Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74185) > Сторінка 1235 з 1237

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
MURS160Q-13-F DIODES INCORPORATED MURS160Q.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ8V2-13-F SMAZ8V2-13-F DIODES INCORPORATED SMAZx-13-F.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 8.2V; 122mA; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 8.2V
Zener current: 122mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.43 грн
51+7.99 грн
100+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5923B-13 1SMB5923B-13 DIODES INCORPORATED 1SMB59xxB_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SMB; single diode; 5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.51 грн
35+11.70 грн
100+7.99 грн
500+6.45 грн
1000+5.97 грн
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.31 грн
14+29.45 грн
100+16.78 грн
500+11.94 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 DIODES INCORPORATED DMP2200UDW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1000-7-F BAT1000-7-F DIODES INCORPORATED BAT1000.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 1A; reel,tape; 500mW
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 5.5A
Capacitance: 175pF
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ13ADF-13 DIODES INCORPORATED P4SMAJ50ADF_P4SMAJ85ADF.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.4÷15.9V; 18.6A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JU-7-F DIODES INCORPORATED DDA_XXXX_U.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JH-7 DIODES INCORPORATED ds30420.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT563
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 80
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10-7-F BZX84C10-7-F DIODES INCORPORATED BZX84Cxx_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10W-7-F BZX84C10W-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxW_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 10V; SMD; reel,tape; SOT323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.29 грн
59+6.94 грн
106+3.82 грн
500+2.86 грн
1000+2.62 грн
3000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10T-7-F BZX84C10T-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxT_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 10V; SMD; reel,tape; SOT523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10Q-7-F DIODES INCORPORATED ds18001.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10S-7-F BZX84C10S-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxS_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 10V; SMD; reel,tape; SOT363; double independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10TS-7-F DIODES INCORPORATED BCX84C2V4TS-39TS.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; SMD
Type of diode: Zener
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP3928S-13 DIODES INCORPORATED AP3928.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 600mA; Ch: 1; SO8; buck; 6.5Ω; 7.9÷19V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Topology: buck
On-state resistance: 6.5Ω
Supply voltage: 7.9...19V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC330F01TA ZRC330F01TA DIODES INCORPORATED ZRC330.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 3.3V; ±1%; SOT23; reel,tape; 5mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 3.3V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.16 грн
10+46.15 грн
25+41.79 грн
50+39.05 грн
100+36.87 грн
250+34.45 грн
500+33.32 грн
3000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7 DMN601K-7 DIODES INCORPORATED DMN601K.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.08 грн
139+2.90 грн
182+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC04AT14-13 DIODES INCORPORATED 74LVC04A.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; TSSOP14; 1.65÷5.5VDC; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Technology: CMOS
Case: TSSOP14
Number of channels: 6
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 DIODES INCORPORATED ABS210.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; SOPA4
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Case: SOPA4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ15ADF-13 DIODES INCORPORATED P4SMAJ50ADF_P4SMAJ85ADF.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CA-13-F SMAJ40CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.16 грн
44+9.20 грн
57+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-13-F SMAJ40A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.64 грн
34+11.94 грн
40+10.25 грн
100+5.97 грн
500+4.68 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ43A-13-F SMAJ43A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 47.8÷52.8V; 5.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 5.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.77 грн
35+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AP431SBN1TR-G1 AP431SBN1TR-G1 DIODES INCORPORATED AP431S.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+33.02 грн
19+21.62 грн
23+17.59 грн
100+9.20 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AP431SHANTR-G1 AP431SHANTR-G1 DIODES INCORPORATED AP431S.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.5%; SOT23; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.38 грн
30+13.55 грн
34+12.02 грн
40+10.08 грн
100+8.07 грн
250+7.26 грн
500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CA-13-F SMAJ20CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+434.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16W-7 DIODES INCORPORATED BC807-16W_-25W_-40W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4424A ZVN4424A DIODES INCORPORATED ZVN4424A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; Idm: 1.5A; 0.75W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.62 грн
6+67.93 грн
10+61.23 грн
50+47.52 грн
100+42.76 грн
250+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G04QSE-7 DIODES INCORPORATED 74AHC1G04Q.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMPH4015SK3Q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7 DMN65D8L-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.95 грн
84+4.84 грн
124+3.26 грн
148+2.73 грн
500+1.87 грн
1500+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.67 грн
19+21.62 грн
22+18.39 грн
100+10.17 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DIODES INCORPORATED DMN65D8LFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN65D8LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12Q-13-F DIODES INCORPORATED ds18004.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQTA DIODES INCORPORATED ZXMP10A13FQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.67 грн
50+23.15 грн
100+21.78 грн
250+20.01 грн
500+18.72 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC ZXMP10A13FTC DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 DMN601DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30657.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Pulsed drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 304pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D58V0M4U8MR-13 DIODES INCORPORATED D58V0M4U8MR.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 24A; 2.7kW; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 58V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SO8
Max. forward impulse current: 24A
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 55pF
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 2.7kW
Application: Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ40CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.43 грн
49+8.39 грн
54+7.50 грн
61+6.62 грн
100+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CAQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3004SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CFFTA ZXTN19100CFFTA DIODES INCORPORATED ZXTN19100CFF.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 0.84W
Case: SOT23F
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.72 грн
8+57.44 грн
10+50.10 грн
50+34.29 грн
100+29.29 грн
500+21.62 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFHTA DIODES INCORPORATED ZXTN25100DFH.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.81W
Case: SOT23
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.08 грн
11+39.05 грн
25+30.82 грн
50+25.57 грн
100+21.46 грн
250+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54V-7 BAT54V-7 DIODES INCORPORATED ds30560.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
72+6.08 грн
80+5.08 грн
100+4.19 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
17+24.36 грн
20+20.90 грн
100+11.94 грн
500+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+33.88 грн
19+21.30 грн
50+15.01 грн
100+12.83 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100Z6-7 AP61100Z6-7 DIODES INCORPORATED AP61100-AP61102.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.59 грн
30+13.88 грн
34+12.18 грн
100+10.97 грн
250+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100QZ6-7 AP61100QZ6-7 DIODES INCORPORATED AP61100Q_AP61102Q.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Application: automotive industry
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.41 грн
21+19.52 грн
25+17.59 грн
50+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP2301AFGE-7 DIODES INCORPORATED AP23x1A.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
Type of integrated circuit: power switch
Active logical level: low
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN3030-8
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2A
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+31.28 грн
21+20.09 грн
25+17.91 грн
100+15.49 грн
250+14.44 грн
500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TA DIODES INCORPORATED ZDT6753.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TC DIODES INCORPORATED ZDT6753.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160Q-13-F MURS160Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ8V2-13-F SMAZx-13-F.pdf
SMAZ8V2-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 8.2V; 122mA; SMD; reel,tape; SMA; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 8.2V
Zener current: 122mA
Kind of package: reel; tape
Case: SMA
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.43 грн
51+7.99 грн
100+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5923B-13 1SMB59xxB_ser.pdf
1SMB5923B-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 8.2V; SMD; reel,tape; SMB; single diode; 5uA
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 8.2V
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 5µA
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.51 грн
35+11.70 грн
100+7.99 грн
500+6.45 грн
1000+5.97 грн
3000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
DMN10H220LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.31 грн
14+29.45 грн
100+16.78 грн
500+11.94 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW.pdf
DMP2200UDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1000-7-F BAT1000.pdf
BAT1000-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT23; SMD; 40V; 1A; reel,tape; 500mW
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.6V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 5.5A
Capacitance: 175pF
Power dissipation: 0.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ13ADF-13 P4SMAJ50ADF_P4SMAJ85ADF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 14.4÷15.9V; 18.6A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 13V
Breakdown voltage: 14.4...15.9V
Max. forward impulse current: 18.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JU-7-F DDA_XXXX_U.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT363; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 80
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDA123JH-7 ds30420.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT563; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP x2
Case: SOT563
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Current gain: 80
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10-7-F BZX84Cxx_SER.pdf
BZX84C10-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10W-7-F BZX84CxxW_SER.pdf
BZX84C10W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 10V; SMD; reel,tape; SOT323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.29 грн
59+6.94 грн
106+3.82 грн
500+2.86 грн
1000+2.62 грн
3000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10T-7-F BZX84CxxT_SER.pdf
BZX84C10T-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 10V; SMD; reel,tape; SOT523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT523
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10Q-7-F ds18001.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 10V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10S-7-F BZX84CxxS_SER.pdf
BZX84C10S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 10V; SMD; reel,tape; SOT363; double independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 10V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT363
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C10TS-7-F BCX84C2V4TS-39TS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; SMD
Type of diode: Zener
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP3928S-13 AP3928.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 600mA; Ch: 1; SO8; buck; 6.5Ω; 7.9÷19V
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Output current: 0.6A
Number of channels: 1
Case: SO8
Mounting: SMD
Topology: buck
On-state resistance: 6.5Ω
Supply voltage: 7.9...19V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZRC330F01TA ZRC330.pdf
ZRC330F01TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 3.3V; ±1%; SOT23; reel,tape; 5mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 3.3V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.16 грн
10+46.15 грн
25+41.79 грн
50+39.05 грн
100+36.87 грн
250+34.45 грн
500+33.32 грн
3000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601K-7 DMN601K.pdf
DMN601K-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.08 грн
139+2.90 грн
182+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC04AT14-13 74LVC04A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 6; CMOS; SMD; TSSOP14; 1.65÷5.5VDC; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Technology: CMOS
Case: TSSOP14
Number of channels: 6
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ABS210-13 ABS210.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1kV; If: 2A; Ifsm: 60A; SOPA4
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 60A
Case: SOPA4
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P4SMAJ15ADF-13 P4SMAJ50ADF_P4SMAJ85ADF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 16.7÷18.5V; 16.4A; unidirectional; D-FLAT
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 16.4A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: D-FLAT
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ40CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.16 грн
44+9.20 грн
57+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ40A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.64 грн
34+11.94 грн
40+10.25 грн
100+5.97 грн
500+4.68 грн
1000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ43A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ43A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 47.8÷52.8V; 5.7A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...52.8V
Max. forward impulse current: 5.7A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.77 грн
35+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AP431SBN1TR-G1 AP431S.pdf
AP431SBN1TR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.02 грн
19+21.62 грн
23+17.59 грн
100+9.20 грн
500+6.37 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AP431SHANTR-G1 AP431S.pdf
AP431SHANTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.495V; ±0.5%; SOT23; reel,tape
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.495V
Tolerance: ±0.5%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.495...36V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.38 грн
30+13.55 грн
34+12.02 грн
40+10.08 грн
100+8.07 грн
250+7.26 грн
500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ20CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ20CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 22.2÷24.5V; 12.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 20V
Breakdown voltage: 22.2...24.5V
Max. forward impulse current: 12.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC807-16W-7 BC807-16W_-25W_-40W.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Pulsed collector current: 1A
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN4424A ZVN4424A.pdf
ZVN4424A
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; Idm: 1.5A; 0.75W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Pulsed drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.75W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.62 грн
6+67.93 грн
10+61.23 грн
50+47.52 грн
100+42.76 грн
250+42.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74AHC1G04QSE-7 74AHC1G04Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SK3Q-13 DMPH4015SK3Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -10A; Idm: -100A; 3.3W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8L-7 DMN65D8L.pdf
DMN65D8L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.54W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.95 грн
84+4.84 грн
124+3.26 грн
148+2.73 грн
500+1.87 грн
1500+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LW-7 DMN65D8LW.pdf
DMN65D8LW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.67 грн
19+21.62 грн
22+18.39 грн
100+10.17 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDW-7 DMN65D8LDW.pdf
DMN65D8LDW-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7 DMN65D8LFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LDWQ-7 DMN65D8LDWQ.pdf
DMN65D8LDWQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LFB-7B DMN65D8LFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.84W
Case: X1-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-13 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN65D8LQ-7 DMN65D8LQ.pdf
DMN65D8LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 870pC
Pulsed drain current: 0.8A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12Q-13-F ds18004.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.37W; 12V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.37W
Zener voltage: 12V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQ.pdf
ZXMP10A13FQTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.67 грн
50+23.15 грн
100+21.78 грн
250+20.01 грн
500+18.72 грн
1000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC
ZXMP10A13FTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601DMK-7 ds30657.pdf
DMN601DMK-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; Idm: 0.85A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Pulsed drain current: 0.85A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 304pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D58V0M4U8MR-13 D58V0M4U8MR.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 24A; 2.7kW; unidirectional; SO8; Ch: 4; reel,tape
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 58V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SO8
Max. forward impulse current: 24A
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 55pF
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 4
Peak pulse power dissipation: 2.7kW
Application: Ethernet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ40CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.43 грн
49+8.39 грн
54+7.50 грн
61+6.62 грн
100+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CAQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3004SSS-13 DMP3004SSS.pdf
DMP3004SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18.7A; Idm: -110A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -110A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -18.7A
Gate charge: 156nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19100CFFTA ZXTN19100CFF.pdf
ZXTN19100CFFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 4.5A; 840mW; SOT23F
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 4.5A
Power dissipation: 0.84W
Case: SOT23F
Current gain: 200...500
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
на замовлення 3059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.72 грн
8+57.44 грн
10+50.10 грн
50+34.29 грн
100+29.29 грн
500+21.62 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN25100DFHTA ZXTN25100DFH.pdf
ZXTN25100DFHTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2.5A; 1.81W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.81W
Case: SOT23
Current gain: 20...900
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 175MHz
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.08 грн
11+39.05 грн
25+30.82 грн
50+25.57 грн
100+21.46 грн
250+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54V-7 ds30560.pdf
BAT54V-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT563; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
Reverse recovery time: 5ns
Leakage current: 2µA
Load current: 0.2A
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: double independent
Type of diode: Schottky switching
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.08 грн
80+5.08 грн
100+4.19 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV.pdf
DMG1023UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.88 грн
17+24.36 грн
20+20.90 грн
100+11.94 грн
500+8.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.88 грн
19+21.30 грн
50+15.01 грн
100+12.83 грн
500+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100Z6-7 AP61100-AP61102.pdf
AP61100Z6-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.59 грн
30+13.88 грн
34+12.18 грн
100+10.97 грн
250+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AP61100QZ6-7 AP61100Q_AP61102Q.pdf
AP61100QZ6-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 2.3÷5.5VDC; Uout: 0.6÷3.6VDC; 1A; SMD
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output voltage: 0.6...3.6V DC
Output current: 1A
Input voltage: 2.3...5.5V DC
Efficiency: 89%
Frequency: 2.2MHz
Application: automotive industry
Topology: buck
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.41 грн
21+19.52 грн
25+17.59 грн
50+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP23x1A.pdf
AP2301AFGE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side,USB switch; 2A; Ch: 1; P-Channel; SMD
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: high-side; USB switch
Type of integrated circuit: power switch
Active logical level: low
Kind of output: P-Channel
Kind of package: reel; tape
Case: U-DFN3030-8
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2A
Supply voltage: 2.7...5.5V DC
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.28 грн
21+20.09 грн
25+17.91 грн
100+15.49 грн
250+14.44 грн
500+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TA ZDT6753.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZDT6753TC ZDT6753.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 100V; 2A; SM8
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 2.75W
Case: SM8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 100
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 140MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1230 1231 1232 1233 1234 1235 1236 1237  [ Наступна Сторінка >> ]