Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (71654) > Сторінка 158 з 1195
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BZT52C3V6LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
на замовлення 1156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C4V3LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±7% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C4V7LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V |
на замовлення 9351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DCX100NS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DDC144NS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DDTA144ELP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 99553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DDTC114ELP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DDTC114YLP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
на замовлення 11085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 69830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP3030SN-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 87779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DZT3150-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 |
на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DZT851-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DZT853-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DZT951-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223 |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DZT953-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HBDM60V600W-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3S120L-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V |
на замовлення 12078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3SD2580-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 250mA Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C13-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C15-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V |
на замовлення 23820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C16-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 42514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C18-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V |
на замовлення 34995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C20-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 567048000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C22-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C24-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 6363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C27-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C2V4-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323 |
на замовлення 1433869000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C2V7-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±7% Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C30-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C33-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 4184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C36-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C39-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V0-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323 |
на замовлення 350324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V6-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323 |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C4V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323 |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C4V7-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V |
на замовлення 35988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR2M30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V |
на замовлення 72476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR2U30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V |
на замовлення 82533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR3M30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V |
на замовлення 16330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR3U30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V |
на замовлення 11058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DZT3150-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 |
на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C13-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C20-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 567048000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C22-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C24-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 6363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C2V4-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323 |
на замовлення 1433869000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C30-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C39-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V0-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323 |
на замовлення 350324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C4V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V |
на замовлення 452500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FMMT417TD | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Avalanche Mode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DZ23C33-7-F | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3 |
на замовлення 289027000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC847PN-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DCP51-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DCP51-16-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DCP52-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BZT52C3V6LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.75 грн |
| 23+ | 13.29 грн |
| 100+ | 6.28 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| BZT52C4V3LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.96 грн |
| 23+ | 13.37 грн |
| 100+ | 6.46 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.14 грн |
| BZT52C4V7LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
на замовлення 9351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.77 грн |
| 42+ | 7.25 грн |
| 100+ | 4.87 грн |
| 500+ | 4.33 грн |
| 1000+ | 4.15 грн |
| DCX100NS-7 |
![]() |
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.30 грн |
| 12+ | 26.66 грн |
| 100+ | 15.98 грн |
| 500+ | 13.88 грн |
| 1000+ | 9.44 грн |
| DDC144NS-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DDTA144ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.81 грн |
| 16+ | 19.26 грн |
| 100+ | 12.98 грн |
| 500+ | 9.46 грн |
| DDTC114ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.38 грн |
| DDTC114YLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 250 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.18 грн |
| 25+ | 12.54 грн |
| 100+ | 7.83 грн |
| 500+ | 5.42 грн |
| 1000+ | 4.80 грн |
| DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.02 грн |
| 18+ | 17.30 грн |
| 100+ | 10.91 грн |
| 500+ | 7.63 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| DMN2004VK-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 69830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.44 грн |
| 14+ | 23.04 грн |
| 100+ | 14.68 грн |
| 500+ | 10.39 грн |
| 1000+ | 9.30 грн |
| DMP3030SN-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 87779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.87 грн |
| 14+ | 21.68 грн |
| 100+ | 13.78 грн |
| 500+ | 9.71 грн |
| 1000+ | 8.67 грн |
| DZT3150-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DZT851-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DZT853-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DZT951-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.85 грн |
| 10+ | 40.49 грн |
| 100+ | 31.01 грн |
| 500+ | 23.01 грн |
| 1000+ | 18.41 грн |
| DZT953-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HBDM60V600W-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3S120L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V
на замовлення 12078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.65 грн |
| 14+ | 22.43 грн |
| 100+ | 18.28 грн |
| 500+ | 13.04 грн |
| 1000+ | 11.72 грн |
| PD3SD2580-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.81 грн |
| 14+ | 21.83 грн |
| 100+ | 13.57 грн |
| 500+ | 8.72 грн |
| 1000+ | 6.71 грн |
| PD3Z284C13-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C15-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
на замовлення 23820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.02 грн |
| 13+ | 23.49 грн |
| 100+ | 16.34 грн |
| 500+ | 11.97 грн |
| 1000+ | 9.73 грн |
| PD3Z284C16-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323
на замовлення 42514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.59 грн |
| 12+ | 25.23 грн |
| 100+ | 18.82 грн |
| 500+ | 13.88 грн |
| 1000+ | 10.72 грн |
| PD3Z284C18-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V
на замовлення 34995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.02 грн |
| 17+ | 18.81 грн |
| 100+ | 13.31 грн |
| 500+ | 10.14 грн |
| 1000+ | 8.83 грн |
| PD3Z284C20-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
на замовлення 567048000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C22-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C24-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C27-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.73 грн |
| 11+ | 27.49 грн |
| 100+ | 20.51 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 11.68 грн |
| PD3Z284C2V4-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
на замовлення 1433869000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C2V7-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.96 грн |
| 20+ | 15.64 грн |
| 100+ | 11.38 грн |
| 500+ | 8.80 грн |
| PD3Z284C30-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C33-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C36-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C39-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C3V0-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C3V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
на замовлення 350324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C3V6-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C4V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C4V7-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
на замовлення 35988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.73 грн |
| 11+ | 27.57 грн |
| 100+ | 20.58 грн |
| 500+ | 15.18 грн |
| 1000+ | 11.73 грн |
| SBR2M30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 72476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.38 грн |
| 12+ | 25.53 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| 1000+ | 10.54 грн |
| SBR2U30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 82533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.38 грн |
| 12+ | 25.53 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| 1000+ | 10.54 грн |
| SBR3M30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.12 грн |
| 24+ | 12.77 грн |
| SBR3U30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.93 грн |
| 12+ | 25.98 грн |
| 100+ | 16.62 грн |
| 500+ | 11.82 грн |
| 1000+ | 10.60 грн |
| DZT3150-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C13-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C20-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
на замовлення 567048000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C22-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C24-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C2V4-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
на замовлення 1433869000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C30-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C39-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C3V0-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C3V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
на замовлення 350324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PD3Z284C4V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ZXMP10A18KTC |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
Description: MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.17W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 452500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 41.45 грн |
| 5000+ | 37.24 грн |
| 7500+ | 35.87 грн |
| 12500+ | 32.57 грн |
| FMMT417TD |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS NPN 100V 0.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 381.08 грн |
| DZ23C33-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3
Description: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT23-3
на замовлення 289027000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BC847PN-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DCP51-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DCP51-16-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
Description: TRANS PNP 45V 1A SOT-223
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DCP52-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.












