39.29 грн
18+23.71 грн
100+17.41 грн
500+14.10 грн
1000+12.85 грн
1300+12.44 грн
3000+11.03 грн
6000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06034K70FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW06034K70FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 0603; 4.7kΩ; 0.1W; ±1%; CRCW0603; 75V
Type of resistor: thick film
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Resistance: 4.7kΩ
Power: 0.1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 75V
Operating temperature: -55...155°C
Manufacturer series: CRCW0603
Mounting: SMD
на замовлення 20790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
374+1.20 грн
1502+0.28 грн
5000+0.18 грн
10000+0.15 грн
20000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE100CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE100CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 100V; 10.9A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 85.5V
Breakdown voltage: 100V
Max. forward impulse current: 10.9A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+36.61 грн
22+19.73 грн
100+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24HE3_A/H ss22.pdf
SS24HE3_A/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 40V; 2A; 7 inch reel; 750pcs.
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMB
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 75A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 750pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HRC00FE1002WTNL HRC.pdf
HRC00FE1002WTNL
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; ±20%; 10000h; -25÷105°C
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -25...105°C
Dimensions: 12.5x20mm
на замовлення 838 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+63.40 грн
10+42.70 грн
50+30.93 грн
100+25.79 грн
300+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204217109E3 041042043ash.pdf
MAL204217109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...85°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
Leads: axial
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+306.26 грн
5+222.20 грн
10+193.18 грн
20+169.14 грн
40+152.56 грн
60+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MAL204272109E3 041042043ash.pdf
MAL204272109E3
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 10uF; 450VDC; Ø12.5x30mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 10µF
Operating voltage: 450V DC
Body dimensions: Ø12.5x30mm
Tolerance: ±20%
Leads: axial
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 30mm
Diameter: 12.5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS54DN-T1-GE3 siss54dn.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 148.5A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 148.5A
Pulsed drain current: 300A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: -12...16V
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Power dissipation: 42W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0FKEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
80+5.63 грн
177+2.35 грн
292+1.42 грн
500+1.01 грн
1000+0.87 грн
5000+0.61 грн
10000+0.52 грн
15000+0.47 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0FKTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0FKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±1%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±1%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 27128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
806+0.55 грн
973+0.43 грн
1109+0.37 грн
1363+0.30 грн
2000+0.25 грн
4000+0.21 грн
5000+0.20 грн
10000+0.19 грн
Мінімальне замовлення: 806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNEA dcrcwe3.pdf
CRCW120610K0JNEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷125°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...125°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
66+6.79 грн
138+3.01 грн
180+2.30 грн
220+1.89 грн
268+1.55 грн
500+0.99 грн
1000+0.82 грн
2500+0.75 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW120610K0JNTABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW120610K0JNTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; SMD; 1206; 10kΩ; 0.25W; ±5%; 200V; -55÷155°C
Resistance: 10kΩ
Tolerance: ±5%
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Operating voltage: 200V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Operating temperature: -55...155°C
Type of resistor: thick film
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
300+1.90 грн
1000+0.57 грн
5000+0.27 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001-E3/54 1n400x.pdf
1N4001-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 50V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 5174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
34+13.39 грн
46+9.20 грн
52+8.00 грн
100+5.69 грн
250+4.82 грн
500+4.41 грн
1000+4.08 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54WS-E3-08 bat54ws.pdf
BAT54WS-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Max. forward voltage: 0.8V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: 7 inch reel
Max. load current: 0.3A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/54 1n400x.pdf
1N4004-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Capacitance: 15pF
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
46+9.82 грн
61+6.88 грн
100+5.35 грн
500+4.30 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004-E3/73 1n4001.pdf
1N4004-E3/73
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 30A; DO41
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Capacitance: 15pF
на замовлення 25666 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
28+16.07 грн
40+10.36 грн
100+7.07 грн
500+5.42 грн
1000+4.85 грн
3000+4.06 грн
6000+3.63 грн
9000+3.40 грн
24000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GP-E3/54 1n400x.pdf
1N4004GP-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 1A; 13 inch reel; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Quantity in set/package: 5500pcs.
Features of semiconductor devices: glass passivated
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+35.72 грн
23+18.24 грн
60+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF IRF640PBF.pdf
IRF640PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640SPBF IRF640S.pdf
IRF640SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640S.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-E3-08 bat54_bat54a_bat54c_bat54s.pdf
BAT54A-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
50+8.93 грн
105+3.98 грн
124+3.36 грн
500+3.16 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54A-HE3-08
BAT54A-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
80+5.71 грн
125+3.33 грн
500+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-E3-08 bat54-vi.pdf
BAT54S-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.24V
Max. load current: 0.3A
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54S-HE3-08 BAT54_A_C_S_Rev1.9_3-16-16.pdf
BAT54S-HE3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; 7 inch reel
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 0.8V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: 7 inch reel
Power dissipation: 0.23W
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
75+6.34 грн
115+3.72 грн
500+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP240PBF IRFP240PBF.pdf
IRFP240PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T63XB103KT20 t63.pdf
T63XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: THT
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Manufacturer series: T63XB
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+247.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T63YB103KT20 t63.pdf
T63YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 1/4 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 250mW; ±10%; linear; THT
Resistance: 10kΩ
Power: 0.25W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 6.8x6.8x5mm
Operating temperature: -55...155°C
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Mounting: THT
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1Ncm
Potentiometer standard - inch: 1/4"
Number of electrical turns: 13 ±2
Number of mechanical turns: 15 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Manufacturer series: T63YB
Track material: cermet
Kind of potentiometer: multiturn
IP rating: IP67
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.98 грн
10+172.46 грн
25+158.36 грн
50+149.24 грн
100+140.12 грн
250+133.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93XB103KT20 t93.pdf
T93XB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93XB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Z; 67Z; 3296Z
Track material: cermet
на замовлення 877 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+105.36 грн
10+72.96 грн
50+67.99 грн
100+65.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T93YB103KT20 t93.pdf
T93YB103KT20
Виробник: VISHAY
Category: 3/8 inch multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; multiturn; 10kΩ; 500mW; THT; ±10%; linear
Resistance: 10kΩ
Power: 0.5W
Tolerance: ±10%
Body dimensions: 9.8x9.8x5mm
Operating temperature: -55...125°C
IP rating: IP67
Characteristics: linear
Type of potentiometer: mounting
Kind of potentiometer: multiturn
Mounting: THT
Manufacturer series: T93YB
Terminal pitch: 2.5x2.5mm
Torque: 1.5Ncm
Potentiometer standard - inch: 3/8"
Number of electrical turns: 19 ±2
Number of mechanical turns: 22 ±5
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Operating voltage: 250V
Engineering PN: 64Y; 67Y; 3296Y
Track material: cermet
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+114.29 грн
5+91.20 грн
10+82.08 грн
25+70.48 грн
30+67.99 грн
50+63.84 грн
100+58.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-36MT60 VS-26MT_36MT.pdf
VS-36MT60
Виробник: VISHAY
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 600V; If: 35A; Ifsm: 475A; THT
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 35A
Max. forward impulse current: 475A
Electrical mounting: THT
Version: square
Max. forward voltage: 1.19V
Leads: connectors FASTON
Leads dimensions: 6.3x0.8mm
Case: D-63
Kind of package: bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1120.59 грн
5+951.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60E-GE3 sihb12n60.pdf
SIHB12N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; 147W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB12N60ET1-GE3 doc?91486
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-GE3 sihf12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+341.98 грн
10+281.90 грн
25+270.29 грн
50+260.34 грн
100+240.44 грн
125+233.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250PBF IRFP250PBF.pdf
IRFP250PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 345 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+308.05 грн
5+233.81 грн
10+209.77 грн
25+183.24 грн
50+166.65 грн
100+151.73 грн
125+147.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260PBF description IRFP260.pdf
IRFP260PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+391.98 грн
10+213.91 грн
25+198.16 грн
50+185.72 грн
100+173.29 грн
125+170.80 грн
375+159.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP264PBF irfp264.pdf
IRFP264PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+475.91 грн
10+307.60 грн
25+273.61 грн
100+229.67 грн
125+223.03 грн
250+205.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE6.8CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE6.8CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 6.8V; 143A; bidirectional; DO201; 13 inch reel; 1.5kW
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 5.8V
Breakdown voltage: 6.8V
Max. forward impulse current: 143A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 2mA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 479 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+45.54 грн
12+34.57 грн
100+25.79 грн
250+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/57T ss32_ss36.pdf
SS34-E3/57T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 7 inch reel; 850pcs.
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 7 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 850pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.5V
на замовлення 2582 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+42.86 грн
15+29.60 грн
100+19.15 грн
200+17.08 грн
500+14.34 грн
850+12.52 грн
1700+10.61 грн
2550+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS34-E3/9AT ss32_ss36.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMC; SMD; 40V; 3A; 13 inch reel
Mounting: SMD
Load current: 3A
Kind of package: 13 inch reel
Max. off-state voltage: 40V
Max. forward impulse current: 100A
Quantity in set/package: 3500pcs.
Case: SMC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20100CT-E3/4W mbr20100.pdf
MBR20100CT-E3/4W
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 100V; 10Ax2; TO220AB; Ufmax: 0.75V
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.75V
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 50pcs.
Max. forward impulse current: 150A
Heatsink thickness: 1.14...1.39mm
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+94.65 грн
6+77.94 грн
10+72.96 грн
25+64.67 грн
50+59.70 грн
100+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-E3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
27+16.97 грн
43+9.70 грн
59+7.10 грн
100+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.19A; Idm: 0.8A; 0.14W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.14W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
30+15.18 грн
45+9.37 грн
100+5.18 грн
500+3.20 грн
1000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHB15N65E-GE3 sihb15n65e.pdf
SIHB15N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 96nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N65E-GE3 sihf15n65e.pdf
SIHF15N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
SIHP15N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/5AT ss12.pdf
SS16-E3/5AT
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 13 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 13 inch reel
Leakage current: 5mA
Quantity in set/package: 7500pcs.
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
36+12.50 грн
59+7.13 грн
100+5.37 грн
500+4.36 грн
1000+4.20 грн
1300+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS16-E3/61T description ss12.pdf
SS16-E3/61T
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
на замовлення 12627 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+18.75 грн
29+14.59 грн
33+12.93 грн
50+9.02 грн
100+7.79 грн
500+5.85 грн
1000+5.16 грн
1800+4.74 грн
3600+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS16HE3_B/H ss12.pdf
SS16HE3_B/H
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 60V; 1A; 7 inch reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 60V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 40A
Kind of package: 7 inch reel
Quantity in set/package: 1800pcs.
Application: automotive industry
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+17.86 грн
38+11.03 грн
40+10.53 грн
50+9.04 грн
100+8.13 грн
500+6.14 грн
1000+5.89 грн
1800+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+151.79 грн
5+101.98 грн
10+89.54 грн
50+67.99 грн
100+63.84 грн
250+58.87 грн
500+55.55 грн
1000+51.41 грн
2000+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 426 852 1278 1704 2130 2556 2982 3408 3834 3966 3967 3968 3969 3970 3971 3972 3973 3974 3975 3976 4260 4262  [ Наступна Сторінка >> ]