Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI9540GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -7.6A Power dissipation: 48W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 449 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFI9610GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFI9620GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -12A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9634GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -2.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9640GPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.9A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 267 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFI9Z14GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFI9Z24GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: -34A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFI9Z34GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -8.5A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 879 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFIB5N65APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 21A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 930mΩ Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFIB6N60APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.5A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFIB7N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFIBC40GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.2A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFIBE20GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFIBE30GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFIBF30GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFIZ14GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFIZ24GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFIZ34GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFIZ44GPBF | VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 753 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFL014TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFL014TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFL110TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.96A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFL210TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 579 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFL210TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 960mA; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.96A Pulsed drain current: 7.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFL214TRPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.79A; Idm: 6.3A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.79A Pulsed drain current: 6.3A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3149 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFL9014TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.8A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.8A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFL9110TRPBF-BE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W Power dissipation: 3.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: -100V Drain current: -1.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFP048PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP048RPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP054PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 64A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP150PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 29A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP17N50LPBF | VISHAY | IRFP17N50LPBF THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IRFP21N60LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 330W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 84A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP22N50APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 277W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 318 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP22N60KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 88A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP23N50LPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 348 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP240PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 12A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 884 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP244PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 9.7A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 586 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP250PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP254PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 23A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 92A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP260PBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 29A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 623 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP264PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP26N60LPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 470W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP31N50LPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 587 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP32N50KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP340PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.9A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFP350LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 64A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 16A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 76nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP360LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 14A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP360PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 14A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP440PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
IRFI9540GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -7.6A; 48W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -7.6A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 449 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.46 грн |
10+ | 126.68 грн |
12+ | 89.70 грн |
33+ | 85.22 грн |
IRFI9610GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFI9610GPBF THT P channel transistors
IRFI9610GPBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFI9620GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3A; Idm: -12A; 30W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -12A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFI9630GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.85 грн |
10+ | 75.45 грн |
19+ | 56.51 грн |
52+ | 52.92 грн |
IRFI9634GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -2.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 167.12 грн |
10+ | 77.31 грн |
18+ | 60.10 грн |
49+ | 56.51 грн |
IRFI9640GPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.40 грн |
10+ | 88.80 грн |
14+ | 76.24 грн |
38+ | 72.66 грн |
IRFI9Z14GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFI9Z14GPBF THT P channel transistors
IRFI9Z14GPBF THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFI9Z24GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: -34A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFI9Z34GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.5A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.21 грн |
5+ | 68.00 грн |
10+ | 57.95 грн |
21+ | 50.23 грн |
58+ | 47.54 грн |
IRFIB5N65APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.1A; Idm: 21A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 21A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 930mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIB6N60APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 295.60 грн |
10+ | 135.07 грн |
11+ | 101.36 грн |
29+ | 95.98 грн |
IRFIB7N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIBC30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.26 грн |
4+ | 92.22 грн |
10+ | 78.04 грн |
15+ | 70.86 грн |
41+ | 66.38 грн |
250+ | 65.48 грн |
IRFIBC40GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; 40W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 40W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 162.29 грн |
3+ | 146.25 грн |
9+ | 118.40 грн |
25+ | 112.12 грн |
250+ | 108.54 грн |
IRFIBE20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
IRFIBE20GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 116.44 грн |
10+ | 99.57 грн |
13+ | 86.11 грн |
34+ | 81.63 грн |
IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.64 грн |
10+ | 115.51 грн |
13+ | 83.42 грн |
35+ | 78.94 грн |
IRFIBF30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIBF30GPBF THT N channel transistors
IRFIBF30GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIZ14GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIZ14GPBF THT N channel transistors
IRFIZ14GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIZ24GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIZ24GPBF THT N channel transistors
IRFIZ24GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIZ34GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIZ34GPBF THT N channel transistors
IRFIZ34GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIZ44GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
IRFIZ44GPBF THT N channel transistors
IRFIZ44GPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFIZ48GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 50W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 107.12 грн |
10+ | 92.39 грн |
14+ | 78.94 грн |
37+ | 74.45 грн |
IRFL014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.48 грн |
10+ | 42.20 грн |
54+ | 19.73 грн |
147+ | 18.66 грн |
10000+ | 17.94 грн |
IRFL014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFL110TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.89 грн |
50+ | 45.83 грн |
55+ | 19.29 грн |
150+ | 18.30 грн |
IRFL210TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 56.03 грн |
10+ | 53.65 грн |
34+ | 31.57 грн |
92+ | 29.87 грн |
2500+ | 29.15 грн |
IRFL210TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 960mA; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 960mA; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 7.7A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFL214TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.79A; Idm: 6.3A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.79A
Pulsed drain current: 6.3A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.79A; Idm: 6.3A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.79A
Pulsed drain current: 6.3A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.69 грн |
10+ | 56.26 грн |
50+ | 21.44 грн |
135+ | 20.27 грн |
12500+ | 19.55 грн |
IRFL9014TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.8A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.8A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFL9110TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.01 грн |
5+ | 60.17 грн |
10+ | 49.16 грн |
50+ | 21.08 грн |
138+ | 19.91 грн |
IRFL9110TRPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1.1A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP048PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP048RPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 178.71 грн |
5+ | 145.31 грн |
11+ | 100.46 грн |
30+ | 95.08 грн |
IRFP054PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 64A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 64A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 353.56 грн |
8+ | 144.38 грн |
21+ | 130.96 грн |
IRFP064PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.42 грн |
6+ | 194.68 грн |
16+ | 176.71 грн |
IRFP140PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 249.23 грн |
5+ | 107.12 грн |
14+ | 79.83 грн |
37+ | 75.35 грн |
IRFP150PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 29A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 29A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 233.77 грн |
10+ | 187.23 грн |
12+ | 89.70 грн |
33+ | 84.32 грн |
IRFP17N50LPBF |
Виробник: VISHAY
IRFP17N50LPBF THT N channel transistors
IRFP17N50LPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP21N60LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP22N50APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 277W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 277W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 396.06 грн |
6+ | 189.09 грн |
16+ | 172.22 грн |
500+ | 165.05 грн |
IRFP22N60KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 88A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP23N50LPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; Idm: 92A; 370W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 370W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 578.63 грн |
5+ | 236.60 грн |
13+ | 216.18 грн |
IRFP240PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 12A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 164.22 грн |
10+ | 141.59 грн |
13+ | 84.32 грн |
35+ | 79.83 грн |
1500+ | 77.14 грн |
IRFP244PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 9.7A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 586 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.07 грн |
5+ | 122.03 грн |
12+ | 90.60 грн |
32+ | 86.11 грн |
1000+ | 84.32 грн |
IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 304.29 грн |
10+ | 134.14 грн |
11+ | 100.46 грн |
30+ | 95.08 грн |
IRFP254PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 23A; Idm: 92A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 23A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 92A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 357.42 грн |
9+ | 133.20 грн |
23+ | 121.10 грн |
IRFP260PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 29A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 29A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 353.56 грн |
6+ | 206.79 грн |
15+ | 188.37 грн |
IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 400.89 грн |
6+ | 189.09 грн |
16+ | 172.22 грн |
500+ | 166.84 грн |
1000+ | 165.94 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 470W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 470W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 725.47 грн |
4+ | 330.68 грн |
10+ | 300.50 грн |
IRFP31N50LPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 414.41 грн |
4+ | 275.72 грн |
5+ | 264.62 грн |
11+ | 250.26 грн |
IRFP32N50KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 683.93 грн |
4+ | 328.82 грн |
10+ | 299.60 грн |
IRFP340PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.9A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 304.29 грн |
10+ | 119.23 грн |
26+ | 108.54 грн |
IRFP350LCPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 64A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 16A; Idm: 64A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 16A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRFP350PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 311.05 грн |
9+ | 135.07 грн |
23+ | 122.89 грн |
500+ | 121.10 грн |
IRFP360LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.51 грн |
5+ | 234.74 грн |
7+ | 173.12 грн |
17+ | 164.15 грн |
IRFP360PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 14A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 14A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 378.67 грн |
7+ | 173.26 грн |
18+ | 157.87 грн |
IRFP440PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 192.23 грн |
5+ | 167.67 грн |
9+ | 122.89 грн |
24+ | 116.61 грн |