Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ILD615-2 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 413 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILD615-3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILD615-4 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILD615-4X009T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILD620 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILD620GB | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILD620GB-X009T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
ILD621GB | VISHAY |
![]() Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 2 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5.3kV CTR@If: 100%@60mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP8 Turn-on time: 3µs Turn-off time: 2.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2926 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ILD74 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ1 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ2-X009 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ30 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 661 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ615-1 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-1X009 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-2 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ615-2X007 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-3 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-3X009 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-4 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILQ615-4X009 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ615-4X009T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ620-X009T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ620GB-X009 | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ620GB-X009T | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ILQ621 | VISHAY |
![]() |
на замовлення 806 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ILQ621GB | VISHAY |
![]() Description: Optocoupler; THT; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: THT Number of channels: 4 Kind of output: transistor Insulation voltage: 5.3kV CTR@If: 100-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: DIP16 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ILQ621GB-X009 | VISHAY |
![]() Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V Type of optocoupler: optocoupler Mounting: SMD Number of channels: 4 Kind of output: transistor Insulation voltage: 4.42kV CTR@If: 100-600%@5mA Collector-emitter voltage: 70V Case: SMD16 Conform to the norm: UL Turn-on time: 4.3µs Turn-off time: 2.5µs Max. off-state voltage: 6V Manufacturer series: ILQ621GB кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IMBD4148-E3-08 | VISHAY |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: 7 inch reel Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Capacitance: 4pF Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IMBD4148-HE3-08 | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: 7 inch reel Leakage current: 50µA Power dissipation: 0.35W Capacitance: 4pF Quantity in set/package: 3000pcs. Features of semiconductor devices: fast switching; small signal кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 625 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF510STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF510STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.6A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF520PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 745 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF530PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF530SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 418 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF530STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF540PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF540SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 20A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 825 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF540STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF540STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 28A Power dissipation: 150W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: SMD Gate charge: 72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 110A кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF610PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 2.1A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 998 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF610SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF610STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF610STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF614PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF614SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 36W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF620PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3.3A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 807 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF620SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF620STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF620STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF624PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 14A On-state resistance: 1.1Ω Gate charge: 14nC Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF624SPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 14A On-state resistance: 1.1Ω Gate charge: 14nC Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF630PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 9.4nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 701 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF630SPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.7A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF630STRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF630STRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF634PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB Power dissipation: 74W Kind of package: tube Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 41nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF634STRRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF640PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1612 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
ILD615-2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-2 Optocouplers - analog output
ILD615-2 Optocouplers - analog output
на замовлення 413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.02 грн |
29+ | 36.60 грн |
79+ | 34.62 грн |
ILD615-3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-3 Optocouplers - analog output
ILD615-3 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD615-4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-4 Optocouplers - analog output
ILD615-4 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD615-4X009T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD615-4X009T Optocouplers - analog output
ILD615-4X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD620 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD620 Optocouplers - analog output
ILD620 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD620GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD620GB Optocouplers - analog output
ILD620GB Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD620GB-X009T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD620GB-X009T Optocouplers - analog output
ILD620GB-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILD621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP8
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 2.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 2; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 2
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 100%@60mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP8
Turn-on time: 3µs
Turn-off time: 2.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 120.75 грн |
10+ | 59.24 грн |
33+ | 32.47 грн |
50+ | 32.38 грн |
90+ | 30.68 грн |
ILD74 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILD74 Optocouplers - analog output
ILD74 Optocouplers - analog output
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.14 грн |
24+ | 44.58 грн |
65+ | 42.16 грн |
ILQ1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ1 Optocouplers - analog output
ILQ1 Optocouplers - analog output
на замовлення 321 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.58 грн |
15+ | 69.97 грн |
42+ | 66.38 грн |
ILQ2-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
ILQ2-X009 Optocouplers - analog output
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 134.27 грн |
15+ | 72.66 грн |
40+ | 68.17 грн |
ILQ30 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ30 Optocouplers - analog output
ILQ30 Optocouplers - analog output
на замовлення 661 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 293.66 грн |
10+ | 107.64 грн |
27+ | 101.36 грн |
ILQ615-1 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-1 Optocouplers - analog output
ILQ615-1 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-1X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-1X009 Optocouplers - analog output
ILQ615-1X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-2 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-2 Optocouplers - analog output
ILQ615-2 Optocouplers - analog output
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 240.53 грн |
18+ | 61.89 грн |
47+ | 58.30 грн |
ILQ615-2X007 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-2X007 Optocouplers - analog output
ILQ615-2X007 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-3 Optocouplers - analog output
ILQ615-3 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-3X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
ILQ615-3X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-4 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
ILQ615-4 Optocouplers - analog output
на замовлення 1571 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 193.20 грн |
15+ | 70.15 грн |
42+ | 66.33 грн |
ILQ615-4X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
ILQ615-4X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ615-4X009T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
ILQ615-4X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ620-X009T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
ILQ620-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ620GB-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
ILQ620GB-X009 Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ620GB-X009T |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
ILQ620GB-X009T Optocouplers - analog output
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ILQ621 |
![]() |
Виробник: VISHAY
ILQ621 Optocouplers - analog output
ILQ621 Optocouplers - analog output
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 279.17 грн |
17+ | 62.79 грн |
47+ | 59.20 грн |
ILQ621GB |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP16
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; THT; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 5.3kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: THT
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5.3kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: DIP16
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 228.94 грн |
10+ | 176.05 грн |
16+ | 69.07 грн |
42+ | 65.48 грн |
ILQ621GB-X009 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.42kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SMD16
Conform to the norm: UL
Turn-on time: 4.3µs
Turn-off time: 2.5µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: ILQ621GB
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 4; OUT: transistor; Uinsul: 4.42kV; Uce: 70V
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Number of channels: 4
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 4.42kV
CTR@If: 100-600%@5mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: SMD16
Conform to the norm: UL
Turn-on time: 4.3µs
Turn-off time: 2.5µs
Max. off-state voltage: 6V
Manufacturer series: ILQ621GB
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMBD4148-E3-08 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 8.98 грн |
49+ | 5.81 грн |
100+ | 3.83 грн |
250+ | 3.00 грн |
500+ | 2.45 грн |
607+ | 1.73 грн |
1500+ | 1.69 грн |
IMBD4148-HE3-08 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.15A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1V; Ifsm: 0.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: 7 inch reel
Leakage current: 50µA
Power dissipation: 0.35W
Capacitance: 4pF
Quantity in set/package: 3000pcs.
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 4.73 грн |
100+ | 4.10 грн |
335+ | 3.14 грн |
920+ | 2.97 грн |
12000+ | 2.92 грн |
IRF510PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.11 грн |
10+ | 53.93 грн |
32+ | 33.37 грн |
87+ | 31.57 грн |
1000+ | 30.59 грн |
IRF510SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.91 грн |
31+ | 35.86 грн |
84+ | 32.65 грн |
IRF510STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF510STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.6A; Idm: 20A; 43W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF520PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.5A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 745 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.76 грн |
10+ | 50.30 грн |
36+ | 29.51 грн |
99+ | 27.90 грн |
2000+ | 27.45 грн |
IRF530PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.27 грн |
38+ | 29.44 грн |
103+ | 26.82 грн |
IRF530SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.59 грн |
10+ | 54.21 грн |
30+ | 35.88 грн |
82+ | 34.09 грн |
IRF530STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF540PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 125.58 грн |
21+ | 53.28 грн |
57+ | 48.53 грн |
5000+ | 46.64 грн |
IRF540SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 20A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 20A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.34 грн |
10+ | 91.29 грн |
23+ | 47.54 грн |
62+ | 44.85 грн |
IRF540STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF540STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF610PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.03 грн |
50+ | 21.98 грн |
137+ | 20.00 грн |
IRF610SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF610STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF610STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF614PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF614SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.7A; Idm: 8A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF620PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 93.70 грн |
10+ | 62.97 грн |
31+ | 34.27 грн |
85+ | 32.38 грн |
5000+ | 31.22 грн |
IRF620SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF620STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF620STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.2A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF624PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
On-state resistance: 1.1Ω
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
On-state resistance: 1.1Ω
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF624SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
On-state resistance: 1.1Ω
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 14A
On-state resistance: 1.1Ω
Gate charge: 14nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF630PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 701 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 104.33 грн |
10+ | 77.87 грн |
26+ | 41.08 грн |
71+ | 38.84 грн |
IRF630SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.80 грн |
22+ | 50.11 грн |
61+ | 45.66 грн |
5000+ | 45.30 грн |
IRF630STRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF630STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9A; Idm: 36A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF634PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; 74W; TO220AB
Power dissipation: 74W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.59 грн |
10+ | 48.62 грн |
27+ | 40.36 грн |
74+ | 38.57 грн |
250+ | 37.49 грн |
1000+ | 37.05 грн |
IRF634STRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRF634STRRPBF SMD N channel transistors
IRF634STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF640PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.29 грн |
10+ | 117.28 грн |
26+ | 42.34 грн |
69+ | 40.01 грн |