Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (279052) > Сторінка 710 з 4651

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 465 705 706 707 708 709 710 711 712 713 714 715 930 1395 1860 2325 2790 3255 3720 4185 4650 4651  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI8429DB-T1-E1 VISHAY si8429db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8457DB-T1-E1 VISHAY si8457db.pdf SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8466EDB-T2-E1 VISHAY si8466edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8472DB-T2-E1 VISHAY si8472db.pdf SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si8481DB-T1-E1 VISHAY SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8483DB-T2-E1 VISHAY si8483db.pdf SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8487DB-T1-E1 VISHAY si8487db.pdf SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+67.84 грн
51+ 19.17 грн
138+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI8489EDB-T2-E1 VISHAY si8489edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8497DB-T2-E1 VISHAY si8497db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8499DB-T2-E1 VISHAY si8499db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8800EDB-T2-E1 VISHAY si8800edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8802DB-T2-E1 VISHAY si8802db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8806DB-T2-E1 VISHAY si8806db.pdf SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8808DB-T2-E1 VISHAY si8808db.pdf SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8810EDB-T2-E1 VISHAY si8810edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8812DB-T2-E1 VISHAY si8812db.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8816EDB-T2-E1 VISHAY si8816edb.pdf SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8817DB-T2-E1 VISHAY si8817db.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8819EDB-T2-E1 VISHAY si8819edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8821EDB-T2-E1 VISHAY si8821edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8823EDB-T2-E1 VISHAY si8823edb.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 335mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8824EDB-T2-E1 VISHAY si8824edb.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8851EDB-T2-E1 VISHAY si8851edb.pdf SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8902AEDB-T2-E1 VISHAY si8902aedb.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 24V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 37mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.49 грн
6+ 43.5 грн
25+ 36.53 грн
30+ 31.83 грн
83+ 30.09 грн
500+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY si9407bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+82.49 грн
6+ 43.5 грн
25+ 36.53 грн
30+ 31.83 грн
83+ 30.09 грн
500+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.86 грн
5+ 67.64 грн
19+ 51.94 грн
51+ 49.47 грн
500+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si9433BDY-T1-E3 Si9433BDY-T1-E3 VISHAY SI9433BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.86 грн
5+ 67.64 грн
19+ 51.94 грн
51+ 49.47 грн
500+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI9433BDY-T1-GE3 VISHAY si9433bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 VISHAY SI9435BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+34.36 грн
10+ 31.42 грн
39+ 25.11 грн
105+ 23.74 грн
2500+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-T1-E3 VISHAY SI9435BDY-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+34.36 грн
10+ 31.42 грн
39+ 25.11 грн
105+ 23.74 грн
2500+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-GE3 VISHAY si9435bd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3 VISHAY SI9926CDY-T1-E3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.7 грн
7+ 38.53 грн
25+ 32.98 грн
35+ 27.21 грн
97+ 25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY si9926cd.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si9933CDY-T1-E3 VISHAY si9933cdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 VISHAY SI9933CDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+65.44 грн
9+ 31.59 грн
25+ 26.88 грн
43+ 22.1 грн
118+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9945BDY-T1-GE3 SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY si9945bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.06 грн
5+ 74.23 грн
22+ 43.53 грн
61+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIA106DJ-T1-GE3 VISHAY sia106dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA108DJ-T1-GE3 VISHAY sia108dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA110DJ-T1-GE3 VISHAY sia110dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA112LDJ-T1-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
SIA400EDJ-T1-GE3 VISHAY sia400edj.pdf SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIA413ADJ-T1-GE3 VISHAY sia413adj.pdf SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA413DJ-T1-GE3 VISHAY SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA414DJ-T1-GE3 VISHAY sia414dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA421DJ-T1-GE3 VISHAY sia421dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA4263DJ-T1-GE3 VISHAY sia4263dj.pdf SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA4265EDJ-T1-GE3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA427ADJ-T1-GE3 VISHAY sia427adj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -12A; Idm: -50A; 12W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -12A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA429DJT-T1-GE3 VISHAY sia429dj.pdf SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA430DJT-T1-GE3 VISHAY SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIA431DJ-T1-GE3 VISHAY sia431dj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA432DJ-T1-GE3 VISHAY sia432dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA433EDJ-T1-GE3 VISHAY sia433edj.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA436DJ-T1-GE3 VISHAY sia436dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 50A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA437DJ-T1-GE3 VISHAY sia437dj.pdf SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA440DJ-T1-GE3 VISHAY sia440dj.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIA441DJ-T1-GE3 VISHAY sia441dj.pdf SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8429DB-T1-E1 si8429db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -11.7A; Idm: -25A
Mounting: SMD
Case: MICROFOOT® 1.6x1.6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6.25W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -25A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -11.7A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8457DB-T1-E1 si8457db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8457DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8466EDB-T2-E1 si8466edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 5.4A; Idm: 20A; 1.8W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 20A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8472DB-T2-E1 si8472db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8472DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si8481DB-T1-E1
Виробник: VISHAY
SI8481DB-T1-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8483DB-T2-E1 si8483db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8483DB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8487DB-T1-E1 si8487db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8487DB-T1-E1 SMD P channel transistors
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.84 грн
51+ 19.17 грн
138+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI8489EDB-T2-E1 si8489edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 82mΩ
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.8W
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8497DB-T2-E1 si8497db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -13A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -13A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8499DB-T2-E1 si8499db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -16A; Idm: -20A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -16A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.12Ω
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 13W
Gate charge: 30nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8800EDB-T2-E1 si8800edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 8.3nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 2.8A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.15Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8802DB-T2-E1 si8802db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 3.5A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 135mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8806DB-T2-E1 si8806db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8806DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8808DB-T2-E1 si8808db.pdf
Виробник: VISHAY
SI8808DB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8810EDB-T2-E1 si8810edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8812DB-T2-E1 si8812db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 20A
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8816EDB-T2-E1 si8816edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8816EDB-T2-E1 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI8817DB-T2-E1 si8817db.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.9A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
On-state resistance: 0.32Ω
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Pulsed drain current: -15A
Gate charge: 19nC
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -20V
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8819EDB-T2-E1 si8819edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -2.9A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: -2.9A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -12V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.28Ω
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate charge: 17nC
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8821EDB-T2-E1 si8821edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -2.3A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 0.9W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.215Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si8823EDB-T2-E1 si8823edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -15A
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -15A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
On-state resistance: 335mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8824EDB-T2-E1 si8824edb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.9A; Idm: 15A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.9A
On-state resistance: 0.175Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI8851EDB-T2-E1 si8851edb.pdf
Виробник: VISHAY
SI8851EDB-T2-E1 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI8902AEDB-T2-E1 si8902aedb.pdf
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 24V; 11A; Idm: 40A
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 11A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 24V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 37mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 5.7W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.49 грн
6+ 43.5 грн
25+ 36.53 грн
30+ 31.83 грн
83+ 30.09 грн
500+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9407BDY-T1-E3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A; 3.2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.6A; 5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3464 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.49 грн
6+ 43.5 грн
25+ 36.53 грн
30+ 31.83 грн
83+ 30.09 грн
500+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.86 грн
5+ 67.64 грн
19+ 51.94 грн
51+ 49.47 грн
500+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
Si9433BDY-T1-E3 SI9433BDY-E3.pdf
Si9433BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.86 грн
5+ 67.64 грн
19+ 51.94 грн
51+ 49.47 грн
500+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI9433BDY-T1-GE3 si9433bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -6.2A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.2A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-E3.pdf
SI9435BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.36 грн
10+ 31.42 грн
39+ 25.11 грн
105+ 23.74 грн
2500+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-E3 SI9435BDY-E3.pdf
SI9435BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.36 грн
10+ 31.42 грн
39+ 25.11 грн
105+ 23.74 грн
2500+ 23.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI9435BDY-T1-GE3 si9435bd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9926CDY-T1-E3 SI9926CDY-T1-E3.pdf
SI9926CDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.7A; 3.1W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.7 грн
7+ 38.53 грн
25+ 32.98 грн
35+ 27.21 грн
97+ 25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si9933CDY-T1-E3 si9933cdy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.44 грн
9+ 31.59 грн
25+ 26.88 грн
43+ 22.1 грн
118+ 20.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI9945BDY-T1-GE3 si9945bdy.pdf
SI9945BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 20A; 2W; SO8
Power dissipation: 2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5.3A
On-state resistance: 58mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.06 грн
5+ 74.23 грн
22+ 43.53 грн
61+ 41.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIA106DJ-T1-GE3 sia106dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 40A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA108DJ-T1-GE3 sia108dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 12A; Idm: 30A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA110DJ-T1-GE3 sia110dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 12A; Idm: 20A; 19W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA112LDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.8A; Idm: 10A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
SIA400EDJ-T1-GE3 sia400edj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA400EDJ-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIA413ADJ-T1-GE3 sia413adj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413ADJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA413DJ-T1-GE3 SiA413DJ_RevD_21-May-12.pdf
Виробник: VISHAY
SIA413DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA414DJ-T1-GE3 sia414dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 40A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 41mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.3A; Idm: 15A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.3A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA421DJ-T1-GE3 sia421dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12A; Idm: -35A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA4263DJ-T1-GE3 sia4263dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA4263DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA4265EDJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -9A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 15.6W
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 67.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA427ADJ-T1-GE3 sia427adj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -12A; Idm: -50A; 12W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SC70
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -50A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -12A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA429DJT-T1-GE3 sia429dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA429DJT-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA430DJT-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SIA430DJT-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIA431DJ-T1-GE3 sia431dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12A; Idm: -30A; 12W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA432DJ-T1-GE3 sia432dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 30A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 19.2W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA433EDJ-T1-GE3 sia433edj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -12A; Idm: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 19W
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA436DJ-T1-GE3 sia436dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 12A; Idm: 50A; 19W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 19W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25.2nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 12A
On-state resistance: 36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIA437DJ-T1-GE3 sia437dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA437DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIA440DJ-T1-GE3 sia440dj.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12A; Idm: 50A; 12W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 12W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIA441DJ-T1-GE3 sia441dj.pdf
Виробник: VISHAY
SIA441DJ-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 465 705 706 707 708 709 710 711 712 713 714 715 930 1395 1860 2325 2790 3255 3720 4185 4650 4651  Наступна Сторінка >> ]