Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74025) > Сторінка 699 з 1234
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
74LVC1G14FS3-7 | Diodes Incorporated |
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4Packaging: Tape & Reel (TR) Features: Schmitt Trigger Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 32mA, 32mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: X2-DFN0808-4 Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 10 µA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
74LVC1G14FS3-7 | Diodes Incorporated |
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4Packaging: Cut Tape (CT) Features: Schmitt Trigger Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Logic Type: Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V Current - Output High, Low: 32mA, 32mA Number of Inputs: 1 Supplier Device Package: X2-DFN0808-4 Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF Number of Circuits: 1 Current - Quiescent (Max): 10 µA |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
74HC32T14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
74HC32T14-13 | Diodes Incorporated |
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Logic Type: OR Gate Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 2V ~ 6V Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA Number of Inputs: 2 Supplier Device Package: 14-TSSOP Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF Number of Circuits: 4 Current - Quiescent (Max): 20 µA |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DDTC144ECAQ-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
SBR3U60P1Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
SBR3U60P1Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: POWERDI®123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Super Barrier Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: PowerDI™ 123 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1.5KE56CA-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO201Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.5A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 47.8V Supplier Device Package: DO-201 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 53.2V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
DMWSH170H850HM4 | Diodes Incorporated |
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V |
на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DMWSH170H850HM4Q | Diodes Incorporated |
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA Supplier Device Package: TO-247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
DMN3060L-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060L-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
на замовлення 49990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060L-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060LW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&RPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060LVT-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 830mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 |
на замовлення 17925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMN3060LQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
DMN3060LQ-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 740mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1.5KE27A-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V Supplier Device Package: DO-201 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 25.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1.5KE68CA-B | Diodes Incorporated |
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V Supplier Device Package: DO-201 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 64.6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW) Power Line Protection: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
ABS210-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 30780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MB10F-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 16212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MB10S-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier |
на замовлення 13088 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD01-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 0.8A 100V |
на замовлення 8465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD04-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 0.8A |
на замовлення 10536 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD06-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 600V 0.8A |
на замовлення 31683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
df06m | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.0A 600V |
на замовлення 10372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF04S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1A |
на замовлення 29959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DLPA006-7 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW |
на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ1010-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 10A |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF06S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm |
на замовлення 21379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
HD02-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 200V 0.8A |
на замовлення 5523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF04M | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1A |
на замовлення 12840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1501S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 100V 1.5A |
на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU806 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 8.0A 600V |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU810 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 8A |
на замовлення 496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
RH06-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 0.5A 600V |
на замовлення 20653 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1504S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 400V 1.5A |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DSRHD10-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
RH04-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 0.5A 400V |
на замовлення 4693 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF15005S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 50V |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DSRHD08-13 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
|
DF01M | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 100V 1A |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF10S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1A 1000Vrrm 50Ifsm |
на замовлення 18051 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1506S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 600V |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBJ406G | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 4.0A 600V |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1510S | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 1000V |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU608 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 6.0A 800V |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU410 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 4A |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ2510-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1000V 25A |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ2506-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 25A 600Vrrm 350Ifsm |
на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU408 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 4.0A 800V |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBP2005G | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 2.0A 50V |
на замовлення 3049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBU801 | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 8.0A 100V |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1506S | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 600V |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ1506-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 15A 600V |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF1502S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 200V |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBP06G | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.5A 600V |
на замовлення 8656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GBJ2006-F | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 20A 600V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DF005S-T | Diodes Incorporated |
Bridge Rectifiers 1.0A 50V |
на замовлення 19700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| 74LVC1G14FS3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 7.31 грн |
| 74LVC1G14FS3-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Description: IC INVERT 1CH 1-INP DFN0808-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Schmitt Trigger
Package / Case: 4-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: X2-DFN0808-4
Input Logic Level - High: 1.2V ~ 3.33V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 1.45V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 18.65 грн |
| 27+ | 12.16 грн |
| 31+ | 10.74 грн |
| 100+ | 8.64 грн |
| 250+ | 7.95 грн |
| 500+ | 7.53 грн |
| 1000+ | 7.07 грн |
| 2500+ | 6.90 грн |
| 74HC32T14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 74HC32T14-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
Description: IC GATE OR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: OR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 4.2V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 15ns @ 6V, 50pF
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 20 µA
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 20.34 грн |
| 25+ | 13.31 грн |
| 28+ | 11.82 грн |
| 100+ | 9.51 грн |
| 250+ | 8.75 грн |
| 500+ | 8.30 грн |
| 1000+ | 7.80 грн |
| DDTC144ECAQ-7-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 19.50 грн |
| 29+ | 11.26 грн |
| 100+ | 7.02 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.28 грн |
| SBR3U60P1Q-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SBR3U60P1Q-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE SBR 60V 3A POWERDI 123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: POWERDI®123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: PowerDI™ 123
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 27.97 грн |
| 19+ | 18.12 грн |
| 100+ | 14.83 грн |
| 500+ | 10.47 грн |
| 1000+ | 7.76 грн |
| 2000+ | 7.55 грн |
| 5000+ | 7.21 грн |
| 1.5KE56CA-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 47.8V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 47.8VWM 77VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 19.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 47.8V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMWSH170H850HM4 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 214.55 грн |
| DMWSH170H850HM4Q |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 178 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN3060L-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.62 грн |
| 20000+ | 3.17 грн |
| 30000+ | 3.01 грн |
| DMN3060L-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 49990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.19 грн |
| 26+ | 12.57 грн |
| 100+ | 7.89 грн |
| 500+ | 5.46 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| 2000+ | 4.30 грн |
| 5000+ | 3.66 грн |
| DMN3060L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.33 грн |
| DMN3060L-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.19 грн |
| 26+ | 12.57 грн |
| 100+ | 7.89 грн |
| 500+ | 5.46 грн |
| 1000+ | 4.83 грн |
| DMN3060LW-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.28 грн |
| 22+ | 15.10 грн |
| 100+ | 9.46 грн |
| 500+ | 6.58 грн |
| 1000+ | 5.84 грн |
| DMN3060LVT-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.6A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
на замовлення 17925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.93 грн |
| 13+ | 26.37 грн |
| 100+ | 16.87 грн |
| 500+ | 11.97 грн |
| 1000+ | 10.73 грн |
| DMN3060LQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMN3060LQ-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 740mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.00 грн |
| 6000+ | 4.34 грн |
| 9000+ | 4.10 грн |
| 15000+ | 3.59 грн |
| 21000+ | 3.44 грн |
| 30000+ | 3.30 грн |
| 1.5KE27A-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 23.1VWM 37.5VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 40A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 23.1V
Supplier Device Package: DO-201
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 25.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 37.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1.5KE68CA-B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 58.1VWM 92VC DO201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 58.1V
Supplier Device Package: DO-201
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 64.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 92V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ABS210-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 30780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 37.76 грн |
| 16+ | 22.80 грн |
| 100+ | 12.62 грн |
| 500+ | 9.40 грн |
| 1000+ | 7.52 грн |
| 5000+ | 5.80 грн |
| 10000+ | 5.56 грн |
| MB10F-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 16212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 44.07 грн |
| 14+ | 26.67 грн |
| 100+ | 14.89 грн |
| 500+ | 11.21 грн |
| 1000+ | 9.01 грн |
| 5000+ | 7.68 грн |
| 10000+ | 6.97 грн |
| MB10S-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers Bridge Rectifier
на замовлення 13088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.83 грн |
| 18+ | 20.64 грн |
| 100+ | 11.28 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.44 грн |
| 3000+ | 6.11 грн |
| 6000+ | 5.56 грн |
| HD01-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.8A 100V
Bridge Rectifiers 0.8A 100V
на замовлення 8465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 44.80 грн |
| 14+ | 27.40 грн |
| 100+ | 15.12 грн |
| 500+ | 11.28 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| 3000+ | 7.99 грн |
| 6000+ | 7.44 грн |
| HD04-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 0.8A
Bridge Rectifiers 400V 0.8A
на замовлення 10536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 29.07 грн |
| 14+ | 26.67 грн |
| 100+ | 15.12 грн |
| 500+ | 11.44 грн |
| 1000+ | 10.27 грн |
| 3000+ | 7.37 грн |
| 6000+ | 7.13 грн |
| HD06-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 600V 0.8A
Bridge Rectifiers 600V 0.8A
на замовлення 31683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 51.84 грн |
| 12+ | 31.54 грн |
| 100+ | 17.55 грн |
| 500+ | 13.09 грн |
| 1000+ | 11.52 грн |
| 3000+ | 8.85 грн |
| df06m |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A 600V
Bridge Rectifiers 1.0A 600V
на замовлення 10372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 44.80 грн |
| 20+ | 18.92 грн |
| 100+ | 15.28 грн |
| 500+ | 11.44 грн |
| 1000+ | 9.64 грн |
| 5000+ | 9.09 грн |
| 10000+ | 8.46 грн |
| DF04S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 29959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 51.93 грн |
| 12+ | 31.54 грн |
| 100+ | 17.55 грн |
| 500+ | 13.32 грн |
| 1000+ | 13.16 грн |
| 1500+ | 9.01 грн |
| DLPA006-7 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
Bridge Rectifiers 85V 160mA 200mW
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 29.07 грн |
| 16+ | 22.62 грн |
| 100+ | 15.28 грн |
| 500+ | 14.89 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| 3000+ | 14.03 грн |
| GBJ1010-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 10A
Bridge Rectifiers 1000V 10A
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 204.79 грн |
| 10+ | 121.66 грн |
| 105+ | 72.80 грн |
| 510+ | 70.06 грн |
| DF06S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
Bridge Rectifiers 1A 600Vrrm 50Ifsm
на замовлення 21379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.48 грн |
| 12+ | 32.53 грн |
| 100+ | 18.18 грн |
| 500+ | 13.79 грн |
| 1000+ | 13.48 грн |
| 1500+ | 9.09 грн |
| 3000+ | 9.01 грн |
| HD02-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 200V 0.8A
Bridge Rectifiers 200V 0.8A
на замовлення 5523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 36.20 грн |
| 13+ | 29.65 грн |
| 100+ | 17.55 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
| 3000+ | 9.01 грн |
| 6000+ | 8.46 грн |
| DF04M |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1A
Bridge Rectifiers 400V 1A
на замовлення 12840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 42.42 грн |
| 22+ | 16.40 грн |
| 100+ | 12.77 грн |
| 500+ | 10.34 грн |
| 1000+ | 8.70 грн |
| 5000+ | 8.31 грн |
| 10000+ | 7.99 грн |
| DF1501S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 100V 1.5A
Bridge Rectifiers 100V 1.5A
на замовлення 8365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 59.79 грн |
| 10+ | 36.77 грн |
| 100+ | 20.61 грн |
| 500+ | 16.06 грн |
| 1500+ | 13.24 грн |
| 3000+ | 11.21 грн |
| GBU806 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 8.0A 600V
Bridge Rectifiers 8.0A 600V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 121.59 грн |
| 10+ | 56.95 грн |
| 100+ | 43.18 грн |
| 500+ | 42.47 грн |
| GBU810 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 8A
Bridge Rectifiers 1000V 8A
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 119.76 грн |
| 20+ | 59.30 грн |
| 100+ | 41.61 грн |
| 500+ | 33.93 грн |
| 1000+ | 28.92 грн |
| RH06-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.5A 600V
Bridge Rectifiers 0.5A 600V
на замовлення 20653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 83.38 грн |
| 10+ | 52.45 грн |
| 100+ | 32.21 грн |
| 500+ | 25.47 грн |
| 1000+ | 22.57 грн |
| 3000+ | 19.36 грн |
| 6000+ | 18.96 грн |
| DF1504S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 400V 1.5A
Bridge Rectifiers 400V 1.5A
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 58.15 грн |
| 11+ | 35.51 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 500+ | 15.20 грн |
| 1000+ | 14.11 грн |
| 1500+ | 12.77 грн |
| DSRHD10-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RH04-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 0.5A 400V
Bridge Rectifiers 0.5A 400V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.34 грн |
| 10+ | 56.77 грн |
| 100+ | 32.52 грн |
| 500+ | 25.23 грн |
| 1000+ | 22.73 грн |
| 3000+ | 18.34 грн |
| DF15005S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 50V
Bridge Rectifiers 1.5A 50V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 58.15 грн |
| 11+ | 35.51 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 500+ | 15.20 грн |
| 1000+ | 14.03 грн |
| 1500+ | 11.21 грн |
| 3000+ | 10.66 грн |
| DSRHD08-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
Bridge Rectifiers 1.0A DSR BRIDGE DIODESTAR RECTIFIER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF01M |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 100V 1A
Bridge Rectifiers 100V 1A
на замовлення 4120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 33.83 грн |
| 23+ | 16.31 грн |
| 100+ | 14.11 грн |
| 500+ | 9.72 грн |
| 1000+ | 8.93 грн |
| 5000+ | 8.31 грн |
| 10000+ | 7.99 грн |
| DF10S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1A 1000Vrrm 50Ifsm
Bridge Rectifiers 1A 1000Vrrm 50Ifsm
на замовлення 18051 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.08 грн |
| 10+ | 38.03 грн |
| 100+ | 19.51 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 14.42 грн |
| 1500+ | 11.83 грн |
| 3000+ | 11.21 грн |
| DF1506S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 68.38 грн |
| 10+ | 41.81 грн |
| 100+ | 23.35 грн |
| 500+ | 18.02 грн |
| 1000+ | 17.63 грн |
| 1500+ | 13.24 грн |
| 3000+ | 12.69 грн |
| KBJ406G |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 4.0A 600V
Bridge Rectifiers 4.0A 600V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 115.19 грн |
| 10+ | 59.12 грн |
| 100+ | 39.10 грн |
| 500+ | 30.01 грн |
| 1000+ | 28.68 грн |
| DF1510S |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 1000V
Bridge Rectifiers 1.5A 1000V
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.02 грн |
| 10+ | 71.01 грн |
| 100+ | 56.34 грн |
| 500+ | 44.75 грн |
| 1000+ | 39.42 грн |
| GBU608 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 6.0A 800V
Bridge Rectifiers 6.0A 800V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.16 грн |
| 10+ | 76.51 грн |
| 100+ | 66.22 грн |
| 500+ | 44.59 грн |
| GBU410 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 4A
Bridge Rectifiers 1000V 4A
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 170.96 грн |
| 10+ | 59.30 грн |
| GBJ2510-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1000V 25A
Bridge Rectifiers 1000V 25A
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.64 грн |
| 10+ | 116.25 грн |
| 105+ | 89.33 грн |
| 510+ | 76.17 грн |
| GBJ2506-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 25A 600Vrrm 350Ifsm
Bridge Rectifiers 25A 600Vrrm 350Ifsm
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.68 грн |
| 10+ | 83.72 грн |
| 105+ | 51.33 грн |
| 510+ | 43.33 грн |
| 1005+ | 40.44 грн |
| GBU408 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 4.0A 800V
Bridge Rectifiers 4.0A 800V
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.02 грн |
| 10+ | 83.72 грн |
| 100+ | 52.03 грн |
| 500+ | 41.61 грн |
| 1000+ | 41.45 грн |
| KBP2005G |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 2.0A 50V
Bridge Rectifiers 2.0A 50V
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 47.17 грн |
| 17+ | 22.44 грн |
| 105+ | 18.02 грн |
| 525+ | 14.58 грн |
| 1015+ | 12.46 грн |
| 2520+ | 12.22 грн |
| 5005+ | 11.75 грн |
| GBU801 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 8.0A 100V
Bridge Rectifiers 8.0A 100V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.68 грн |
| 10+ | 79.84 грн |
| 100+ | 57.52 грн |
| 500+ | 42.63 грн |
| 1000+ | 42.47 грн |
| DF1506S |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.82 грн |
| 10+ | 60.92 грн |
| 100+ | 46.23 грн |
| 500+ | 37.22 грн |
| 1000+ | 32.36 грн |
| GBJ1506-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 15A 600V
Bridge Rectifiers 15A 600V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 194.73 грн |
| 10+ | 102.73 грн |
| 105+ | 70.06 грн |
| 510+ | 59.48 грн |
| DF1502S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 200V
Bridge Rectifiers 1.5A 200V
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 51.11 грн |
| 12+ | 32.08 грн |
| 100+ | 19.20 грн |
| 500+ | 15.28 грн |
| 1000+ | 14.26 грн |
| 1500+ | 11.91 грн |
| 3000+ | 11.75 грн |
| KBP06G |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
Bridge Rectifiers 1.5A 600V
на замовлення 8656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.45 грн |
| 12+ | 30.82 грн |
| 105+ | 21.94 грн |
| 525+ | 16.77 грн |
| 1015+ | 13.71 грн |
| 5005+ | 12.77 грн |
| GBJ2006-F |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 20A 600V
Bridge Rectifiers 20A 600V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.96 грн |
| 10+ | 135.18 грн |
| 30+ | 116.76 грн |
| 105+ | 86.20 грн |
| 510+ | 69.90 грн |
| 1005+ | 65.75 грн |
| DF005S-T |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bridge Rectifiers 1.0A 50V
Bridge Rectifiers 1.0A 50V
на замовлення 19700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 48.73 грн |
| 13+ | 29.65 грн |
| 100+ | 16.77 грн |
| 500+ | 12.77 грн |
| 1000+ | 10.34 грн |
| 1500+ | 8.93 грн |
| 3000+ | 8.46 грн |

















