Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72991) > Сторінка 702 з 1217
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PI4ULS3V204LEX | Diodes Incorporated |
Description: IC XLTR VL BIDIR 14-TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Features: Auto-Direction Sensing Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Output Type: Open Drain, Push-Pull Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Data Rate: 2Mbps, 24Mbps Supplier Device Package: 14-TSSOP Channel Type: Bidirectional Translator Type: Voltage Level Channels per Circuit: 1 Voltage - VCCA: 1.1 V ~ 3.6 V Voltage - VCCB: 1.1 V ~ 3.6 V Number of Circuits: 4 |
на замовлення 3216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ2510 | Diodes Incorporated |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BZT52C6V8LPQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ZENER 6.8V 250MW 2DFNPackaging: Bulk Tolerance: ±5.88% Package / Case: 0402 (1006 Metric) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: X1-DFN1006-2 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMT6016LFDF-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMT6016LFDF-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S2KDFQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-Flat Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1340000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
S2KDFQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: D-Flat Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1342727 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PI3EQX32904Q3ZREX | Diodes Incorporated |
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5KPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad Number of Channels: 4 Mounting Type: Surface Mount Output: CML Type: Buffer, ReDriver Input: CML Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Applications: PCIe Current - Supply: 300mA Data Rate (Max): 32Gbps Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3) Signal Conditioning: Input Equalization Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PI3EQX32904Q3ZREX | Diodes Incorporated |
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5KPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad Number of Channels: 4 Mounting Type: Surface Mount Output: CML Type: Buffer, ReDriver Input: CML Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Applications: PCIe Current - Supply: 300mA Data Rate (Max): 32Gbps Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3) Signal Conditioning: Input Equalization Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
74AHC32T14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
74AHC32T14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
на замовлення 17431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
74AHC32S14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-SO Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
74AHC32S14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SOPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 8mA, 8mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-SO Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GBPC1510W | Diodes Incorporated |
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-WPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 15 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
B260S1FX-7 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3028LSDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: ICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.3W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1.5KE68A-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V Supplier Device Package: DO-201 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1.5KE68CA-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V Supplier Device Package: DO-201 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMTH4008LPDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMTH4008LPDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMTH45M5SPDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMTH45M5SPDW-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) |
на замовлення 319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| BC807-40FSW-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC807-40FSWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| GBPC3510W | Diodes Incorporated |
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC807-16FSW-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| BC807-16FHW-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BC807-16FSWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC807-16FHWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FL2500073 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD |
на замовлення 261000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FL2500073 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD |
на замовлення 263962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FL2500078 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FL2500078 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GB2500072 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 16PF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB2500078 | Diodes Incorporated |
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 20PF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1.5KE39CA-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| MBR20100CT | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO2203 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BAV99W | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ARRAY GP 100V 150MA SOT323 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
BC817-25FHWQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMP3028LFDE-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMP3028LFDE-7-W | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MBRB20100CT | Diodes Incorporated |
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-263 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
ABS210-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 3630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MB10F-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 13815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MB10S-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 36812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD01-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 0.8A 100V |
на замовлення 9802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD04-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 0.8A |
на замовлення 10536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD06-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 600V 0.8A |
на замовлення 7619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
df06m | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.0A 600V |
на замовлення 28589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF04S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1A |
на замовлення 15640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DLPA006-7 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW |
на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ1010-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 10A |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF06S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm |
на замовлення 44446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD02-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 200V 0.8A |
на замовлення 5523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF04M | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1A |
на замовлення 27511 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1501S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 100V 1.5A |
на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU806 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 8.0A 600V |
на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU810 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 8A |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RH06-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 0.5A 600V |
на замовлення 20653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1504S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1.5A |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PI4ULS3V204LEX |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC XLTR VL BIDIR 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 2Mbps, 24Mbps
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.1 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 4
Description: IC XLTR VL BIDIR 14-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Auto-Direction Sensing
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain, Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Data Rate: 2Mbps, 24Mbps
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Channel Type: Bidirectional
Translator Type: Voltage Level
Channels per Circuit: 1
Voltage - VCCA: 1.1 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCB: 1.1 V ~ 3.6 V
Number of Circuits: 4
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.92 грн |
| 10+ | 42.05 грн |
| 25+ | 37.88 грн |
| 100+ | 31.25 грн |
| 250+ | 29.21 грн |
| 500+ | 27.97 грн |
| 1000+ | 27.43 грн |
| GBJ2510 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C6V8LPQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 6.8V 250MW 2DFN
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5.88%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE ZENER 6.8V 250MW 2DFN
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5.88%
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: X1-DFN1006-2
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6016LFDF-7-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6016LFDF-7-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.08 грн |
| 10+ | 38.70 грн |
| 100+ | 25.13 грн |
| 500+ | 18.09 грн |
| 1000+ | 16.32 грн |
| S2KDFQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-Flat
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-Flat
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1340000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 7.05 грн |
| 20000+ | 6.25 грн |
| 30000+ | 5.98 грн |
| 50000+ | 5.32 грн |
| 70000+ | 5.15 грн |
| 100000+ | 4.99 грн |
| S2KDFQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-Flat
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE STANDARD 800V 2A DFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: D-Flat
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1342727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 14+ | 22.09 грн |
| 100+ | 14.03 грн |
| 500+ | 9.88 грн |
| 1000+ | 8.82 грн |
| 2000+ | 7.93 грн |
| 5000+ | 6.85 грн |
| PI3EQX32904Q3ZREX |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: PCIe
Current - Supply: 300mA
Data Rate (Max): 32Gbps
Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3)
Signal Conditioning: Input Equalization
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: PCIe
Current - Supply: 300mA
Data Rate (Max): 32Gbps
Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3)
Signal Conditioning: Input Equalization
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PI3EQX32904Q3ZREX |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: PCIe
Current - Supply: 300mA
Data Rate (Max): 32Gbps
Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3)
Signal Conditioning: Input Equalization
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: PCIE EQX W-QFN3063-46 T&R 3.5K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 46-WFQFN Exposed Pad
Number of Channels: 4
Mounting Type: Surface Mount
Output: CML
Type: Buffer, ReDriver
Input: CML
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Applications: PCIe
Current - Supply: 300mA
Data Rate (Max): 32Gbps
Supplier Device Package: 46-WQFN (3x6.3)
Signal Conditioning: Input Equalization
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 670.91 грн |
| 10+ | 504.05 грн |
| 25+ | 468.54 грн |
| 100+ | 403.08 грн |
| 250+ | 385.62 грн |
| 500+ | 375.10 грн |
| 1000+ | 360.43 грн |
| 74AHC32T14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 5.95 грн |
| 5000+ | 5.54 грн |
| 7500+ | 5.45 грн |
| 12500+ | 5.02 грн |
| 74AHC32T14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 17431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.03 грн |
| 32+ | 9.68 грн |
| 36+ | 8.53 грн |
| 100+ | 6.84 грн |
| 250+ | 6.29 грн |
| 500+ | 5.95 грн |
| 1000+ | 5.58 грн |
| 74AHC32S14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SO
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SO
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74AHC32S14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SO
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-SO
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 2467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.20 грн |
| 26+ | 11.89 грн |
| 30+ | 10.48 грн |
| 100+ | 8.44 грн |
| 250+ | 7.78 грн |
| 500+ | 7.37 грн |
| 1000+ | 6.92 грн |
| GBPC1510W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 15A GBPC-W
Packaging: Tray
Package / Case: 4-Square, GBPC-W
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBPC-W
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| B260S1FX-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.80 грн |
| 6000+ | 3.30 грн |
| 9000+ | 3.27 грн |
| 15000+ | 2.99 грн |
| DMP3028LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1.5KE68A-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1.5KE68CA-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMTH4008LPDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.65 грн |
| 5000+ | 23.76 грн |
| DMTH4008LPDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 100.48 грн |
| 10+ | 61.03 грн |
| 100+ | 40.42 грн |
| 500+ | 29.65 грн |
| 1000+ | 26.98 грн |
| DMTH45M5SPDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMTH45M5SPDW-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Ta), 60W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1083pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.12 грн |
| 10+ | 81.06 грн |
| 100+ | 54.49 грн |
| BC807-40FSW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC807-40FSWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC3510W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
Description: BRIDGE RECT 1P 1KV 35A GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC807-16FSW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.01 грн |
| 10000+ | 2.61 грн |
| 15000+ | 2.46 грн |
| 25000+ | 2.15 грн |
| 35000+ | 2.06 грн |
| 50000+ | 2.01 грн |
| BC807-16FHW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC807-16FSWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC807-16FHWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FL2500073 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
на замовлення 261000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 24.44 грн |
| 6000+ | 22.56 грн |
| 9000+ | 22.01 грн |
| 15000+ | 20.03 грн |
| 21000+ | 19.62 грн |
| 30000+ | 19.20 грн |
| FL2500073 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 10PF SMD
на замовлення 263962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.35 грн |
| 10+ | 33.29 грн |
| 25+ | 31.51 грн |
| 50+ | 28.34 грн |
| 100+ | 27.18 грн |
| 250+ | 25.70 грн |
| 500+ | 24.23 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| FL2500078 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FL2500078 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 12PF SMD
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.35 грн |
| 10+ | 33.29 грн |
| 25+ | 31.51 грн |
| 50+ | 28.34 грн |
| 100+ | 27.18 грн |
| 250+ | 25.70 грн |
| 500+ | 24.23 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| GB2500072 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 16PF
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 16PF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB2500078 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 20PF
Description: CRYSTAL 25.0000MHZ 20PF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1.5KE39CA-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201
Description: TVS DIODE 33.3VWM 53.9VC DO201
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20100CT |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO2203
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO2203
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAV99W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARRAY GP 100V 150MA SOT323
Description: DIODE ARRAY GP 100V 150MA SOT323
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BC817-25FHWQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR U-DFN
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMP3028LFDE-7-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.16 грн |
| 6000+ | 10.72 грн |
| 9000+ | 10.21 грн |
| 15000+ | 9.05 грн |
| DMP3028LFDE-7-W |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
Description: MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 10+ | 31.16 грн |
| 100+ | 20.01 грн |
| 500+ | 14.28 грн |
| 1000+ | 12.83 грн |
| MBRB20100CT |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-263
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO-263
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.45 грн |
| 50+ | 38.35 грн |
| ABS210-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 3630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.89 грн |
| 16+ | 20.46 грн |
| 100+ | 11.32 грн |
| 500+ | 8.44 грн |
| 1000+ | 6.75 грн |
| MB10F-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 13815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.07 грн |
| 13+ | 25.96 грн |
| 100+ | 14.42 грн |
| 500+ | 10.90 грн |
| MB10S-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 36812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.41 грн |
| 15+ | 22.64 грн |
| 100+ | 11.81 грн |
| 500+ | 9.42 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| HD01-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.8A 100V
Bridge Rectifiers 0.8A 100V
на замовлення 9802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 40.20 грн |
| 14+ | 24.59 грн |
| 100+ | 13.57 грн |
| 500+ | 10.13 грн |
| 1000+ | 9.00 грн |
| 3000+ | 7.17 грн |
| 6000+ | 6.68 грн |
| HD04-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 0.8A
Bridge Rectifiers 400V 0.8A
на замовлення 10536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.09 грн |
| 14+ | 23.94 грн |
| 100+ | 13.57 грн |
| 500+ | 10.27 грн |
| 1000+ | 9.21 грн |
| 3000+ | 6.61 грн |
| 6000+ | 6.40 грн |
| HD06-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 600V 0.8A
Bridge Rectifiers 600V 0.8A
на замовлення 7619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.84 грн |
| 10+ | 35.02 грн |
| 100+ | 19.55 грн |
| 500+ | 14.84 грн |
| df06m |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A 600V
Bridge Rectifiers 1.0A 600V
на замовлення 28589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.92 грн |
| 14+ | 23.62 грн |
| 100+ | 18.00 грн |
| 500+ | 13.64 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
| DF04S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 15640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.84 грн |
| 10+ | 35.50 грн |
| 100+ | 23.91 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| 1000+ | 13.15 грн |
| DLPA006-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.09 грн |
| 16+ | 20.30 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 500+ | 13.36 грн |
| 1000+ | 13.29 грн |
| 3000+ | 12.59 грн |
| GBJ1010-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 10A
Bridge Rectifiers 1000V 10A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.78 грн |
| 10+ | 109.18 грн |
| 105+ | 65.33 грн |
| 510+ | 62.87 грн |
| DF06S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
на замовлення 44446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.53 грн |
| 11+ | 31.54 грн |
| 100+ | 17.65 грн |
| 500+ | 13.43 грн |
| 1000+ | 11.32 грн |
| 1500+ | 10.20 грн |
| 3000+ | 9.14 грн |
| HD02-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 200V 0.8A
Bridge Rectifiers 200V 0.8A
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 32.49 грн |
| 13+ | 26.61 грн |
| 100+ | 15.75 грн |
| 500+ | 11.32 грн |
| 1000+ | 8.86 грн |
| 3000+ | 8.09 грн |
| 6000+ | 7.60 грн |
| DF04M |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 27511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.79 грн |
| 15+ | 22.56 грн |
| 100+ | 17.16 грн |
| 500+ | 13.01 грн |
| DF1501S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 100V 1.5A
Bridge Rectifiers 100V 1.5A
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.66 грн |
| 10+ | 33.00 грн |
| 100+ | 18.50 грн |
| 500+ | 14.42 грн |
| 1500+ | 11.89 грн |
| 3000+ | 10.06 грн |
| GBU806 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 8.0A 600V
Bridge Rectifiers 8.0A 600V
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.02 грн |
| 10+ | 65.10 грн |
| 100+ | 44.87 грн |
| 500+ | 38.12 грн |
| GBU810 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 8A
Bridge Rectifiers 1000V 8A
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.40 грн |
| 10+ | 76.51 грн |
| 100+ | 51.20 грн |
| RH06-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.5A 600V
Bridge Rectifiers 0.5A 600V
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.83 грн |
| 10+ | 47.07 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| 500+ | 22.86 грн |
| 1000+ | 20.25 грн |
| 3000+ | 17.37 грн |
| 6000+ | 17.02 грн |
| DF1504S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1.5A
Bridge Rectifiers 400V 1.5A
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.18 грн |
| 11+ | 31.86 грн |
| 100+ | 17.86 грн |
| 500+ | 13.64 грн |
| 1000+ | 12.66 грн |
| 1500+ | 11.46 грн |





























