Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (30596) > Сторінка 217 з 510
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIF120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIF120SIC028-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIF120SIC053-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIF120SIC053-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIF120SIC053 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIF120SIC053-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 675 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT080N08-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT090N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm Power dissipation: 160W Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Gate charge: 94nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT095N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT095N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 586 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIT100N10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT100N10-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 715 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIT120N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Pulsed drain current: 450A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 505 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A Pulsed drain current: 600A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 586 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIT195N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIT195N08-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 851 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 345 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030M060-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 330nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 69ns Turn-off time: 337ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 426 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 236 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Case: TO247-3 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -4...15V Gate charge: 236nC On-state resistance: 16mΩ Power dissipation: 550W Drain current: 100A Drain-source voltage: 650V Pulsed drain current: 300A Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW085N06-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW120SIC022-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EAL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 25A Kind of package: reel; tape Leakage current: 5µA Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9040 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 16660 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 62515 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 6325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 822 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL34A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1395 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL34B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EGL34D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 975 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL34G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2575 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EM513-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EM513-AQ-DIO THT universal diodes |
на замовлення 3466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EM513 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EM513-DIO THT universal diodes |
на замовлення 39483 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EM513R | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EM513R-DIO THT universal diodes |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EM516 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EM516-DIO THT universal diodes |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EM518 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
EM518-DIO THT universal diodes |
на замовлення 11140 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 6960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ER1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 30A Kind of package: reel; tape Leakage current: 5µA Max. load current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ER1D-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 6414 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 7896 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 10228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1M-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER1M-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 9460 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2A | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER2A-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER2B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2D-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 543 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2J-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 13362 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ER2K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
ER2K-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| DIF120SIC028 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIF120SIC028-DIO THT N channel transistors
DIF120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1848.99 грн |
| 2+ | 1749.12 грн |
| DIF120SIC053-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIF120SIC053-AQ THT N channel transistors
DIF120SIC053-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1671.01 грн |
| 2+ | 1580.05 грн |
| DIF120SIC053 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIF120SIC053-DIO THT N channel transistors
DIF120SIC053-DIO THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1214.96 грн |
| 2+ | 848.36 грн |
| 4+ | 801.89 грн |
| DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 675 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 97.96 грн |
| 5+ | 72.08 грн |
| 10+ | 56.16 грн |
| 50+ | 33.02 грн |
| 100+ | 28.67 грн |
| 500+ | 26.00 грн |
| DIT080N08-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 11+ | 107.18 грн |
| 31+ | 101.35 грн |
| DIT090N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Power dissipation: 160W
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Gate charge: 94nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Power dissipation: 160W
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Gate charge: 94nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.45 грн |
| 10+ | 53.80 грн |
| 50+ | 45.68 грн |
| 100+ | 43.21 грн |
| 250+ | 40.84 грн |
| DIT095N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.63 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| DIT100N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT100N10-DIO THT N channel transistors
DIT100N10-DIO THT N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.18 грн |
| 19+ | 63.28 грн |
| 51+ | 60.31 грн |
| DIT120N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 190.60 грн |
| 10+ | 152.99 грн |
| 50+ | 96.90 грн |
| 100+ | 78.11 грн |
| 250+ | 63.28 грн |
| 500+ | 59.33 грн |
| DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 586 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.27 грн |
| 10+ | 124.55 грн |
| 50+ | 75.64 грн |
| 100+ | 57.15 грн |
| 250+ | 48.35 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
| DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 851 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 248.10 грн |
| 9+ | 134.47 грн |
| 24+ | 126.56 грн |
| DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 471.72 грн |
| 10+ | 368.62 грн |
| 30+ | 267.96 грн |
| 120+ | 200.72 грн |
| DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 345 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 442.97 грн |
| 5+ | 240.27 грн |
| 14+ | 227.42 грн |
| DIW030M060 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.04 грн |
| 10+ | 126.56 грн |
| 26+ | 119.64 грн |
| 1020+ | 119.11 грн |
| DIW040F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 682.55 грн |
| 3+ | 440.99 грн |
| 8+ | 417.26 грн |
| DIW040M120 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 330nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 426 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 622.92 грн |
| 3+ | 566.79 грн |
| 10+ | 485.48 грн |
| 30+ | 416.27 грн |
| 120+ | 352.00 грн |
| 150+ | 347.06 грн |
| 510+ | 316.40 грн |
| DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 343.94 грн |
| 10+ | 264.91 грн |
| 25+ | 200.72 грн |
| 30+ | 190.83 грн |
| 120+ | 133.48 грн |
| 450+ | 129.53 грн |
| DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -4...15V
Gate charge: 236nC
On-state resistance: 16mΩ
Power dissipation: 550W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 650V
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1855.99 грн |
| DIW065SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1795.29 грн |
| 2+ | 760.36 грн |
| 5+ | 718.83 грн |
| DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.23 грн |
| 6+ | 226.72 грн |
| 15+ | 214.36 грн |
| DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC022-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC022-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3992.63 грн |
| DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5929.62 грн |
| DIW120SIC028 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1950.83 грн |
| 2+ | 1844.05 грн |
| DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1651.24 грн |
| 2+ | 1560.27 грн |
| DIW170SIC750 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 364.17 грн |
| 6+ | 221.48 грн |
| 15+ | 209.62 грн |
| EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1D-DIO SMD universal diodes
EAL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.36 грн |
| 300+ | 4.00 грн |
| 810+ | 3.79 грн |
| EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 9.36 грн |
| 290+ | 4.15 грн |
| 780+ | 3.93 грн |
| EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.32 грн |
| 270+ | 4.41 грн |
| 730+ | 4.17 грн |
| EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 15.12 грн |
| 234+ | 5.02 грн |
| 642+ | 4.75 грн |
| EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.88 грн |
| 432+ | 2.72 грн |
| 1187+ | 2.57 грн |
| EGL1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 25A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9040 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.84 грн |
| 35+ | 8.93 грн |
| 100+ | 5.42 грн |
| 500+ | 3.96 грн |
| 1000+ | 3.47 грн |
| 2500+ | 2.94 грн |
| 5000+ | 2.59 грн |
| EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 16660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.60 грн |
| 351+ | 3.34 грн |
| 965+ | 3.15 грн |
| EGL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1G-DIO SMD universal diodes
EGL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 62515 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.43 грн |
| 346+ | 3.39 грн |
| 949+ | 3.20 грн |
| EGL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.41 грн |
| 336+ | 3.49 грн |
| 924+ | 3.29 грн |
| EGL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 55+ | 5.86 грн |
| 350+ | 3.56 грн |
| 925+ | 3.36 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 822 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.69 грн |
| 319+ | 3.68 грн |
| 876+ | 3.48 грн |
| EGL34A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34A-DIO SMD universal diodes
EGL34A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 255+ | 1.26 грн |
| 2472+ | 1.24 грн |
| EGL34B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34B-DIO SMD universal diodes
EGL34B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 6.05 грн |
| 515+ | 2.27 грн |
| 1415+ | 2.16 грн |
| 50000+ | 2.15 грн |
| EGL34D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34D-DIO SMD universal diodes
EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 975 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.29 грн |
| 374+ | 3.13 грн |
| 1029+ | 2.96 грн |
| EGL34G |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34G-DIO SMD universal diodes
EGL34G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 65+ | 4.92 грн |
| 400+ | 2.99 грн |
| 1100+ | 2.82 грн |
| EM513-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM513-AQ-DIO THT universal diodes
EM513-AQ-DIO THT universal diodes
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.61 грн |
| 344+ | 3.41 грн |
| 946+ | 3.22 грн |
| 10000+ | 3.21 грн |
| EM513 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM513-DIO THT universal diodes
EM513-DIO THT universal diodes
на замовлення 39483 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.00 грн |
| 553+ | 2.12 грн |
| 1521+ | 2.01 грн |
| EM513R |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM513R-DIO THT universal diodes
EM513R-DIO THT universal diodes
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 8.27 грн |
| 864+ | 1.35 грн |
| 2377+ | 1.29 грн |
| EM516 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM516-DIO THT universal diodes
EM516-DIO THT universal diodes
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.73 грн |
| 452+ | 2.59 грн |
| 1242+ | 2.45 грн |
| EM518 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM518-DIO THT universal diodes
EM518-DIO THT universal diodes
на замовлення 11140 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 10.14 грн |
| 376+ | 3.11 грн |
| 1032+ | 2.95 грн |
| ER1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1A-DIO SMD universal diodes
ER1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 7.08 грн |
| 332+ | 3.53 грн |
| 913+ | 3.34 грн |
| ER1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: SMA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 5µA
Max. load current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.30 грн |
| 32+ | 9.65 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 250+ | 5.36 грн |
| 500+ | 4.67 грн |
| 1000+ | 4.01 грн |
| 2000+ | 3.41 грн |
| ER1D-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 6414 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 20.25 грн |
| 309+ | 3.80 грн |
| 848+ | 3.59 грн |
| ER1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-DIO SMD universal diodes
ER1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.46 грн |
| 346+ | 3.39 грн |
| 949+ | 3.20 грн |
| ER1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1G-DIO SMD universal diodes
ER1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7896 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 6.40 грн |
| 353+ | 3.32 грн |
| 968+ | 3.14 грн |
| ER1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1J-DIO SMD universal diodes
ER1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 10228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.29 грн |
| 351+ | 3.34 грн |
| 965+ | 3.15 грн |
| ER1K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1K-DIO SMD universal diodes
ER1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 21.94 грн |
| 326+ | 3.60 грн |
| 896+ | 3.40 грн |
| ER1M-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1M-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 5.97 грн |
| 260+ | 4.54 грн |
| 710+ | 4.30 грн |
| 7500+ | 4.29 грн |
| ER1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1M-DIO SMD universal diodes
ER1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 9460 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 49+ | 6.58 грн |
| 332+ | 3.53 грн |
| 913+ | 3.34 грн |
| ER2A |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2A-DIO SMD universal diodes
ER2A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.39 грн |
| 224+ | 5.24 грн |
| 615+ | 4.95 грн |
| ER2B |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2B-DIO SMD universal diodes
ER2B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.08 грн |
| 206+ | 5.73 грн |
| 566+ | 5.34 грн |
| ER2D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2D-DIO SMD universal diodes
ER2D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 543 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.39 грн |
| 206+ | 5.70 грн |
| 566+ | 5.39 грн |
| 24000+ | 5.38 грн |
| ER2G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2G-DIO SMD universal diodes
ER2G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.65 грн |
| 210+ | 5.71 грн |
| 565+ | 5.39 грн |
| ER2J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2J-DIO SMD universal diodes
ER2J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 13362 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.89 грн |
| 216+ | 5.43 грн |
| 594+ | 5.13 грн |
| ER2K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER2K-DIO SMD universal diodes
ER2K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 12.46 грн |
| 236+ | 4.97 грн |
| 649+ | 4.70 грн |




