Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73311) > Сторінка 50 з 1222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1220 1222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FMMT620TA FMMT620TA Diodes Incorporated FMMT620.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 41744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.44 грн
6000+11.88 грн
9000+11.35 грн
15000+10.08 грн
21000+9.75 грн
30000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658ATA Diodes Incorporated FCX658A.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.65 грн
2000+15.46 грн
3000+14.68 грн
5000+12.95 грн
7000+12.46 грн
10000+11.99 грн
25000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525GTA Diodes Incorporated ZVN4525G.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 369000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.73 грн
2000+22.70 грн
3000+21.64 грн
5000+19.19 грн
7000+18.53 грн
10000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525ZTA Diodes Incorporated ZVN4525Z.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+24.80 грн
2000+21.87 грн
3000+20.84 грн
5000+18.47 грн
7000+17.83 грн
10000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA Diodes Incorporated ZVN4525E6.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525GTA Diodes Incorporated ZVP4525G.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.23 грн
2000+22.22 грн
3000+21.16 грн
5000+18.74 грн
7000+18.08 грн
10000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525ZTA Diodes Incorporated ZVP4525Z.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+78.72 грн
1000+64.31 грн
2500+61.10 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN2A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.70 грн
6000+20.71 грн
9000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.14 грн
6000+8.92 грн
9000+8.48 грн
15000+7.50 грн
21000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+44.56 грн
1000+34.96 грн
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+52.39 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.22 грн
6000+19.81 грн
9000+19.56 грн
15000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
6000+8.61 грн
9000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.21 грн
1000+55.23 грн
1500+52.85 грн
2500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.93 грн
2000+18.56 грн
3000+17.75 грн
5000+15.79 грн
7000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.14 грн
2000+19.44 грн
3000+18.48 грн
5000+16.33 грн
7000+15.74 грн
10000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.56 грн
6000+11.08 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11GTA Diodes Incorporated ZXMN10A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.04 грн
2000+18.50 грн
3000+17.61 грн
5000+15.58 грн
7000+15.02 грн
10000+14.47 грн
25000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN10A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated ZXMN10A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.52 грн
6000+11.96 грн
9000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000TA Diodes Incorporated ZHCS2000.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-26
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.98 грн
6000+14.91 грн
9000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6TA Diodes Incorporated ZXTD4591E6.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.84 грн
6000+15.85 грн
9000+15.18 грн
15000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TA Diodes Incorporated ZXTD09N50DE6.pdf Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.12 грн
6000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV201N14TA ZXFV201N14TA Diodes Incorporated zxfv201.pdf Description: IC AMPLIFIER VIDEO QUAD 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV202E5TA ZXFV202E5TA Diodes Incorporated ZXFVX.pdf Description: IC AMPLIFIER VIDEO SGL SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFBF08W20TC ZXFBF08W20TC Diodes Incorporated ZXFBF08.pdf Description: IC OPAMP BUFFER 100MHZ 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCD1000EQ16TA ZXCD1000EQ16TA Diodes Incorporated ZXCD1000.pdf Description: IC AMP CLASS D STEREO 1W 16QSOP
Supplier Device Package: 16-QSOP-EP
Max Output Power x Channels @ Load: 1W x 2 @ 8Ohm
Voltage - Supply: 12V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Package / Case: 16-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXSC300E5TA ZXSC300E5TA Diodes Incorporated ZXSC300.pdf Description: IC LED DRIVER CTRLR SOT23-5
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 8V
Voltage - Supply (Min): 0.8V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Topology: Step-Up (Boost)
Internal Switch(s): No
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Controller
Frequency: 200kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+38.95 грн
25+35.04 грн
100+28.87 грн
250+26.97 грн
500+25.81 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCT1009FTA ZXCT1009FTA Diodes Incorporated ZXCT1009.pdf Description: IC CURRENT MONITOR 1% SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Accuracy: ±1%
Current - Output: 9.98mA
Voltage - Input: 2.5V ~ 20V
Function: Current Monitor
Mounting Type: Surface Mount
Sensing Method: High-Side
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+48.06 грн
25+43.40 грн
100+35.88 грн
250+33.56 грн
500+32.17 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA ZXM66P02N8TA Diodes Incorporated ZXM66P02N8.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TA ZXMD65P02N8TA Diodes Incorporated ZXMD65P02N8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8TA Diodes Incorporated ZXM66P03N8.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TA ZXMD65P03N8TA Diodes Incorporated zxmd65p03n8.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA FMMT620TA Diodes Incorporated FMMT620.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.65 грн
100+21.80 грн
500+15.66 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658ATA Diodes Incorporated FCX658A.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.77 грн
10+37.61 грн
100+24.47 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525GTA Diodes Incorporated ZVN4525G.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 369818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.89 грн
10+54.40 грн
100+36.00 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525ZTA Diodes Incorporated ZVN4525Z.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.79 грн
10+52.68 грн
100+34.77 грн
500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6TA Diodes Incorporated ZVN4525E6.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525GTA Diodes Incorporated ZVP4525G.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 15182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+52.31 грн
100+34.45 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525ZTA Diodes Incorporated ZVP4525Z.pdf Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+70.59 грн
100+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.03 грн
10+112.53 грн
100+89.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN2A02X8.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN2A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.44 грн
10+49.85 грн
100+34.52 грн
500+27.07 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01FTA Diodes Incorporated ZXMN2A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
12+26.42 грн
100+16.89 грн
500+11.99 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8TA Diodes Incorporated ZXMN3B04N8.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.14 грн
10+65.07 грн
100+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A04DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+102.68 грн
100+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8TA Diodes Incorporated ZXMN3A06DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.34 грн
10+76.26 грн
100+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6TA Diodes Incorporated ZXMN3A03E6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+52.61 грн
100+34.74 грн
500+25.37 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01FTA Diodes Incorporated ZXMN3A01F.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.97 грн
12+26.79 грн
100+18.86 грн
500+13.47 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.78 грн
10+111.78 грн
100+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6TA Diodes Incorporated ZXMN6A08E6.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.46 грн
10+50.82 грн
100+33.54 грн
500+24.49 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.68 грн
100+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11GTA Diodes Incorporated ZXMN6A11G.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+48.28 грн
100+31.69 грн
500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated ZXMN6A07Z.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 48385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+46.56 грн
100+30.48 грн
500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07FTA Diodes Incorporated ZXMN6A07F.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.47 грн
10+32.01 грн
100+20.63 грн
500+14.73 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA FMMT620.pdf
FMMT620TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 41744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.44 грн
6000+11.88 грн
9000+11.35 грн
15000+10.08 грн
21000+9.75 грн
30000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658A.pdf
FCX658ATA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+17.65 грн
2000+15.46 грн
3000+14.68 грн
5000+12.95 грн
7000+12.46 грн
10000+11.99 грн
25000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525G.pdf
ZVN4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
на замовлення 369000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+25.73 грн
2000+22.70 грн
3000+21.64 грн
5000+19.19 грн
7000+18.53 грн
10000+18.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525Z.pdf
ZVN4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+24.80 грн
2000+21.87 грн
3000+20.84 грн
5000+18.47 грн
7000+17.83 грн
10000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6.pdf
ZVN4525E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525G.pdf
ZVP4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+25.23 грн
2000+22.22 грн
3000+21.16 грн
5000+18.74 грн
7000+18.08 грн
10000+17.43 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525Z.pdf
ZVP4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8.pdf
ZXMN2A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+78.72 грн
1000+64.31 грн
2500+61.10 грн
5000+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8.pdf
ZXMN2A02X8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6.pdf
ZXMN2A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.70 грн
6000+20.71 грн
9000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01F.pdf
ZXMN2A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.14 грн
6000+8.92 грн
9000+8.48 грн
15000+7.50 грн
21000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8.pdf
ZXMN3B04N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+44.56 грн
1000+34.96 грн
2500+32.91 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 23500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+52.39 грн
1000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8.pdf
ZXMN3A06DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+51.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6.pdf
ZXMN3A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.22 грн
6000+19.81 грн
9000+19.56 грн
15000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
ZXMN3A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 507000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.76 грн
6000+8.61 грн
9000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+62.21 грн
1000+55.23 грн
1500+52.85 грн
2500+47.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
ZXMN6A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+20.93 грн
2000+18.56 грн
3000+17.75 грн
5000+15.79 грн
7000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+22.14 грн
2000+19.44 грн
3000+18.48 грн
5000+16.33 грн
7000+15.74 грн
10000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.56 грн
6000+11.08 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A11GTA ZXMN10A11G.pdf
ZXMN10A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 50 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+21.04 грн
2000+18.50 грн
3000+17.61 грн
5000+15.58 грн
7000+15.02 грн
10000+14.47 грн
25000+14.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07ZTA ZXMN10A07Z.pdf
ZXMN10A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A07FTA ZXMN10A07F.pdf
ZXMN10A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.52 грн
6000+11.96 грн
9000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZHCS2000TA ZHCS2000.pdf
ZHCS2000TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOT26
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 2 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: SOT-26
Current - Average Rectified (Io): 2A
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 25V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1221000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.98 грн
6000+14.91 грн
9000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD4591E6TA ZXTD4591E6.pdf
ZXTD4591E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V 1A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Power - Max: 1.1W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.84 грн
6000+15.85 грн
9000+15.18 грн
15000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6.pdf
ZXTD09N50DE6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+27.12 грн
6000+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV201N14TA zxfv201.pdf
ZXFV201N14TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMPLIFIER VIDEO QUAD 14-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFV202E5TA ZXFVX.pdf
ZXFV202E5TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMPLIFIER VIDEO SGL SOT23-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXFBF08W20TC ZXFBF08.pdf
ZXFBF08W20TC
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC OPAMP BUFFER 100MHZ 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCD1000EQ16TA ZXCD1000.pdf
ZXCD1000EQ16TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC AMP CLASS D STEREO 1W 16QSOP
Supplier Device Package: 16-QSOP-EP
Max Output Power x Channels @ Load: 1W x 2 @ 8Ohm
Voltage - Supply: 12V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
Type: Class D
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: 2-Channel (Stereo)
Package / Case: 16-LSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Features: Depop, Short-Circuit and Thermal Protection
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXSC300E5TA ZXSC300.pdf
ZXSC300E5TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC LED DRIVER CTRLR SOT23-5
Part Status: Active
Voltage - Supply (Max): 8V
Voltage - Supply (Min): 0.8V
Supplier Device Package: SOT-23-5
Topology: Step-Up (Boost)
Internal Switch(s): No
Applications: Backlight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: DC DC Controller
Frequency: 200kHz
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+38.95 грн
25+35.04 грн
100+28.87 грн
250+26.97 грн
500+25.81 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCT1009FTA ZXCT1009.pdf
ZXCT1009FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC CURRENT MONITOR 1% SOT23-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Accuracy: ±1%
Current - Output: 9.98mA
Voltage - Input: 2.5V ~ 20V
Function: Current Monitor
Mounting Type: Surface Mount
Sensing Method: High-Side
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+48.06 грн
25+43.40 грн
100+35.88 грн
250+33.56 грн
500+32.17 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P02N8TA ZXM66P02N8.pdf
ZXM66P02N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2068 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P02N8TA ZXMD65P02N8.pdf
ZXMD65P02N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM66P03N8TA ZXM66P03N8.pdf
ZXM66P03N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 6.25A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1979 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.25A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD65P03N8TA zxmd65p03n8.pdf
ZXMD65P03N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA FMMT620.pdf
FMMT620TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-23-3
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.65 грн
100+21.80 грн
500+15.66 грн
1000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX658ATA FCX658A.pdf
FCX658ATA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89-3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 46145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.77 грн
10+37.61 грн
100+24.47 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525GTA ZVN4525G.pdf
ZVN4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
на замовлення 369818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.89 грн
10+54.40 грн
100+36.00 грн
500+26.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525ZTA ZVN4525Z.pdf
ZVN4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.79 грн
10+52.68 грн
100+34.77 грн
500+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4525E6TA ZVN4525E6.pdf
ZVN4525E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525GTA ZVP4525G.pdf
ZVP4525GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 265MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 15182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+52.31 грн
100+34.45 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP4525ZTA ZVP4525Z.pdf
ZVP4525ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 250V 205MA SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V
Vgs (Max): ±40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+70.59 грн
100+47.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A04DN8TA ZXMN2A04DN8.pdf
ZXMN2A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1880pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.03 грн
10+112.53 грн
100+89.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A02X8TA ZXMN2A02X8.pdf
ZXMN2A02X8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A03E6TA ZXMN2A03E6.pdf
ZXMN2A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 837 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.44 грн
10+49.85 грн
100+34.52 грн
500+27.07 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN2A01FTA ZXMN2A01F.pdf
ZXMN2A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 303 pF @ 15 V
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+44.17 грн
12+26.42 грн
100+16.89 грн
500+11.99 грн
1000+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3B04N8TA ZXMN3B04N8.pdf
ZXMN3B04N8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.14 грн
10+65.07 грн
100+50.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A04DN8TA ZXMN3A04DN8.pdf
ZXMN3A04DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 12.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.81W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.93 грн
10+102.68 грн
100+69.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A06DN8TA ZXMN3A06DN8.pdf
ZXMN3A06DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 796pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.34 грн
10+76.26 грн
100+59.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A03E6TA ZXMN3A03E6.pdf
ZXMN3A03E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 37420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+52.61 грн
100+34.74 грн
500+25.37 грн
1000+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN3A01FTA ZXMN3A01F.pdf
ZXMN3A01FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
на замовлення 508393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.97 грн
12+26.79 грн
100+18.86 грн
500+13.47 грн
1000+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TA ZXMN6A09DN8.pdf
ZXMN6A09DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+179.78 грн
10+111.78 грн
100+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA ZXMN6A08E6.pdf
ZXMN6A08E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.46 грн
10+50.82 грн
100+33.54 грн
500+24.49 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TA ZXMN6A11DN8.pdf
ZXMN6A11DN8TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+57.68 грн
100+38.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTA ZXMN6A11G.pdf
ZXMN6A11GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+48.28 грн
100+31.69 грн
500+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTA ZXMN6A07Z.pdf
ZXMN6A07ZTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 48385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+46.56 грн
100+30.48 грн
500+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA ZXMN6A07F.pdf
ZXMN6A07FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 9217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.47 грн
10+32.01 грн
100+20.63 грн
500+14.73 грн
1000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1220 1222  [ Наступна Сторінка >> ]