Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (32279) > Сторінка 221 з 538
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030M060-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW030N65K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030N65K-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040M120-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 435 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -4...15V Pulsed drain current: 300A Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Gate charge: 236nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 135A Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Gate charge: 128nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW065SIC080 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 100A Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 175W Polarisation: unipolar Gate charge: 75nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW075M065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW075M065-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 269nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 100A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 600W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 45nC Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 260A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 84A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 715W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 373nC Technology: SiC Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 295A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 278W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 121nC Technology: SiC Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 100A Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIW170SIC070 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL1B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
EGL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.35V Max. load current: 8A Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
EGL1GR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 13400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
EGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 0.4kV Max. forward impulse current: 8.5A Semiconductor structure: single diode Case: MiniMELF plastic Mounting: SMD Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Load current: 0.5A Reverse recovery time: 50ns Features of semiconductor devices: superfast switching Max. load current: 2A Max. forward voltage: 1.35V кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 6121 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EM513-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Application: automotive industry Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 5.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3596 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EM513 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV Max. load current: 5.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EM516 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 27A Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Reverse recovery time: 1.5µs Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 5.4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4002 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EM518 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: DO41 Mounting: THT Max. forward voltage: 1.1V Max. load current: 5.4A Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5024 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ER1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ER1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER1D-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ER1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Case: SMA Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 6A Max. forward voltage: 1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: superfast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
ER1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ER1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 8860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ER1M-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.3mA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Capacitance: 10pF кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ER1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1.7V Max. load current: 6A Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ER2A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER2A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER2B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER2B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 3050 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ER2D-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 5 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
ER2D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMB Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 10A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ER2DSMA-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.3mA Kind of package: reel; tape Application: automotive industry Capacitance: 15pF Max. load current: 10A кількість в упаковці: 7500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
ER2DSMA | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 0.3mA Kind of package: reel; tape Capacitance: 15pF Max. load current: 10A кількість в упаковці: 7500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
ER2G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2875 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER2J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 13690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 472.24 грн |
6+ | 212.45 грн |
15+ | 193.57 грн |
120+ | 192.65 грн |
450+ | 186.23 грн |
DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 360.60 грн |
5+ | 222.92 грн |
14+ | 211.00 грн |
DIW030M060 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.70 грн |
10+ | 117.43 грн |
26+ | 111.00 грн |
DIW030N65K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030N65K-DIO THT N channel transistors
DIW030N65K-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW040F135 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 674.77 грн |
3+ | 409.15 грн |
8+ | 387.14 грн |
DIW040M120 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040M120-DIO THT IGBT transistors
DIW040M120-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 488.05 грн |
4+ | 302.74 грн |
10+ | 286.22 грн |
DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 336.89 грн |
9+ | 137.18 грн |
23+ | 124.76 грн |
450+ | 120.18 грн |
DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2059.89 грн |
2+ | 1877.71 грн |
DIW065SIC049 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 48A; Idm: 135A; 550W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 135A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 128nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1107.50 грн |
2+ | 733.56 грн |
5+ | 667.86 грн |
DIW065SIC080 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 75nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 630.32 грн |
3+ | 421.08 грн |
8+ | 383.47 грн |
DIW075M065 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW075M065-DIO THT IGBT transistors
DIW075M065-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 416.92 грн |
5+ | 258.70 грн |
12+ | 244.02 грн |
DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 338.87 грн |
6+ | 210.54 грн |
15+ | 199.07 грн |
DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4366.76 грн |
120+ | 4154.60 грн |
DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 100A; Idm: 260A; 600W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 100A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 600W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 45nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5933.66 грн |
120+ | 5647.43 грн |
DIW120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 295A; 715W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 715W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 373nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 295A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1952.20 грн |
2+ | 1779.59 грн |
DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 278W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 121nC
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1796.10 грн |
2+ | 1637.64 грн |
120+ | 1560.47 грн |
DIW170SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW170SIC070 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1323.86 грн |
2+ | 816.47 грн |
4+ | 771.52 грн |
DIW170SIC750 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1A-DIO SMD universal diodes
EAL1A-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1B-DIO SMD universal diodes
EAL1B-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1D-DIO SMD universal diodes
EAL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.68 грн |
290+ | 3.72 грн |
800+ | 3.51 грн |
EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.68 грн |
290+ | 3.81 грн |
780+ | 3.61 грн |
EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 9.57 грн |
270+ | 4.09 грн |
730+ | 3.87 грн |
EAL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1K-DIO SMD universal diodes
EAL1K-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.87 грн |
240+ | 4.66 грн |
640+ | 4.41 грн |
EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
82+ | 3.64 грн |
500+ | 2.22 грн |
1350+ | 2.10 грн |
EGL1B |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1B-DIO SMD universal diodes
EGL1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.57 грн |
475+ | 2.35 грн |
1275+ | 2.22 грн |
EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 5.11 грн |
350+ | 3.10 грн |
975+ | 2.94 грн |
EGL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. load current: 8A
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.81 грн |
29+ | 10.00 грн |
100+ | 5.97 грн |
342+ | 3.16 грн |
941+ | 2.98 грн |
25000+ | 2.94 грн |
50000+ | 2.87 грн |
EGL1GR13 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1GR13-DIO SMD universal diodes
EGL1GR13-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EGL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
56+ | 5.33 грн |
350+ | 3.25 грн |
925+ | 3.07 грн |
EGL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 5.43 грн |
350+ | 3.30 грн |
900+ | 3.12 грн |
EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
53+ | 5.62 грн |
325+ | 3.41 грн |
875+ | 3.23 грн |
EGL34A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34A-DIO SMD universal diodes
EGL34A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 5.52 грн |
569+ | 1.89 грн |
1563+ | 1.79 грн |
2500+ | 1.78 грн |
EGL34B |
![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34B-DIO SMD universal diodes
EGL34B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
84+ | 3.55 грн |
500+ | 2.17 грн |
1375+ | 2.05 грн |
EGL34D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34D-DIO SMD universal diodes
EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
68+ | 4.38 грн |
375+ | 2.87 грн |
1050+ | 2.72 грн |
EGL34G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 8.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF plastic
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Features of semiconductor devices: superfast switching
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.35V
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 0.5A; 50ns; MiniMELF plastic; Ir: 5uA
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 0.4kV
Max. forward impulse current: 8.5A
Semiconductor structure: single diode
Case: MiniMELF plastic
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Load current: 0.5A
Reverse recovery time: 50ns
Features of semiconductor devices: superfast switching
Max. load current: 2A
Max. forward voltage: 1.35V
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 6121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 4.35 грн |
100+ | 3.76 грн |
400+ | 2.78 грн |
1075+ | 2.62 грн |
EM513-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 11.86 грн |
37+ | 7.91 грн |
50+ | 5.94 грн |
100+ | 5.29 грн |
250+ | 4.50 грн |
344+ | 3.12 грн |
946+ | 2.94 грн |
EM513 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 8.21 грн |
57+ | 5.05 грн |
100+ | 3.55 грн |
250+ | 3.15 грн |
500+ | 2.88 грн |
545+ | 1.97 грн |
1498+ | 1.86 грн |
EM516 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 27A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Reverse recovery time: 1.5µs
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
32+ | 9.33 грн |
48+ | 6.00 грн |
59+ | 4.68 грн |
100+ | 4.28 грн |
450+ | 2.40 грн |
1236+ | 2.28 грн |
50000+ | 2.27 грн |
EM518 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Mounting: THT
Max. forward voltage: 1.1V
Max. load current: 5.4A
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.82 грн |
32+ | 9.15 грн |
58+ | 4.81 грн |
93+ | 2.99 грн |
250+ | 2.64 грн |
ER1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1A-DIO SMD universal diodes
ER1A-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1B-DIO SMD universal diodes
ER1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.56 грн |
350+ | 3.10 грн |
960+ | 2.94 грн |
ER1D-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
43+ | 6.92 грн |
310+ | 3.53 грн |
840+ | 3.34 грн |
ER1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Case: SMA
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Case: SMA
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 5.94 грн |
53+ | 5.43 грн |
348+ | 3.09 грн |
956+ | 2.93 грн |
45000+ | 2.87 грн |
ER1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1J-DIO SMD universal diodes
ER1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 8860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 7.09 грн |
350+ | 3.10 грн |
960+ | 2.94 грн |
ER1K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1K-DIO SMD universal diodes
ER1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
41+ | 7.26 грн |
330+ | 3.29 грн |
900+ | 3.11 грн |
ER1M-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 10pF
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 10pF
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.52 грн |
60+ | 5.24 грн |
250+ | 4.34 грн |
690+ | 4.10 грн |
1000+ | 3.99 грн |
7500+ | 3.94 грн |
ER1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. load current: 6A
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
49+ | 6.11 грн |
328+ | 3.41 грн |
900+ | 3.10 грн |
22500+ | 2.98 грн |
ER2A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2A-DIO SMD universal diodes
ER2A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 14.82 грн |
225+ | 4.86 грн |
610+ | 4.60 грн |
ER2B |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2B-DIO SMD universal diodes
ER2B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 15.02 грн |
210+ | 5.19 грн |
570+ | 4.91 грн |
ER2D-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER2D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMB; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMB
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.69 грн |
17+ | 16.96 грн |
20+ | 13.85 грн |
100+ | 8.27 грн |
206+ | 5.21 грн |
566+ | 4.93 грн |
6000+ | 4.81 грн |
ER2DSMA-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 15pF
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 7500 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Capacitance: 15pF
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 7500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER2DSMA |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 15pF
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 7500 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 50A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 0.3mA
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 15pF
Max. load current: 10A
кількість в упаковці: 7500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER2G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2G-DIO SMD universal diodes
ER2G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
21+ | 14.52 грн |
205+ | 5.29 грн |
560+ | 5.00 грн |
ER2J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2J-DIO SMD universal diodes
ER2J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 13690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
22+ | 13.83 грн |
215+ | 5.04 грн |
590+ | 4.76 грн |
ER2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2K-DIO SMD universal diodes
ER2K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
26+ | 11.56 грн |
233+ | 4.61 грн |
641+ | 4.36 грн |