Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (350298) > Сторінка 859 з 5839

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 583 854 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5839  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFBC40ASTRLPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.29 грн
10+115.51 грн
14+75.35 грн
39+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+69.86 грн
10+61.00 грн
20+54.72 грн
50+53.82 грн
53+52.03 грн
250+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF VISHAY IRFBC40S_IRFBC40L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20PBF VISHAY IRFBE20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.53 грн
10+78.71 грн
19+56.33 грн
52+53.28 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF VISHAY tf-irfbe30lpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF VISHAY IRFBE30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.25 грн
10+98.74 грн
17+65.48 грн
45+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30SPBF VISHAY IRFBE30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.47 грн
11+100.60 грн
30+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBF VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20LPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF VISHAY 91120.pdf IRFBF20PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.50 грн
18+60.10 грн
48+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30PBF VISHAY IRFBF30.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+147.80 грн
10+98.74 грн
17+65.48 грн
45+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBF VISHAY sihbf30s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF VISHAY IRFBG20PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 0.86A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.93 грн
10+101.72 грн
19+55.34 грн
53+52.30 грн
500+52.03 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3 VISHAY sihbg20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.88 грн
18+61.48 грн
50+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF VISHAY sihfd014.pdf IRFD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.27 грн
35+30.32 грн
96+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF VISHAY sihfd020.pdf IRFD020PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF VISHAY IRFD024PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+151.66 грн
10+97.81 грн
26+41.26 грн
71+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF IRFD110PBF VISHAY IRFD110PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.71A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.71A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.43 грн
10+46.11 грн
54+20.27 грн
146+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBF VISHAY sihfd113.pdf IRFD113PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF IRFD120PBF VISHAY IRFD120PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+97.57 грн
10+49.65 грн
38+28.17 грн
103+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF VISHAY sihfd123.pdf IRFD123PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF VISHAY IRFD210PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.76 грн
8+39.12 грн
25+33.82 грн
39+26.94 грн
108+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF VISHAY sihfd220.pdf IRFD220PBF THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.63 грн
29+36.39 грн
80+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF VISHAY sihfd224.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF VISHAY IRFD420PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.76 грн
6+55.14 грн
25+42.16 грн
69+40.36 грн
500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF VISHAY sihfd901.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP
Case: HVMDIP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF VISHAY IRFD9014PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.31 грн
6+47.69 грн
25+40.45 грн
29+36.47 грн
80+34.48 грн
500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF IRFD9020PBF VISHAY sihfd902.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: THT
Case: HVMDIP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.05 грн
10+72.39 грн
28+38.66 грн
75+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF VISHAY sihfd902.pdf IRFD9024PBF THT P channel transistors
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.85 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF IRFD9110PBF VISHAY irfd9110.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.07 грн
10+65.11 грн
34+31.40 грн
92+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF VISHAY sihfd912.pdf IRFD9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.21 грн
33+32.20 грн
90+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF VISHAY sihfd921.pdf IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
35+30.80 грн
94+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.23 грн
10+86.63 грн
24+43.95 грн
66+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF VISHAY sihfdc20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY sihfi510.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.55 грн
10+59.34 грн
28+38.21 грн
76+36.15 грн
5000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI520GPBF IRFI520GPBF VISHAY IRFI520G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBF IRFI530GPBF VISHAY IRFI530G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540GPBF VISHAY IRFI540G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.87 грн
10+77.31 грн
19+56.51 грн
52+53.82 грн
500+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBF VISHAY 91146.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY IRFI630G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.54 грн
23+49.37 грн
62+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF VISHAY 91149.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640GPBF VISHAY IRFI640G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.06 грн
10+136.00 грн
15+70.86 грн
41+67.28 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY IRFI644G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.77 грн
5+163.01 грн
10+135.45 грн
12+87.91 грн
33+82.52 грн
2000+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF VISHAY sihfi720.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBF VISHAY 91153.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBF VISHAY 91155.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF IRFI740GPBF VISHAY irfi740gpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.22 грн
22+50.30 грн
60+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBF IRFI820GPBF VISHAY IRFI820G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.12 грн
10+79.18 грн
21+52.03 грн
56+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830GPBF VISHAY IRFI830G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.59 грн
10+114.57 грн
18+59.20 грн
49+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF IRFI840GLCPBF VISHAY IRFI840GLC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+94.08 грн
10+79.83 грн
16+69.97 грн
42+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF VISHAY IRFI840GPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.36 грн
10+157.42 грн
15+74.45 грн
39+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBF IRFI9520GPBF VISHAY IRFI9520G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530GPBF VISHAY IRFI9530G.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+96.60 грн
4+83.84 грн
10+71.76 грн
18+61.89 грн
47+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40ASTRRPBF sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.29 грн
10+115.51 грн
14+75.35 грн
39+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 537 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+69.86 грн
10+61.00 грн
20+54.72 грн
50+53.82 грн
53+52.03 грн
250+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBF IRFBC40S_IRFBC40L.pdf
IRFBC40SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBF sihfbc40.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF IRFBE20.pdf
IRFBE20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 7.2A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 7.2A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+98.53 грн
10+78.71 грн
19+56.33 грн
52+53.28 грн
1000+51.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBF tf-irfbe30lpbf.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF IRFBE30PBF.pdf
IRFBE30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.25 грн
10+98.74 грн
17+65.48 грн
45+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBF IRFBE30.pdf
IRFBE30SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.47 грн
11+100.60 грн
30+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.1A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.1A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20LPBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF 91120.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.50 грн
18+60.10 грн
48+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBF sihfb20s.pdf
Виробник: VISHAY
IRFBF20STRRPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30PBF IRFBF30.pdf
IRFBF30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 2.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+147.80 грн
10+98.74 грн
17+65.48 грн
45+61.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF30STRLPBF sihbf30s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3.6A; Idm: 14A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF IRFBG20PBF.pdf
IRFBG20PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.86A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 0.86A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.93 грн
10+101.72 грн
19+55.34 грн
53+52.30 грн
500+52.03 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG20PBF-BE3 sihbg20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.4A; Idm: 5.6A; 54W; TO220AB
On-state resistance: 11Ω
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 1kV
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 5.6A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 858 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.88 грн
18+61.48 грн
50+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD014PBF sihfd014.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD014PBF THT N channel transistors
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.27 грн
35+30.32 грн
96+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD020PBF sihfd020.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD020PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD024PBF IRFD024PBF.pdf
IRFD024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+151.66 грн
10+97.81 грн
26+41.26 грн
71+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD110PBF IRFD110PBF.pdf
IRFD110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.71A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.71A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.43 грн
10+46.11 грн
54+20.27 грн
146+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD113PBF sihfd113.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD113PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD120PBF IRFD120PBF.pdf
IRFD120PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.94A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+97.57 грн
10+49.65 грн
38+28.17 грн
103+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD123PBF sihfd123.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD123PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD210PBF IRFD210PBF.pdf
IRFD210PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.38A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.38A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.76 грн
8+39.12 грн
25+33.82 грн
39+26.94 грн
108+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD220PBF sihfd220.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD220PBF THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.63 грн
29+36.39 грн
80+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD224PBF sihfd224.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 630mA; Idm: 5A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 5A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD420PBF IRFD420PBF.pdf
IRFD420PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 0.23A; 1W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 1W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.76 грн
6+55.14 грн
25+42.16 грн
69+40.36 грн
500+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9010PBF sihfd901.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP
Case: HVMDIP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -1.1A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9014PBF IRFD9014PBF.pdf
IRFD9014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4
Case: DIP4
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.8A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.31 грн
6+47.69 грн
25+40.45 грн
29+36.47 грн
80+34.48 грн
500+33.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9020PBF sihfd902.pdf
IRFD9020PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -13A; 1.3W; HVMDIP
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -13A
Mounting: THT
Case: HVMDIP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.05 грн
10+72.39 грн
28+38.66 грн
75+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9024PBF sihfd902.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9024PBF THT P channel transistors
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.85 грн
31+34.62 грн
84+32.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9110PBF irfd9110.pdf
IRFD9110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.07 грн
10+65.11 грн
34+31.40 грн
92+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9120PBF sihfd912.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9120PBF THT P channel transistors
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.21 грн
33+32.20 грн
90+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9210PBF sihfd921.pdf
Виробник: VISHAY
IRFD9210PBF THT P channel transistors
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
35+30.80 грн
94+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFD9220PBF IRFD9220PBF.pdf
IRFD9220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -360mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.23 грн
10+86.63 грн
24+43.95 грн
66+41.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFDC20PBF sihfdc20.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 320mA; Idm: 2.6A; 1W; HVMDIP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.32A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1W
Case: HVMDIP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI510GPBF sihfi510.pdf
IRFI510GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 18A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.55 грн
10+59.34 грн
28+38.21 грн
76+36.15 грн
5000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI520GPBF IRFI520G.pdf
IRFI520GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.1A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530GPBF IRFI530G.pdf
IRFI530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540GPBF IRFI540G.pdf
IRFI540GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.87 грн
10+77.31 грн
19+56.51 грн
52+53.82 грн
500+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI620GPBF 91146.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.1A; Idm: 16A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.1A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI630GPBF IRFI630G.pdf
IRFI630GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.54 грн
23+49.37 грн
62+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI634GPBF 91149.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.6A; Idm: 22A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5.6A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI640GPBF IRFI640G.pdf
IRFI640GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.06 грн
10+136.00 грн
15+70.86 грн
41+67.28 грн
1000+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI644GPBF IRFI644G.pdf
IRFI644GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.77 грн
5+163.01 грн
10+135.45 грн
12+87.91 грн
33+82.52 грн
2000+79.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI720GPBF sihfi720.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.6A; Idm: 10A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI730GPBF 91153.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.7A; Idm: 15A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GLCPBF description 91155.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5.7A; Idm: 23A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI740GPBF irfi740gpbf.pdf
IRFI740GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3.4A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1493 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.22 грн
22+50.30 грн
60+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI820GPBF IRFI820G.pdf
IRFI820GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.3A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.12 грн
10+79.18 грн
21+52.03 грн
56+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI830GPBF IRFI830G.pdf
IRFI830GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.59 грн
10+114.57 грн
18+59.20 грн
49+56.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GLCPBF IRFI840GLC.pdf
IRFI840GLCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+94.08 грн
10+79.83 грн
16+69.97 грн
42+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI840GPBF IRFI840GPBF.pdf
IRFI840GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.36 грн
10+157.42 грн
15+74.45 грн
39+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9520GPBF IRFI9520G.pdf
IRFI9520GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI9530GPBF IRFI9530G.pdf
IRFI9530GPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+96.60 грн
4+83.84 грн
10+71.76 грн
18+61.89 грн
47+58.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 583 854 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 1166 1749 2332 2915 3498 4081 4664 5247 5830 5839  [ Наступна Сторінка >> ]