Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73311) > Сторінка 155 з 1222
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SBR60A60CT | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ARR SBR 60V 30A TO220-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Super Barrier Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BC846AS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 117944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC847CDLP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A X2-DFN1310-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 350mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Part Status: Active |
на замовлення 17000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BC856AS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 2801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C2V4LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.4V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±8% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V |
на замовлення 276433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C36LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 36V 250MW 2DFNCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0402 (1006 Metric) Tolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4022 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C39LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 39V 250MW DFN1006-2Packaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms Supplier Device Package: DFN1006-2 Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27.3 V |
на замовлення 180719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C3V0LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3V 250MW 2DFNCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0402 (1006 Metric) Tolerance: ±7% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C3V3LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.3V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C3V6LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BZT52C4V3LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFNCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 0402 (1006 Metric) Tolerance: ±7% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BZT52C4V7LP-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFNPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±6% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V |
на замовлення 9351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DCX100NS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DDC144NS-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DDTA144ELP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFNQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 99553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DDTC114ELP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNCurrent - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DDTC114YLP-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFNResistors Included: R1 and R2 Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-UFDFN Packaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V |
на замовлення 1651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2004K-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V |
на замовлення 11085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMN2004VK-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 69830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMP3030SN-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: SC-59-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V |
на замовлення 87779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DZT3150-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 |
на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DZT851-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DZT853-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DZT951-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223 |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DZT953-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Frequency - Transition: 125MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
HBDM60V600W-7 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-363 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA Power - Max: 200mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3S120L-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V |
на замовлення 12078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3SD2580-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323Current - Average Rectified (Io): 250mA Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 323 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Supplier Device Package: PowerDI™ 323 |
на замовлення 14950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C13-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C15-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V |
на замовлення 23820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C16-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 42514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C18-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Power - Max: 500 mW Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: PowerDI™ 323 Tolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 34995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C20-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 567048000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C22-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C24-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 6363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C27-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C2V4-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323 |
на замовлення 1433869000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C2V7-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323Tolerance: ±7% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PD3Z284C30-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C33-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 4184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C36-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C39-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V0-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323 |
на замовлення 350324000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V6-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323 |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C4V3-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323 |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C4V7-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323Tolerance: ±6% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerDI™ 323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: PowerDI™ 323 Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V |
на замовлення 35988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR2M30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V |
на замовлення 72476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR2U30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V |
на замовлення 82533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR3M30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V |
на замовлення 16330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SBR3U30P1-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V |
на замовлення 5429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DZT3150-13 | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223 |
на замовлення 3931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C13-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C20-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 567048000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C22-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C24-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323 |
на замовлення 6363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C2V4-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323 |
на замовлення 1433869000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C30-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C39-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PD3Z284C3V0-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SBR60A60CT |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 60V 30A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Super Barrier
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SBR 60V 30A TO220-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: TO-220-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Super Barrier
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC846AS-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 117944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 27.12 грн |
| 19+ | 15.82 грн |
| 100+ | 9.97 грн |
| 500+ | 6.96 грн |
| 1000+ | 6.18 грн |
| BC847CDLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A X2-DFN1310-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 45V 0.1A X2-DFN1310-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 13+ | 24.25 грн |
| 100+ | 15.45 грн |
| 500+ | 10.93 грн |
| 1000+ | 9.77 грн |
| BC856AS-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 2801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.50 грн |
| 33+ | 9.18 грн |
| 100+ | 5.72 грн |
| 500+ | 3.93 грн |
| 1000+ | 3.47 грн |
| BZT52C2V4LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±8%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 2.4V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±8%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
на замовлення 276433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 18+ | 16.72 грн |
| 100+ | 10.47 грн |
| 500+ | 7.31 грн |
| 1000+ | 6.49 грн |
| BZT52C36LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 36V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ZENER 36V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.37 грн |
| 24+ | 12.46 грн |
| 100+ | 6.06 грн |
| 500+ | 5.62 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| BZT52C39LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 250MW DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Supplier Device Package: DFN1006-2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27.3 V
Description: DIODE ZENER 39V 250MW DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 130 Ohms
Supplier Device Package: DFN1006-2
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 27.3 V
на замовлення 180719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.82 грн |
| 27+ | 11.34 грн |
| 100+ | 5.63 грн |
| BZT52C3V0LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ZENER 3V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 33+ | 9.10 грн |
| 100+ | 5.48 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.81 грн |
| BZT52C3V3LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.3V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.3V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.10 грн |
| 15+ | 20.15 грн |
| 100+ | 12.73 грн |
| 500+ | 8.94 грн |
| 1000+ | 7.97 грн |
| BZT52C3V6LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.6V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C4V3LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ZENER 4.3V 250MW 2DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 250 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 21.70 грн |
| 23+ | 13.21 грн |
| 100+ | 6.38 грн |
| 500+ | 5.87 грн |
| 1000+ | 5.08 грн |
| BZT52C4V7LP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 4.7V 250MW 2DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Part Status: Active
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
на замовлення 9351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.62 грн |
| 42+ | 7.16 грн |
| 100+ | 4.81 грн |
| 500+ | 4.28 грн |
| 1000+ | 4.10 грн |
| DCX100NS-7 |
![]() |
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.87 грн |
| 12+ | 26.34 грн |
| 100+ | 15.79 грн |
| 500+ | 13.72 грн |
| 1000+ | 9.33 грн |
| DDC144NS-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DDTA144ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2A 3DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 300mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 40mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 99553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 16+ | 19.03 грн |
| 100+ | 12.82 грн |
| 500+ | 9.34 грн |
| DDTC114ELP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 70mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| DDTC114YLP-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
Resistors Included: R1 and R2
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 20.92 грн |
| 25+ | 12.39 грн |
| 100+ | 7.73 грн |
| 500+ | 5.36 грн |
| 1000+ | 4.74 грн |
| DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 16 V
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 18+ | 17.09 грн |
| 100+ | 10.78 грн |
| 500+ | 7.54 грн |
| 1000+ | 6.71 грн |
| DMN2004VK-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 69830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.97 грн |
| 14+ | 22.76 грн |
| 100+ | 14.51 грн |
| 500+ | 10.26 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| DMP3030SN-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-59-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
на замовлення 87779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.42 грн |
| 14+ | 21.42 грн |
| 100+ | 13.61 грн |
| 500+ | 9.59 грн |
| 1000+ | 8.56 грн |
| DZT3150-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DZT851-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DZT853-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 100V 6A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 130MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DZT951-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
Description: TRANS PNP 60V 5A SOT-223
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.27 грн |
| 10+ | 40.00 грн |
| 100+ | 30.64 грн |
| 500+ | 22.73 грн |
| 1000+ | 18.18 грн |
| DZT953-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency - Transition: 125MHz
Description: TRANS PNP 100V 5A SOT223-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 420mV @ 400mA, 4A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency - Transition: 125MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HBDM60V600W-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V, 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, 600mA
Power - Max: 200mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3S120L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V
Description: DIODE SCHOTTK 20V 1A POWERDI 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 46pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 420 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 160 µA @ 20 V
на замовлення 12078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.20 грн |
| 14+ | 22.16 грн |
| 100+ | 18.06 грн |
| 500+ | 12.89 грн |
| 1000+ | 11.57 грн |
| PD3SD2580-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Description: DIODE GP 80V 250MA POWERDI323
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Capacitance @ Vr, F: 2.3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 323
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
на замовлення 14950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.45 грн |
| 14+ | 21.57 грн |
| 100+ | 13.41 грн |
| 500+ | 8.61 грн |
| 1000+ | 6.62 грн |
| PD3Z284C13-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C15-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 500MW POWERDI323
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 10.5 V
на замовлення 23820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 13+ | 23.21 грн |
| 100+ | 16.14 грн |
| 500+ | 11.83 грн |
| 1000+ | 9.61 грн |
| PD3Z284C16-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 16V 500MW POWERDI323
на замовлення 42514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.22 грн |
| 12+ | 24.92 грн |
| 100+ | 18.59 грн |
| 500+ | 13.71 грн |
| 1000+ | 10.59 грн |
| PD3Z284C18-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 323
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE ZENER 18V 500MW POWERDI323
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 12.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerDI™ 323
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 34995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.67 грн |
| 17+ | 18.58 грн |
| 100+ | 13.15 грн |
| 500+ | 10.01 грн |
| 1000+ | 8.72 грн |
| PD3Z284C20-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
на замовлення 567048000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C22-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C24-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C27-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 27V 500MW POWERDI323
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 11+ | 27.16 грн |
| 100+ | 20.26 грн |
| 500+ | 14.94 грн |
| 1000+ | 11.54 грн |
| PD3Z284C2V4-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
на замовлення 1433869000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C2V7-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 2.7V 500MW PWRDI323
Tolerance: ±7%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.37 грн |
| 10+ | 29.92 грн |
| 100+ | 19.21 грн |
| 500+ | 13.69 грн |
| 1000+ | 12.29 грн |
| PD3Z284C30-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C33-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 33V 500MW POWERDI323
на замовлення 4184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C36-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 36V 500MW POWERDI323
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C39-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C3V0-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C3V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3.3V POWERDI323
на замовлення 350324000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C3V6-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3.6V POWERDI323
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C4V3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 4.3V POWERDI323
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C4V7-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 4.7V POWERDI323
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: PowerDI™ 323
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
на замовлення 35988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 11+ | 27.24 грн |
| 100+ | 20.33 грн |
| 500+ | 15.00 грн |
| 1000+ | 11.59 грн |
| SBR2M30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 72476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 12+ | 25.22 грн |
| 100+ | 17.49 грн |
| 500+ | 12.82 грн |
| 1000+ | 10.42 грн |
| SBR2U30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 2A POWERDI123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 82533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.00 грн |
| 12+ | 25.22 грн |
| 100+ | 17.49 грн |
| 500+ | 12.82 грн |
| 1000+ | 10.42 грн |
| SBR3M30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 30 V
на замовлення 16330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 24+ | 12.61 грн |
| SBR3U30P1-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
Description: DIODE SBR 30V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 30 V
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.02 грн |
| 10+ | 33.13 грн |
| 100+ | 21.41 грн |
| 500+ | 15.33 грн |
| 1000+ | 13.79 грн |
| DZT3150-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
Description: TRANS NPN 25V 5A SOT-223
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C13-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 13V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C20-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 20V 500MW POWERDI323
на замовлення 567048000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C22-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 22V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C24-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 24V 500MW POWERDI323
на замовлення 6363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C2V4-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
Description: DIODE ZENER 2.4V POWERDI323
на замовлення 1433869000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PD3Z284C30-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 30V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C39-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 39V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PD3Z284C3V0-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
Description: DIODE ZENER 3V 500MW POWERDI323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
















