Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP448PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFP450APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 632 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP450LCPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.6A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 74nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 674 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP450PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.7A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460BPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 278W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 62A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 983 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP9140PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -15A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 61nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 249 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP9240PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC Case: TO247AC Drain-source voltage: -200V Drain current: -7.5A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 44nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPC40PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.3A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO247AC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPC50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFPC50LCPBF | VISHAY | IRFPC50LCPBF THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFPC50PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPC60LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPC60PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPE30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPE50PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFPF30PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFPF40PBF | VISHAY | IRFPF40PBF THT N channel transistors |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFPF50PBF | VISHAY |
![]() |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFPG30PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 80nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPG40PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 447 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFPG50PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR010PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR014PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR014TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR014TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR014TRRPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR020TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR024PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR024TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR024TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR110PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR110TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR110TRLPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR110TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
IRFR120PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 930 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR120TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR120TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR120TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 31A Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.7A On-state resistance: 0.27Ω кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR1N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; 36W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.89A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR1N60ATRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Pulsed drain current: 5.6A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR1N60ATRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Power dissipation: 36W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Pulsed drain current: 5.6A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR210PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR210TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR210TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR214PBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR214TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR220PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 42W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 14nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 19A Mounting: SMD Case: DPAK; TO252 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFR220TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 3A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
IRFR220TRRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 4.8A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR224PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 2.4A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR224TRLPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR224TRPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR310PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFR310TRLPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
IRFR310TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 1.7A Power dissipation: 25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
IRFR320PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2A Power dissipation: 42W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 814 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFP448PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 84nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP450APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.04 грн |
8+ | 140.66 грн |
22+ | 128.27 грн |
IRFP450LCPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.6A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 74nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 674 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 485.90 грн |
9+ | 122.03 грн |
25+ | 111.23 грн |
IRFP450PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 264.68 грн |
9+ | 123.89 грн |
25+ | 113.02 грн |
IRFP460APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 247.30 грн |
5+ | 225.42 грн |
7+ | 173.12 грн |
17+ | 163.25 грн |
500+ | 161.46 грн |
IRFP460BPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 62A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; Idm: 62A; 278W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 278W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 62A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 289.80 грн |
8+ | 156.49 грн |
20+ | 142.62 грн |
100+ | 139.04 грн |
500+ | 137.24 грн |
IRFP460LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 406.69 грн |
6+ | 186.30 грн |
17+ | 169.53 грн |
IRFP460PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.32 грн |
6+ | 191.89 грн |
16+ | 174.92 грн |
2000+ | 167.74 грн |
IRFP9140PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 180W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -15A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 249 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.60 грн |
10+ | 194.68 грн |
11+ | 98.67 грн |
30+ | 93.29 грн |
IRFP9240PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -7.5A; 150W; TO247AC
Case: TO247AC
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -7.5A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 44nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.26 грн |
10+ | 119.23 грн |
13+ | 87.01 грн |
34+ | 82.52 грн |
IRFPC40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.3A; 150W; TO247AC
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 445.33 грн |
5+ | 255.23 грн |
10+ | 114.82 грн |
26+ | 108.54 грн |
IRFPC50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 331.34 грн |
8+ | 153.70 грн |
20+ | 139.93 грн |
IRFPC50LCPBF |
Виробник: VISHAY
IRFPC50LCPBF THT N channel transistors
IRFPC50LCPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFPC50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 298.49 грн |
8+ | 149.97 грн |
20+ | 136.34 грн |
IRFPC60LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.00 грн |
5+ | 231.01 грн |
14+ | 210.80 грн |
IRFPC60PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 481.07 грн |
5+ | 285.04 грн |
6+ | 204.52 грн |
15+ | 193.75 грн |
IRFPE30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFPE40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 343.90 грн |
7+ | 155.56 грн |
20+ | 141.73 грн |
IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.31 грн |
7+ | 172.33 грн |
18+ | 156.98 грн |
IRFPF30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPF30PBF THT N channel transistors
IRFPF30PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFPF40PBF |
Виробник: VISHAY
IRFPF40PBF THT N channel transistors
IRFPF40PBF THT N channel transistors
на замовлення 427 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 331.34 грн |
7+ | 150.70 грн |
20+ | 142.62 грн |
IRFPF50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFPF50PBF THT N channel transistors
IRFPF50PBF THT N channel transistors
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 283.04 грн |
6+ | 191.06 грн |
16+ | 180.30 грн |
IRFPG30PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 80nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 273.38 грн |
10+ | 112.71 грн |
28+ | 102.26 грн |
IRFPG40PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.99 грн |
7+ | 159.29 грн |
19+ | 145.31 грн |
IRFPG50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 406.69 грн |
7+ | 160.22 грн |
19+ | 145.31 грн |
500+ | 139.93 грн |
IRFR010PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR010PBF SMD N channel transistors
IRFR010PBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR014PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.80 грн |
10+ | 57.10 грн |
25+ | 50.77 грн |
34+ | 31.57 грн |
93+ | 29.87 грн |
IRFR014TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR014TRRPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.7A; Idm: 31A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR020TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR020TRPBF SMD N channel transistors
IRFR020TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR024PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.18 грн |
10+ | 49.18 грн |
31+ | 34.62 грн |
84+ | 32.74 грн |
1050+ | 31.48 грн |
IRFR024TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR024TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR110PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.48 грн |
10+ | 52.16 грн |
43+ | 24.49 грн |
118+ | 23.14 грн |
IRFR110TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR110TRLPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR120PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.59 грн |
10+ | 48.07 грн |
41+ | 25.83 грн |
112+ | 24.40 грн |
IRFR120TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR120TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR120TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.7A; Idm: 31A; 42W
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 31A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.7A
On-state resistance: 0.27Ω
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR1N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.89A; 36W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.38 грн |
25+ | 56.82 грн |
27+ | 39.65 грн |
73+ | 37.49 грн |
IRFR1N60ATRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR1N60ATRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 5.6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 36W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14nC
Pulsed drain current: 5.6A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR210PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.7A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.99 грн |
37+ | 29.44 грн |
102+ | 26.91 грн |
IRFR210TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR210TRLPBF SMD N channel transistors
IRFR210TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR210TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR210TRPBF SMD N channel transistors
IRFR210TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR214PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR214PBF SMD N channel transistors
IRFR214PBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR214TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR214TRPBF SMD N channel transistors
IRFR214TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR220PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 19A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.38 грн |
39+ | 28.22 грн |
107+ | 25.65 грн |
10050+ | 25.03 грн |
IRFR220TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3A; Idm: 19A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR220TRRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR224PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 2.4A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.48 грн |
7+ | 43.41 грн |
25+ | 36.60 грн |
33+ | 32.29 грн |
91+ | 30.50 грн |
IRFR224TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR224TRLPBF SMD N channel transistors
IRFR224TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR224TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFR224TRPBF SMD N channel transistors
IRFR224TRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR310PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.69 грн |
10+ | 48.34 грн |
33+ | 32.11 грн |
90+ | 30.32 грн |
IRFR310TRLPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR310TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.7A; Idm: 6A; 25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFR320PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.06 грн |
10+ | 42.57 грн |
35+ | 30.77 грн |
94+ | 29.06 грн |