Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (265742) > Сторінка 4413 з 4430

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4408 4409 4410 4411 4412 4413 4414 4415 4416 4417 4418 4430  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RCA0805430KFKEA RCA0805430KFKEA VISHAY rcae3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805430KFKEA CRCW0805430KFKEA VISHAY 1.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; SMD; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2.2x1.4x0.6mm
Quantity in set/package: 5000pcs.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805430KFKTABC CRCW0805430KFKTABC VISHAY Data+Sheet+CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; SMD; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2x1.25x0.45mm
Quantity in set/package: 5000pcs.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ150CA-E3/5B SMBJ150CA-E3/5B VISHAY smbj.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 167V; 2.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 150V
Breakdown voltage: 167V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW25122K21FKTHBC CRCW25122K21FKTHBC VISHAY CRCW.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.21kΩ; SMD; 2512; 1W; ±1%; CRCW2512; 500V
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.21kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6332
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Manufacturer series: CRCW2512
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+10.34 грн
100+5.68 грн
1000+3.53 грн
4000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C160P-E3-08 BZD27C160P-E3-08 VISHAY bzd27series.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.8W; 160V; SMD; DO219AB,SMF; single diode; BZD27C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.8W
Zener voltage: 160V
Mounting: SMD
Case: DO219AB; SMF
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZD27C
Tolerance: ±5%
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C160P-HE3_A08 BZD27C160P-HE3_A08 VISHAY bzd27series.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.8W; 160V; SMD; DO219AB,SMF; single diode; BZD27C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.8W
Zener voltage: 160V
Mounting: SMD
Case: DO219AB; SMF
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZD27C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 VISHAY sqj403beep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 68W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Power dissipation: 68W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60CTQ045-M3 VS-60CTQ045-M3 VISHAY vs-60ctq035_040_045-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 720mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.72V
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE10CA-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 9.5V; 41.4A; bidirectional; DO15,DO204AC; 600W; P6KE
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 9.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 41.4A
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 8.55V
Leakage current: 20µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE7.5CA-E3/54 VISHAY p6ke.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 7.5V; 53.1A; bidirectional; DO15,DO204AC; 600W; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6.4V
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 53.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C24-GS08 BZT55C24-GS08 VISHAY bzt55.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C24-GS18 BZT55C24-GS18 VISHAY bzt55-se.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ24D-GS08 TLZ24D-GS08 VISHAY tlz.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5252B-GS08 TZM5252B-GS08 VISHAY tzm5221.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5252B-GS18 TZM5252B-GS18 VISHAY tzm5221.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB24-GS18 TZMB24-GS18 VISHAY tzm.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-GS18 TZMC24-GS18 VISHAY tzm.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 10000pcs.
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-M-08 TZMC24-M-08 VISHAY TZM-M.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-M-18 TZMC24-M-18 VISHAY TZM-M.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZQ5252B-GS08 TZQ5252B-GS08 VISHAY tzq5221b.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZQ5252B-GS18 TZQ5252B-GS18 VISHAY tzq5221b.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4709-GS08 TZS4709-GS08 VISHAY tzs4678.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 VS-3C16ET07T-M3 VISHAY vs-3c16et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 104A
Kind of package: tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.53 грн
5+367.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 VISHAY vs-3c12et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+330.75 грн
10+265.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP07L-M3 VS-3C20CP07L-M3 VISHAY vs-3c20cp07l-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+483.33 грн
5+432.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 VS-3C06ET07T-M3 VISHAY vs-3c06et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.14 грн
10+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 VS-3C08ET07T-M3 VISHAY vs-3c08et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+230.24 грн
10+184.10 грн
25+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 VS-3C10ET07T-M3 VISHAY vs-3c10et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+274.10 грн
10+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3 VS-3C16CP07L-M3 VISHAY vs-3c16cp07l-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.37 грн
5+354.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP07L-M3 VS-3C40CP07L-M3 VISHAY vs-3c40cp07l-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1001.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 VISHAY vs-3c12et07s2l-m.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+419.37 грн
5+327.48 грн
10+291.00 грн
25+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C06ET07T-M3 VS-C06ET07T-M3 VISHAY vs-c06et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 39A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A250FL-GE3 VISHAY mxp120a250fl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 6.7A; Idm: 21A; 22W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 20.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FE-T1GE3 VISHAY mxp120a045fe.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 85W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FL-GE3 VISHAY mxp120a045fl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 91W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FW-GE3 VISHAY mxp120a045fw.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 91W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FE-T1GE3 VISHAY mxp120a080fe.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19A; Idm: 60A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FL-GE3 VISHAY mxp120a080fl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FW-GE3 VISHAY mxp120a080fw.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A250FW-GE3 VISHAY mxp120a250fw.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 6.7A; Idm: 21A; 22W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 20.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15EP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; Ir: 75uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 75µA
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20EP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 110uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 110µA
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 VISHAY vs-3c20et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP12L-M3 VISHAY Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 148A
Kind of package: tube
Leakage current: 12µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C08ET07T-M3 VS-C08ET07T-M3 VISHAY vs-c08et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 57A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C10ET07T-M3 VS-C10ET07T-M3 VISHAY vs-c10et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 68A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C12ET07T-M3 VS-C12ET07T-M3 VISHAY vs-c12et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C16CP07L-M3 VISHAY vs-c16cp07l-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 53A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C16ET07T-M3 VS-C16ET07T-M3 VISHAY vs-c16et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C20CP07L-M3 VISHAY vs-c20cp07l-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 VS-3C04ET07S2L-M3 VISHAY vs-3c04et07s2l-m3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 29A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3 VS-3C05ET12S2L-M3 VISHAY vs-3c05et12s2l-m3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 60W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 VS-3C06ET07S2L-M3 VISHAY vs-3c06et07s2l-m3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 VS-3C08ET07S2L-M3 VISHAY vs-3c08et07s2l-m3.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 VS-3C10ET07S2L-M3 VISHAY vs-3c10et07s2l-m.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3 VS-3C10ET12S2L-M3 VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RCA0805430KFKEA rcae3.pdf
RCA0805430KFKEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Conform to the norm: AEC-Q200
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805430KFKEA 1.pdf
CRCW0805430KFKEA
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; SMD; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2.2x1.4x0.6mm
Quantity in set/package: 5000pcs.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW0805430KFKTABC Data+Sheet+CRCW_BCe3.pdf
CRCW0805430KFKTABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 430kΩ; SMD; 0805; 125mW; ±1%; 150V; -55÷155°C
Type of resistor: thick film
Resistance: 430kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Power: 0.125W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 150V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Body dimensions: 2x1.25x0.45mm
Quantity in set/package: 5000pcs.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ150CA-E3/5B smbj.pdf
SMBJ150CA-E3/5B
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 600W; 167V; 2.5A; bidirectional; DO214AA,SMB; SMBJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 150V
Breakdown voltage: 167V
Max. forward impulse current: 2.5A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO214AA; SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Manufacturer series: SMBJ
Technology: TransZorb®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW25122K21FKTHBC CRCW.pdf
CRCW25122K21FKTHBC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 2.21kΩ; SMD; 2512; 1W; ±1%; CRCW2512; 500V
Type of resistor: thick film
Resistance: 2.21kΩ
Mounting: SMD
Case - inch: 2512
Case - mm: 6332
Power: 1W
Tolerance: ±1%
Operating voltage: 500V
Operating temperature: -55...155°C
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Manufacturer series: CRCW2512
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+10.34 грн
100+5.68 грн
1000+3.53 грн
4000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C160P-E3-08 bzd27series.pdf
BZD27C160P-E3-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.8W; 160V; SMD; DO219AB,SMF; single diode; BZD27C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.8W
Zener voltage: 160V
Mounting: SMD
Case: DO219AB; SMF
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZD27C
Tolerance: ±5%
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Kind of package: 7 inch reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZD27C160P-HE3_A08 bzd27series.pdf
BZD27C160P-HE3_A08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.8W; 160V; SMD; DO219AB,SMF; single diode; BZD27C
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.8W
Zener voltage: 160V
Mounting: SMD
Case: DO219AB; SMF
Semiconductor structure: single diode
Manufacturer series: BZD27C
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ403BEEP-T1_GE3 sqj403beep.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; 68W; PowerPAK® SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -30A
Power dissipation: 68W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60CTQ045-M3 vs-60ctq035_040_045-m3.pdf
VS-60CTQ045-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; THT; 45V; 30Ax2; TO220AB; Ufmax: 720mV
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.72V
Kind of package: tube
Manufacturer standard package: 50pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE10CA-E3/54 p6ke.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 9.5V; 41.4A; bidirectional; DO15,DO204AC; 600W; P6KE
Type of diode: TVS
Breakdown voltage: 9.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Kind of package: 13 inch reel
Max. forward impulse current: 41.4A
Technology: TransZorb®
Features of semiconductor devices: glass passivated
Max. off-state voltage: 8.55V
Leakage current: 20µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P6KE7.5CA-E3/54 p6ke.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 7.5V; 53.1A; bidirectional; DO15,DO204AC; 600W; P6KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 6.4V
Breakdown voltage: 7.5V
Max. forward impulse current: 53.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO15; DO204AC
Mounting: THT
Leakage current: 1mA
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Manufacturer series: P6KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C24-GS08 bzt55.pdf
BZT55C24-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT55C24-GS18 bzt55-se.pdf
BZT55C24-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLZ24D-GS08 tlz.pdf
TLZ24D-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5252B-GS08 tzm5221.pdf
TZM5252B-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZM5252B-GS18 tzm5221.pdf
TZM5252B-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMB24-GS18 tzm.pdf
TZMB24-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-GS18 tzm.pdf
TZMC24-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: 13 inch reel
Manufacturer standard package: 10000pcs.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-M-08 TZM-M.pdf
TZMC24-M-08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZMC24-M-18 TZM-M.pdf
TZMC24-M-18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; MiniMELF,SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: MiniMELF; SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZQ5252B-GS08 tzq5221b.pdf
TZQ5252B-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZQ5252B-GS18 tzq5221b.pdf
TZQ5252B-GS18
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZS4709-GS08 tzs4678.pdf
TZS4709-GS08
Виробник: VISHAY
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 24V; SMD; SOD80; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 24V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD80
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16ET07T-M3 vs-3c16et07t-m3.pdf
VS-3C16ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 104A
Kind of package: tube
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.53 грн
5+367.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 vs-3c12et07t-m3.pdf
VS-3C12ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+330.75 грн
10+265.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20CP07L-M3 vs-3c20cp07l-m3.pdf
VS-3C20CP07L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+483.33 грн
5+432.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07T-M3 vs-3c06et07t-m3.pdf
VS-3C06ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+210.14 грн
10+138.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07T-M3 vs-3c08et07t-m3.pdf
VS-3C08ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.5V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.24 грн
10+184.10 грн
25+181.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07T-M3 vs-3c10et07t-m3.pdf
VS-3C10ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: tube
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+274.10 грн
10+224.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C16CP07L-M3 vs-3c16cp07l-m3.pdf
VS-3C16CP07L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+419.37 грн
5+354.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP07L-M3 vs-3c40cp07l-m3.pdf
VS-3C40CP07L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1001.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 vs-3c12et07s2l-m.pdf
VS-3C12ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+419.37 грн
5+327.48 грн
10+291.00 грн
25+263.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C06ET07T-M3 vs-c06et07t-m3.pdf
VS-C06ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 39A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A250FL-GE3 mxp120a250fl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 6.7A; Idm: 21A; 22W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 20.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FE-T1GE3 mxp120a045fe.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 85W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 85W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FL-GE3 mxp120a045fl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 91W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A045FW-GE3 mxp120a045fw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 98A; 91W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 31A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 99mΩ
Pulsed drain current: 98A
Power dissipation: 91W
Gate charge: 75.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FE-T1GE3 mxp120a080fe.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 19A; Idm: 60A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 19A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FL-GE3 mxp120a080fl.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A080FW-GE3 mxp120a080fw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 58A; 56W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.175Ω
Pulsed drain current: 58A
Power dissipation: 56W
Gate charge: 47.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MXP120A250FW-GE3 mxp120a250fw.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 6.7A; Idm: 21A; 22W
Technology: MaxSiC™; SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 0.5Ω
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 22W
Gate charge: 20.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10CP12L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; Ir: 30uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 83W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EP12L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 115W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C15EP12L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; Ir: 75uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 75µA
Power dissipation: 150W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20EP12L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; Ir: 110uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 110µA
Power dissipation: 188W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07T-M3 vs-3c20et07t-m3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 20A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 110A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C40CP12L-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 148A
Kind of package: tube
Leakage current: 12µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C08ET07T-M3 vs-c08et07t-m3.pdf
VS-C08ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 57A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C10ET07T-M3 vs-c10et07t-m3.pdf
VS-C10ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 68A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C12ET07T-M3 vs-c12et07t-m3.pdf
VS-C12ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 80A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C16CP07L-M3 vs-c16cp07l-m3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 53A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C16ET07T-M3 vs-c16et07t-m3.pdf
VS-C16ET07T-M3
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 16A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-C20CP07L-M3 vs-c20cp07l-m3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.75V
Max. forward impulse current: 64A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C04ET07S2L-M3 vs-3c04et07s2l-m3.pdf
VS-3C04ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 4A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 29A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C05ET12S2L-M3 vs-3c05et12s2l-m3.pdf
VS-3C05ET12S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 5A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 30µA
Power dissipation: 60W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C06ET07S2L-M3 vs-3c06et07s2l-m3.pdf
VS-3C06ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 6A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 42A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C08ET07S2L-M3 vs-3c08et07s2l-m3.pdf
VS-3C08ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 54A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET07S2L-M3 vs-3c10et07s2l-m.pdf
VS-3C10ET07S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.46V
Max. forward impulse current: 60A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10ET12S2L-M3
VS-3C10ET12S2L-M3
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: D2PAK
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 84A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 443 886 1329 1772 2215 2658 3101 3544 3987 4408 4409 4410 4411 4412 4413 4414 4415 4416 4417 4418 4430  [ Наступна Сторінка >> ]