Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73838) > Сторінка 547 з 1231

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 552 615 738 861 984 1107 1230 1231  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZXCT215CDW-7 ZXCT215CDW-7 Diodes Incorporated ZXCT21x.pdf Description: CM VOLTAGE OUTPUT SOT363 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Monitor
Voltage - Input: 2.7V ~ 26V
Accuracy: ±0.5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.53 грн
10+41.25 грн
25+34.18 грн
100+24.48 грн
250+20.75 грн
500+18.45 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7 DMN53D0LT-7 Diodes Incorporated DMN53D0LT.pdf Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
16+20.67 грн
100+10.45 грн
500+8.00 грн
1000+5.94 грн
2000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7-52 DMN53D0LDW-7-52 Diodes Incorporated DMN53D0LDW.pdf Description: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.37 грн
6000+7.88 грн
9000+6.98 грн
30000+6.46 грн
75000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13 DMN53D0LDWQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.36 грн
30000+7.00 грн
50000+5.95 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMJ65H650SCTI Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4 DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated DMWS120H100SM4.pdf Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1486.89 грн
30+902.97 грн
120+843.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9306UEX PI6ULS5V9306UEX Diodes Incorporated PI6ULS5V9306.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.3 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9306UEX PI6ULS5V9306UEX Diodes Incorporated PI6ULS5V9306.pdf Description: IC XLTR VL BIDIR 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.3 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.64 грн
10+52.89 грн
25+47.76 грн
100+39.53 грн
250+37.00 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B170-13-F-2477 Diodes Incorporated Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR99TA BAR99TA Diodes Incorporated Description: DIODE SWITCHING SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 SBRT10U60D1Q-13 Diodes Incorporated SBRT10U60D1Q.pdf Description: DIODE SBR 60V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 SBRT10U60D1Q-13 Diodes Incorporated SBRT10U60D1Q.pdf Description: DIODE SBR 60V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.94 грн
10+51.01 грн
100+42.57 грн
500+31.29 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LSC02120FW LSC02120FW Diodes Incorporated LSC02120FW.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 105pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: ITO-220AC (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 128 µA @ 1200 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.56 грн
10+210.92 грн
100+172.82 грн
500+138.06 грн
1000+116.44 грн
2000+110.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040CT-LS Diodes Incorporated Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040-LS Diodes Incorporated Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3060LCA3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3060LCA3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 11383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
15+22.80 грн
100+14.49 грн
500+10.22 грн
1000+9.14 грн
2000+8.22 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
US1KSAFS-13 US1KSAFS-13 Diodes Incorporated US1KSAFS.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A SMAFS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA-FS
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1KSAFS-13 US1KSAFS-13 Diodes Incorporated US1KSAFS.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 1A SMAFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA-FS
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.10 грн
20+16.89 грн
100+9.69 грн
500+7.49 грн
1000+6.29 грн
2000+5.90 грн
5000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSD.pdf Description: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6022SSD.pdf Description: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.68 грн
10+60.93 грн
100+47.53 грн
500+36.85 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5228BQ-7-F MMSZ5228BQ-7-F Diodes Incorporated ds18010.pdf Description: ZENER DIODE SOD123 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 370 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.82 грн
6000+2.57 грн
9000+2.19 грн
30000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144EUA-7-F-50 DDTC144EUA-7-F-50 Diodes Incorporated ds30321.pdf Description: Prebias Transistor SOT323 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC10A065 DSC10A065 Diodes Incorporated Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 436pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO220AC (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.33 грн
10+314.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27Q-7-F BZX84C27Q-7-F Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: DIODE ZENER 27V 300MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18.9 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.42 грн
15000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.46 грн
6000+13.22 грн
9000+12.28 грн
30000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN-7 Diodes Incorporated DMN3016LDN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.58 грн
10+35.34 грн
100+24.54 грн
500+17.99 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPSQ-13 DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.16 грн
5000+43.15 грн
12500+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPSQ-13 DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 442494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVWQ-7 DMTH46M7SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVWQ-7 DMTH46M7SFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.94 грн
10+50.35 грн
100+33.89 грн
500+25.92 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7 DMTH4014LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH4014LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7 DMTH4014LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH4014LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.42 грн
10+40.26 грн
100+26.55 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1772500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.03 грн
5000+25.08 грн
7500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1774988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.13 грн
10+53.06 грн
100+38.68 грн
500+31.38 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M8SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.09 грн
10+116.20 грн
100+80.90 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ-7 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.09 грн
10+44.12 грн
100+28.83 грн
500+20.85 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ-13 Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.45 грн
10+71.35 грн
100+48.68 грн
500+36.15 грн
1000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPS-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPS-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.28 грн
10+36.82 грн
100+25.32 грн
500+20.83 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.09 грн
10+44.20 грн
100+28.75 грн
500+21.39 грн
1000+18.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.25 грн
5000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+90.12 грн
100+60.73 грн
500+45.19 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.12 грн
5000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH45M5LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.92 грн
10+88.07 грн
100+59.39 грн
500+44.18 грн
1000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF32F6204Z Diodes Incorporated fcpdatasheet?file=UF%2FUF32F6204Z.pdf Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+254.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UF32F6204Z Diodes Incorporated fcpdatasheet?file=UF%2FUF32F6204Z.pdf Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.48 грн
10+353.20 грн
50+333.53 грн
100+294.61 грн
500+285.40 грн
1000+244.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S00-26SA-7 APX809S00-26SA-7 Diodes Incorporated APX809S-810S.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 1ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.78 грн
6000+8.52 грн
9000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S00-26SA-7 APX809S00-26SA-7 Diodes Incorporated APX809S-810S.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 1ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.54 грн
12+27.47 грн
25+22.57 грн
100+15.97 грн
250+13.41 грн
500+11.83 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-31SA-7 APX809S05-31SA-7 Diodes Incorporated APX809S-810S.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 3.08V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.82 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-31SA-7 APX809S05-31SA-7 Diodes Incorporated APX809S-810S.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 3.08V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.54 грн
12+27.47 грн
25+22.57 грн
100+15.97 грн
250+13.41 грн
500+11.83 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-46SR-7 APX809S05-46SR-7 Diodes Incorporated APX809S-810S.pdf Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 4.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BS-7 MMBZ5235BS-7 Diodes Incorporated ds31039.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.66 грн
55+6.07 грн
100+5.20 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BQ-7-F MMBZ5235BQ-7-F Diodes Incorporated MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf Description: ZENER DIODE SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
6000+2.37 грн
9000+2.02 грн
30000+1.75 грн
75000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BT-7-G Diodes Incorporated Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXCT215CDW-7 ZXCT21x.pdf
ZXCT215CDW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CM VOLTAGE OUTPUT SOT363 T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Sensing Method: High/Low-Side
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Monitor
Voltage - Input: 2.7V ~ 26V
Accuracy: ±0.5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.53 грн
10+41.25 грн
25+34.18 грн
100+24.48 грн
250+20.75 грн
500+18.45 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LT-7 DMN53D0LT.pdf
DMN53D0LT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 4776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
16+20.67 грн
100+10.45 грн
500+8.00 грн
1000+5.94 грн
2000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDW-7-52 DMN53D0LDW.pdf
DMN53D0LDW-7-52
Виробник: Diodes Incorporated
Description: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ.pdf
DMN53D0LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.37 грн
6000+7.88 грн
9000+6.98 грн
30000+6.46 грн
75000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-13 DMN53D0LDWQ.pdf
DMN53D0LDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 530000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.36 грн
30000+7.00 грн
50000+5.95 грн
100000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMJ65H650SCTI
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB (Type TH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMWS120H100SM4 DMWS120H100SM4.pdf
DMWS120H100SM4
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1486.89 грн
30+902.97 грн
120+843.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9306UEX PI6ULS5V9306.pdf
PI6ULS5V9306UEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC XLTR VL BIDIR 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.3 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI6ULS5V9306UEX PI6ULS5V9306.pdf
PI6ULS5V9306UEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC XLTR VL BIDIR 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 2
Voltage - VCCA: 1 V ~ 3.3 V
Voltage - VCCB: 1.8 V ~ 5.5 V
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.64 грн
10+52.89 грн
25+47.76 грн
100+39.53 грн
250+37.00 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
B170-13-F-2477
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 70 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR99TA
BAR99TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SWITCHING SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 SBRT10U60D1Q.pdf
SBRT10U60D1Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SBRT10U60D1Q-13 SBRT10U60D1Q.pdf
SBRT10U60D1Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.94 грн
10+51.01 грн
100+42.57 грн
500+31.29 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LSC02120FW LSC02120FW.pdf
LSC02120FW
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 2A ITO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 105pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: ITO-220AC (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 128 µA @ 1200 V
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.56 грн
10+210.92 грн
100+172.82 грн
500+138.06 грн
1000+116.44 грн
2000+110.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040CT-LS
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SCHOTTKY RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 5A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR1040-LS
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 400pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3.pdf
DMN3060LCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3060LCA3-7 DMN3060LCA3.pdf
DMN3060LCA3-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 3.9A X4DSN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 500mA, 8V
Power Dissipation (Max): 790mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: X4-DSN1006-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.677 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 192 pF @ 15 V
на замовлення 11383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.32 грн
15+22.80 грн
100+14.49 грн
500+10.22 грн
1000+9.14 грн
2000+8.22 грн
5000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
US1KSAFS-13 US1KSAFS.pdf
US1KSAFS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 800V 1A SMAFS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA-FS
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1KSAFS-13 US1KSAFS.pdf
US1KSAFS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 800V 1A SMAFS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SMA-FS
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
на замовлення 9497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.10 грн
20+16.89 грн
100+9.69 грн
500+7.49 грн
1000+6.29 грн
2000+5.90 грн
5000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD.pdf
DMNH6022SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6022SSD-13 DMNH6022SSD.pdf
DMNH6022SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A, 22.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2127pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.68 грн
10+60.93 грн
100+47.53 грн
500+36.85 грн
1000+29.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5228BQ-7-F ds18010.pdf
MMSZ5228BQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER DIODE SOD123 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 23 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123
Part Status: Active
Power - Max: 370 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
6000+2.57 грн
9000+2.19 грн
30000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC144EUA-7-F-50 ds30321.pdf
DDTC144EUA-7-F-50
Виробник: Diodes Incorporated
Description: Prebias Transistor SOT323 T&R 3K
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSC10A065
DSC10A065
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 436pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO220AC (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.33 грн
10+314.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C27Q-7-F ds18001.pdf
BZX84C27Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 27V 300MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.04%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 18.9 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.88 грн
6000+1.61 грн
9000+1.42 грн
15000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
DMN3016LDN-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.46 грн
6000+13.22 грн
9000+12.28 грн
30000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
DMN3016LDN-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type J)
Part Status: Active
на замовлення 163878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.58 грн
10+35.34 грн
100+24.54 грн
500+17.99 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPSQ-13 DMTH4004SPSQ.pdf
DMTH4004SPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 440000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.16 грн
5000+43.15 грн
12500+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPSQ-13 DMTH4004SPSQ.pdf
DMTH4004SPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 442494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVWQ-7 DMTH46M7SFVWQ.pdf
DMTH46M7SFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVWQ-7 DMTH46M7SFVWQ.pdf
DMTH46M7SFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.94 грн
10+50.35 грн
100+33.89 грн
500+25.92 грн
1000+23.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7 DMTH4014LFVWQ.pdf
DMTH4014LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-7 DMTH4014LFVWQ.pdf
DMTH4014LFVWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.42 грн
10+40.26 грн
100+26.55 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q.pdf
DMTH43M8LK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1772500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.03 грн
5000+25.08 грн
7500+24.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LK3Q-13 DMTH43M8LK3Q.pdf
DMTH43M8LK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2693 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1774988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.13 грн
10+53.06 грн
100+38.68 грн
500+31.38 грн
1000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ.pdf
DMTH41M8SPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPSQ-13 DMTH41M8SPSQ.pdf
DMTH41M8SPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.03W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.09 грн
10+116.20 грн
100+80.90 грн
500+63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ.pdf
DMTH4008LFDFWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-7 DMTH4008LFDFWQ.pdf
DMTH4008LFDFWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.09 грн
10+44.12 грн
100+28.83 грн
500+20.85 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ.pdf
DMTH43M8LFGQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-13 DMTH43M8LFGQ.pdf
DMTH43M8LFGQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.45 грн
10+71.35 грн
100+48.68 грн
500+36.15 грн
1000+32.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPS.pdf
DMTH4008LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPS-13 DMTH4008LPS.pdf
DMTH4008LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.28 грн
10+36.82 грн
100+25.32 грн
500+20.83 грн
1000+18.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ.pdf
DMTH4008LFDFWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ.pdf
DMTH4008LFDFWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.09 грн
10+44.20 грн
100+28.75 грн
500+21.39 грн
1000+18.22 грн
2000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ.pdf
DMTH4007SPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.25 грн
5000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007SPDQ-13 DMTH4007SPDQ.pdf
DMTH4007SPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.48 грн
10+90.12 грн
100+60.73 грн
500+45.19 грн
1000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ.pdf
DMTH45M5LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.12 грн
5000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ.pdf
DMTH45M5LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.92 грн
10+88.07 грн
100+59.39 грн
500+44.18 грн
1000+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
UF32F6204Z fcpdatasheet?file=UF%2FUF32F6204Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+254.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UF32F6204Z fcpdatasheet?file=UF%2FUF32F6204Z.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL OSCILLATOR SEAM3225 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVPECL
Function: Enable/Disable
Type: XO (Standard)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±25ppm
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.3V
Current - Supply (Max): 50mA
Height - Seated (Max): 0.041" (1.05mm)
Part Status: Active
Frequency: 156.25 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.48 грн
10+353.20 грн
50+333.53 грн
100+294.61 грн
500+285.40 грн
1000+244.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S00-26SA-7 APX809S-810S.pdf
APX809S00-26SA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 1ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.78 грн
6000+8.52 грн
9000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S00-26SA-7 APX809S-810S.pdf
APX809S00-26SA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 1ms Minimum
Voltage - Threshold: 2.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 14550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.54 грн
12+27.47 грн
25+22.57 грн
100+15.97 грн
250+13.41 грн
500+11.83 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-31SA-7 APX809S-810S.pdf
APX809S05-31SA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 3.08V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.82 грн
6000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-31SA-7 APX809S-810S.pdf
APX809S05-31SA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 3.08V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.54 грн
12+27.47 грн
25+22.57 грн
100+15.97 грн
250+13.41 грн
500+11.83 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
APX809S05-46SR-7 APX809S-810S.pdf
APX809S05-46SR-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Output: Push-Pull, Totem Pole
Type: Simple Reset/Power-On Reset
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 20ms Minimum
Voltage - Threshold: 4.63V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BS-7 ds31039.pdf
MMBZ5235BS-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.66 грн
55+6.07 грн
100+5.20 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BQ-7-F MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf
MMBZ5235BQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER DIODE SOT23 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 5 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Power - Max: 350 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.61 грн
6000+2.37 грн
9000+2.02 грн
30000+1.75 грн
75000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5235BT-7-G
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 542 543 544 545 546 547 548 549 550 551 552 615 738 861 984 1107 1230 1231  [ Наступна Сторінка >> ]