Продукція > DIOTEC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника DIOTEC SEMICONDUCTOR (31912) > Сторінка 220 з 532
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DIT050N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 85W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 503 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIT074P05 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIT074P05-DIO THT P channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIT080N08-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIT080N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIT080N08-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIT085N10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DIT090N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 62A Pulsed drain current: 310A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 94nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIT095N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIT100N10 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Pulsed drain current: 380A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 85nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 629 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIT120N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 84A Pulsed drain current: 450A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 163nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: max. 1.2mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIT150N03 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 105A On-state resistance: 2.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 38nC Heatsink thickness: max. 1.2mm Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 600A Mounting: THT Case: TO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 946 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIT195N08 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIW012N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.5A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DIW018N65 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 155W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW030F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW030M060 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030M060-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW030N65K | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW030N65K-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIW040F135 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW040F135-DIO THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIW040M120 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3 Collector current: 40A Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mounting: THT Collector-emitter voltage: 1.2kV Turn-on time: 69ns Turn-off time: 337ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 330W Kind of package: tube Gate charge: 330nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW050F065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 350W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 168ns Turn-off time: 245ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW065SIC015 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 100A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 550W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 236nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...15V Pulsed drain current: 300A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW065SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DIW065SIC080 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W Mounting: THT Case: TO247-3 Drain-source voltage: 650V Drain current: 26A On-state resistance: 75mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 175W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 75nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...18V Pulsed drain current: 100A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DIW075M065 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 330W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 330W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Turn-on time: 116ns Turn-off time: 357ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW085N06 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DIW120SIC022-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 85A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 269nC Technology: SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -4...18V Pulsed drain current: 250A Mounting: THT Case: TO247-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DIW120SIC023-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW120SIC028 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIW120SIC059-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW170SIC049 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DIW170SIC070 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DIW170SIC750 | DIOTEC SEMICONDUCTOR | DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EAL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
EAL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL1B-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
EGL1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.35V Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 25A Max. load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EGL1GR13 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.35V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
EGL1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1K | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 13400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 1810 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() ![]() |
на замовлення 3242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EGL34G | DIOTEC SEMICONDUCTOR | EGL34G-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 9246 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
EM513-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Max. load current: 5.4A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Leakage current: 50µA Application: automotive industry Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EM513 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Case: DO41 Mounting: THT Max. load current: 5.4A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 1.5µs Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack Type of diode: rectifying Max. off-state voltage: 1.6kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61775 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
EM516 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 6280 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
EM518 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Case: DO41 Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 27A Kind of package: Ammo Pack Max. load current: 5.4A Reverse recovery time: 1.5µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33340 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ER1A | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
ER1B | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 5460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ER1D-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ER1D | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A Max. off-state voltage: 200V Max. load current: 6A Max. forward voltage: 1V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: superfast switching Mounting: SMD Case: SMA кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ER1G | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
ER1J | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A Case: SMA Max. off-state voltage: 0.6kV Max. load current: 6A Max. forward voltage: 1.7V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: superfast switching Mounting: SMD кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DIT050N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 90A; 85W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 85W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 55.46 грн |
8+ | 38.01 грн |
41+ | 26.58 грн |
112+ | 25.11 грн |
500+ | 24.92 грн |
DIT074P05 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT074P05-DIO THT P channel transistors
DIT074P05-DIO THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIT080N08-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
DIT080N08-AQ-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIT080N08 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT080N08-DIO THT N channel transistors
DIT080N08-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIT085N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT085N10-DIO THT N channel transistors
DIT085N10-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIT090N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 62A; Idm: 310A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 94nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 89.13 грн |
10+ | 54.05 грн |
26+ | 41.75 грн |
71+ | 39.45 грн |
500+ | 38.26 грн |
1000+ | 37.98 грн |
DIT095N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
DIT095N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.30 грн |
26+ | 42.95 грн |
69+ | 40.55 грн |
DIT100N10 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; Idm: 380A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 380A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.76 грн |
10+ | 64.94 грн |
19+ | 59.77 грн |
50+ | 57.93 грн |
51+ | 56.10 грн |
100+ | 55.18 грн |
500+ | 54.26 грн |
DIT120N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 84A; Idm: 450A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 450A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 163nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: max. 1.2mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.51 грн |
10+ | 84.99 грн |
18+ | 60.69 грн |
49+ | 57.02 грн |
1000+ | 55.18 грн |
DIT150N03 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 600A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 105A; Idm: 600A; 130W; TO220AB
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 105A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 130W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 38nC
Heatsink thickness: max. 1.2mm
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 600A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 946 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.80 грн |
10+ | 78.02 грн |
23+ | 46.81 грн |
64+ | 44.23 грн |
10000+ | 42.58 грн |
DIT195N08 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
DIT195N08-DIO THT N channel transistors
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 185.19 грн |
9+ | 125.07 грн |
24+ | 118.63 грн |
DIW012N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.5A; Idm: 60A; 125W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW018N65 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 60A; 155W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 155W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 473.38 грн |
6+ | 212.96 грн |
15+ | 194.04 грн |
120+ | 193.12 грн |
450+ | 186.68 грн |
DIW030F135 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
DIW030F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 361.47 грн |
5+ | 223.46 грн |
14+ | 211.51 грн |
DIW030M060 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
DIW030M060-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 189.16 грн |
10+ | 117.71 грн |
26+ | 111.27 грн |
DIW030N65K |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW030N65K-DIO THT N channel transistors
DIW030N65K-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW040F135 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
DIW040F135-DIO THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 676.40 грн |
3+ | 410.14 грн |
8+ | 388.07 грн |
DIW040M120 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Gate charge: 330nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 330W; TO247-3
Collector current: 40A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 337ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 330W
Kind of package: tube
Gate charge: 330nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 464.47 грн |
3+ | 403.00 грн |
4+ | 303.47 грн |
10+ | 286.92 грн |
450+ | 275.88 грн |
DIW050F065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 350W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 168ns
Turn-off time: 245ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 337.71 грн |
9+ | 137.52 грн |
23+ | 125.07 грн |
450+ | 120.47 грн |
DIW065SIC015 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 100A; Idm: 300A; 550W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 550W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 236nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...15V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2064.86 грн |
2+ | 1882.25 грн |
DIW065SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW065SIC049-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW065SIC080 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 100A; 175W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
On-state resistance: 75mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 175W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...18V
Pulsed drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 631.84 грн |
3+ | 422.10 грн |
8+ | 384.39 грн |
DIW075M065 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 116ns
Turn-off time: 357ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 330W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 116ns
Turn-off time: 357ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 397.13 грн |
3+ | 344.74 грн |
5+ | 259.33 грн |
12+ | 245.53 грн |
450+ | 235.42 грн |
DIW085N06 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
DIW085N06-DIO THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 339.69 грн |
6+ | 211.05 грн |
15+ | 199.55 грн |
DIW120SIC022-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 85A; Idm: 250A; 340W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 340W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 269nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -4...18V
Pulsed drain current: 250A
Mounting: THT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 4377.31 грн |
120+ | 4164.63 грн |
DIW120SIC023-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC023-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 5516.69 грн |
DIW120SIC028 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
DIW120SIC028-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW120SIC059-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
DIW120SIC059-AQ THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1669.08 грн |
2+ | 1578.04 грн |
DIW170SIC049 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC049-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DIW170SIC070 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC070-DIO THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1327.06 грн |
2+ | 818.45 грн |
4+ | 773.39 грн |
DIW170SIC750 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
DIW170SIC750-DIO THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1A-DIO SMD universal diodes
EAL1A-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1B-DIO SMD universal diodes
EAL1B-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1D-DIO SMD universal diodes
EAL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.71 грн |
290+ | 3.72 грн |
800+ | 3.52 грн |
EAL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1G-DIO SMD universal diodes
EAL1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
35+ | 8.71 грн |
290+ | 3.82 грн |
780+ | 3.61 грн |
EAL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1J-DIO SMD universal diodes
EAL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
31+ | 9.60 грн |
270+ | 4.10 грн |
730+ | 3.88 грн |
EAL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1K-DIO SMD universal diodes
EAL1K-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EAL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EAL1M-DIO SMD universal diodes
EAL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.89 грн |
240+ | 4.67 грн |
640+ | 4.42 грн |
EGL1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1A-DIO SMD universal diodes
EGL1A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
82+ | 3.64 грн |
500+ | 2.23 грн |
1350+ | 2.11 грн |
EGL1B |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1B-DIO SMD universal diodes
EGL1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.59 грн |
475+ | 2.35 грн |
1275+ | 2.23 грн |
EGL1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1D-DIO SMD universal diodes
EGL1D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
59+ | 5.12 грн |
350+ | 3.11 грн |
975+ | 2.94 грн |
EGL1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 25A
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 25A
Max. load current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.85 грн |
29+ | 10.03 грн |
100+ | 5.99 грн |
340+ | 3.16 грн |
933+ | 3.00 грн |
25000+ | 2.94 грн |
50000+ | 2.88 грн |
EGL1GR13 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 50ns; MiniMELF plastic; Ifsm: 25A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.35V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 25 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EGL1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1J-DIO SMD universal diodes
EGL1J-DIO SMD universal diodes
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
56+ | 5.35 грн |
350+ | 3.26 грн |
925+ | 3.08 грн |
EGL1K |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1K-DIO SMD universal diodes
EGL1K-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
55+ | 5.45 грн |
350+ | 3.31 грн |
900+ | 3.13 грн |
EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL1M-DIO SMD universal diodes
EGL1M-DIO SMD universal diodes
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
53+ | 5.64 грн |
325+ | 3.42 грн |
875+ | 3.24 грн |
EGL34A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34A-DIO SMD universal diodes
EGL34A-DIO SMD universal diodes
на замовлення 1810 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
54+ | 5.54 грн |
569+ | 1.89 грн |
1563+ | 1.79 грн |
EGL34B |
![]() ![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34B-DIO SMD universal diodes
EGL34B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
84+ | 3.56 грн |
500+ | 2.18 грн |
1375+ | 2.06 грн |
EGL34D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34D-DIO SMD universal diodes
EGL34D-DIO SMD universal diodes
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
68+ | 4.39 грн |
375+ | 2.88 грн |
1050+ | 2.72 грн |
EGL34G |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EGL34G-DIO SMD universal diodes
EGL34G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 9246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
65+ | 4.58 грн |
400+ | 2.78 грн |
1075+ | 2.63 грн |
EM513-AQ |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. load current: 5.4A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. load current: 5.4A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Leakage current: 50µA
Application: automotive industry
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.89 грн |
36+ | 8.12 грн |
50+ | 5.79 грн |
100+ | 5.09 грн |
250+ | 4.29 грн |
331+ | 3.25 грн |
908+ | 3.07 грн |
EM513 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. load current: 5.4A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.6kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Case: DO41
Mounting: THT
Max. load current: 5.4A
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 1.5µs
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Type of diode: rectifying
Max. off-state voltage: 1.6kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61775 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
37+ | 8.23 грн |
57+ | 5.06 грн |
100+ | 3.56 грн |
250+ | 3.15 грн |
500+ | 2.89 грн |
543+ | 1.97 грн |
1493+ | 1.87 грн |
EM516 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
EM516-DIO THT universal diodes
EM516-DIO THT universal diodes
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
43+ | 6.93 грн |
450+ | 2.41 грн |
1230+ | 2.28 грн |
EM518 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2kV; 1A; Ammo Pack; Ifsm: 27A; DO41; 1.5us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Case: DO41
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 27A
Kind of package: Ammo Pack
Max. load current: 5.4A
Reverse recovery time: 1.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
30+ | 9.90 грн |
43+ | 6.68 грн |
54+ | 5.20 грн |
100+ | 4.75 грн |
250+ | 4.23 грн |
381+ | 2.91 грн |
1046+ | 2.75 грн |
ER1A |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1A-DIO SMD universal diodes
ER1A-DIO SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ER1B |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1B-DIO SMD universal diodes
ER1B-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 7.58 грн |
350+ | 3.11 грн |
960+ | 2.94 грн |
ER1D-AQ |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
ER1D-AQ-DIO SMD universal diodes
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
43+ | 6.93 грн |
310+ | 3.54 грн |
840+ | 3.35 грн |
ER1D |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
Case: SMA
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 35ns; SMA; Ufmax: 1V; Ifsm: 30A
Max. off-state voltage: 200V
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
Case: SMA
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.83 грн |
70+ | 4.30 грн |
250+ | 3.72 грн |
360+ | 3.16 грн |
970+ | 2.99 грн |
7500+ | 2.88 грн |
ER1G |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
ER1G-DIO SMD universal diodes
ER1G-DIO SMD universal diodes
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 7.08 грн |
350+ | 3.09 грн |
960+ | 2.92 грн |
ER1J |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Case: SMA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 1A; 75ns; SMA; Ufmax: 1.7V; Ifsm: 30A
Case: SMA
Max. off-state voltage: 0.6kV
Max. load current: 6A
Max. forward voltage: 1.7V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 75ns
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: superfast switching
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.73 грн |
70+ | 4.64 грн |
250+ | 3.65 грн |
360+ | 3.11 грн |
980+ | 2.94 грн |
7500+ | 2.83 грн |