Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (289898) > Сторінка 715 з 4832

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 483 710 711 712 713 714 715 716 717 718 719 720 966 1449 1932 2415 2898 3381 3864 4347 4830 4832  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI3900DV-T1-E3 VISHAY si3900dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si3900DV-T1-GE3 VISHAY 71178.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si3932DV-T1-GE3 VISHAY si3932dv.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.4W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3993CDV-T1-GE3 VISHAY SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4038DY-T1-GE3 VISHAY SI4038DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 VISHAY si4056dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si4058DY-T1-GE3 VISHAY si4058dy.pdf SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4062DY-T1-GE3 SI4062DY-T1-GE3 VISHAY si4062dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4090BDY-T1-GE3 VISHAY si4090bdy.pdf SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4090DY-T1-GE3 VISHAY si4090dy.pdf SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4100DY-T1-E3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4100DY-T1-GE3 VISHAY si4100dy.pdf SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4101DY-T1-GE3 VISHAY si4101dy.pdf SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4103DY-T1-GE3 VISHAY si4103dy.pdf SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4114DY-T1-E3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4114DY-T1-GE3 VISHAY si4114dy.pdf SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4116DY-T1-E3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4116DY-T1-GE3 VISHAY si4116dy.pdf SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4122DY-T1-GE3 VISHAY si4122dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4124DY-T1-E3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4124DY-T1-GE3 VISHAY si4124dy.pdf SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4126DY-T1-GE3 VISHAY si4126dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4128DY-T1-GE3 SI4128DY-T1-GE3 VISHAY si4128dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 VISHAY si4134dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.33 грн
10+ 25.69 грн
25+ 22.22 грн
58+ 16.17 грн
158+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4136DY-T1-GE3 VISHAY si4136dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4143DY-T1-GE3 VISHAY si4143dy.pdf SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4151DY-T1-GE3 VISHAY si4151dy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Gate charge: 87nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4153DY-T1-GE3 VISHAY SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4154DY-T1-GE3 VISHAY si4154dy.pdf SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4156DY-T1-GE3 VISHAY si4156dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4160DY-T1-GE3 VISHAY si4160dy.pdf SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 VISHAY SI4162DY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+34.94 грн
25+ 30.41 грн
42+ 22.79 грн
115+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4164DY-T1-GE3 VISHAY si4164dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4166DY-T1-GE3 VISHAY si4166dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4168DY-T1-GE3 VISHAY si4168dy.pdf SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 VISHAY si4174dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.53 грн
6+ 43.63 грн
25+ 36.58 грн
31+ 30.09 грн
85+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-GE3 VISHAY SI4178DY-T1-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.65 грн
11+ 24.6 грн
25+ 21.25 грн
51+ 18.45 грн
100+ 18.41 грн
140+ 17.44 грн
500+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4186DY-T1-GE3 VISHAY si4186dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4190ADY-T1-GE3 VISHAY si4190ady.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4202DY-T1-GE3 VISHAY si4202dy.pdf SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4204DY-T1-GE3 VISHAY si4204dy.pdf SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si4214DDY-T1-E3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Si4214DDY-T1-GE3 Si4214DDY-T1-GE3 VISHAY si4214ddy-t1-e3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 19.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si4228DY-T1-GE3 Si4228DY-T1-GE3 VISHAY si4228dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4288DY-T1-GE3 SI4288DY-T1-GE3 VISHAY si4288dy.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+104.82 грн
5+ 90.13 грн
15+ 64.08 грн
41+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4368DY-T1-E3 VISHAY si4368dy.pdf SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4386DY-T1-E3 VISHAY si4386dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4386DY-T1-GE3 VISHAY 73109.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4392ADY-T1-E3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4401BDY-T1-E3 SI4401BDY-T1-E3 VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+112.68 грн
5+ 103.6 грн
13+ 76.24 грн
34+ 72.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4401BDY-T1-GE3 SI4401BDY-T1-GE3 VISHAY si4401bdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4401DDY-T1-GE3 SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY si4401dd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+36.69 грн
25+ 32.01 грн
43+ 22.31 грн
116+ 21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4401FDY-T1-GE3 SI4401FDY-T1-GE3 VISHAY si4401fdy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
On-state resistance: 18.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.13 грн
5+ 51.38 грн
25+ 44.61 грн
30+ 32.36 грн
81+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4403CDY-T1-GE3 SI4403CDY-T1-GE3 VISHAY si4403cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.16 грн
6+ 42.37 грн
10+ 37.72 грн
25+ 36.18 грн
30+ 31.63 грн
83+ 29.93 грн
1000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY SI4403DDY.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.02 грн
8+ 34.2 грн
25+ 29.04 грн
38+ 25.25 грн
103+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4408DY-T1-E3 VISHAY si4408dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4408DY-T1-GE3 VISHAY 70687.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4420BDY-T1-E3 VISHAY 73067.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4420BDY-T1-GE3 VISHAY 73067.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI3900DV-T1-E3 si3900dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si3900DV-T1-GE3 71178.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.15W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Si3932DV-T1-GE3 si3932dv.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 15A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.4W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI3993CDV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI3993CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4038DY-T1-GE3 SI4038DY.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 42.5A; Idm: 150A
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: SO8
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42.5A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 8.3A; Idm: 40A; 5W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4056DY-T1-GE3 si4056dy.pdf
SI4056DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11.1A; Idm: 70A; 3.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11.1A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si4058DY-T1-GE3 si4058dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4058DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4062DY-T1-GE3 si4062dy.pdf
SI4062DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 4.2mΩ
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.8nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25.7A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4090BDY-T1-GE3 si4090bdy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090BDY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4090DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4100DY-T1-E3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4100DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4100DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4101DY-T1-GE3 si4101dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4101DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4103DY-T1-GE3 si4103dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4103DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4114DY-T1-E3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4114DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4114DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4116DY-T1-E3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4116DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4116DY-T1-GE3 si4116dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4116DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.2A; Idm: 70A; 6W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 27.2A
On-state resistance: 6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4124DY-T1-E3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4124DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4124DY-T1-GE3 si4124dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4124DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 39A; Idm: 70A; 7.8W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
On-state resistance: 3.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4128DY-T1-GE3 si4128dy.pdf
SI4128DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.7A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.2A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.33 грн
10+ 25.69 грн
25+ 22.22 грн
58+ 16.17 грн
158+ 15.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4136DY-T1-GE3 si4136dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4143DY-T1-GE3 si4143dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4143DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4151DY-T1-GE3 si4151dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -20.5A; 5.6W; SO8
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20.5A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Gate charge: 87nC
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4153DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
SI4153DY-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI4154DY-T1-GE3 si4154dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4156DY-T1-GE3 si4156dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 70A; 6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4160DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 15.4A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+34.94 грн
25+ 30.41 грн
42+ 22.79 грн
115+ 21.58 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 70A; 6W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30.5A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4168DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
SI4174DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.5A; 3.2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 3.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.53 грн
6+ 43.63 грн
25+ 36.58 грн
31+ 30.09 грн
85+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4178DY-T1-GE3 SI4178DY-T1-DTE.pdf
SI4178DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; 5W; SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.7A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.65 грн
11+ 24.6 грн
25+ 21.25 грн
51+ 18.45 грн
100+ 18.41 грн
140+ 17.44 грн
500+ 16.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4186DY-T1-GE3 si4186dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35.8A; Idm: 70A; 6W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35.8A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 18.4A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18.4A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4202DY-T1-GE3 si4202dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4204DY-T1-GE3 si4204dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4204DY-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
Si4214DDY-T1-E3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 30A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 23mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 30A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 19.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Si4228DY-T1-GE3 si4228dy.pdf
Si4228DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 8A; Idm: 50A; 2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4288DY-T1-GE3 si4288dy.pdf
SI4288DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.82 грн
5+ 90.13 грн
15+ 64.08 грн
41+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4368DY-T1-E3 si4368dy.pdf
Виробник: VISHAY
SI4368DY-T1-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SI4386DY-T1-E3 si4386dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4386DY-T1-GE3 73109.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3.1W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
On-state resistance: 9.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4392ADY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4401BDY-T1-E3 si4401bdy.pdf
SI4401BDY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.3A; 2.9W; SO8
On-state resistance: 21mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1313 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.68 грн
5+ 103.6 грн
13+ 76.24 грн
34+ 72.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SI4401BDY-T1-GE3 si4401bdy.pdf
SI4401BDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.7A; Idm: -50A; 0.95W; SO8
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 55nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.7A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SI4401DDY-T1-GE3 si4401dd.pdf
SI4401DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -16.1A; Idm: -50A; 4W; SO8
On-state resistance: 15mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -50A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -16.1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.69 грн
25+ 32.01 грн
43+ 22.31 грн
116+ 21.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI4401FDY-T1-GE3 si4401fdy.pdf
SI4401FDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -11A; Idm: -80A
On-state resistance: 18.3mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 31nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -11A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.13 грн
5+ 51.38 грн
25+ 44.61 грн
30+ 32.36 грн
81+ 30.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI4403CDY-T1-GE3 si4403cd.pdf
SI4403CDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -13.4A; Idm: -40A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.4A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.16 грн
6+ 42.37 грн
10+ 37.72 грн
25+ 36.18 грн
30+ 31.63 грн
83+ 29.93 грн
1000+ 29.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI4403DDY-T1-GE3 SI4403DDY.pdf
SI4403DDY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -12.3A; 3.2W; SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -12.3A
On-state resistance: 14mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.02 грн
8+ 34.2 грн
25+ 29.04 грн
38+ 25.25 грн
103+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
Si4408DY-T1-E3 si4408dy.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4408DY-T1-GE3 70687.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 21A; Idm: 60A; 3.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 3.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4420BDY-T1-E3 73067.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
SI4420BDY-T1-GE3 73067.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 13.5A; Idm: 50A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 483 710 711 712 713 714 715 716 717 718 719 720 966 1449 1932 2415 2898 3381 3864 4347 4830 4832  [ Наступна Сторінка >> ]