Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (278085) > Сторінка 860 з 4635

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 463 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 926 1389 1852 2315 2778 3241 3704 4167 4630 4635  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
1N4989US 1N4989US Microchip Technology 11059-sd44a-datasheet Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5181 Microchip Technology 10953-lds-0266-datasheet Description: DIODE STD 4000V 100MA S AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5182 Microchip Technology 10953-lds-0266-datasheet Description: DIODE STD 5000V 100MA S AXIAL
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5183 Microchip Technology LDS-0266%2C+1N3643-47_1N4254-57_1N5181-84%2C+MIL-PRF-19500-279.pdf Description: DIODE STD 7500V 100MA S AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: S, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3427.03 грн
100+3064.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5184 Microchip Technology 10953-lds-0266-datasheet Description: DIODE STD 10000V 100MA S AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5186 1N5186 Microchip Technology LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5186US 1N5186US Microchip Technology SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5187 1N5187 Microchip Technology LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.13 грн
100+454.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5187US 1N5187US Microchip Technology SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5188 1N5188 Microchip Technology LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5188US 1N5188US Microchip Technology SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5189 1N5189 Microchip Technology LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5189US 1N5189US Microchip Technology 11078-sd61a-datasheet Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5190 1N5190 Microchip Technology LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5194 Microchip Technology Description: DIODE STANDARD 70V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5194UR Microchip Technology Description: DIODE STANDARD 70V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5195 Microchip Technology Description: DIODE STD 180V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5195UR Microchip Technology Description: DIODE STD 180V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5196 Microchip Technology Description: DIODE STD 225V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5196UR Microchip Technology Description: DIODE STD 225V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5415 1N5415 Microchip Technology 124360-lds-0231-datasheet Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416 1N5416 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.37 грн
100+368.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416US 1N5416US Microchip Technology LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+697.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417 1N5417 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.57 грн
100+274.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417US 1N5417US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418 1N5418 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.91 грн
100+400.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418US 1N5418US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+649.12 грн
100+580.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419 1N5419 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.62 грн
100+318.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419US 1N5419US Microchip Technology LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420 1N5420 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.74 грн
100+446.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420US 1N5420US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5533B 1N5533B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 11.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5534B 1N5534B Microchip Technology 1N5518B_1N5546B-1.pdf Description: DIODE ZENER 14V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 12.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 101 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5535B 1N5535B Microchip Technology 1N5518B_1N5546B-1.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 13.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 102 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5536B 1N5536B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5537B 1N5537B Microchip Technology 1N5518B_1N5546B-1.pdf Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17 V
Impedance (Max) (Zzt): 104 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 15.3 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5538B 1N5538B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5539B 1N5539B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 19V 500MW DO35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5542B 1N5542B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 21.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 109 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5546B 1N5546B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 113 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 29.7 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US 1N5550US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US 1N5551US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US 1N5552US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553US 1N5553US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+742.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US 1N5554US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 1N5555 Microchip Technology lds-0094.pdf Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 1N5556 Microchip Technology lds-0094.pdf Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1512.52 грн
100+1352.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614 1N5614 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.76 грн
100+250.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614US 1N5614US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.38 грн
100+351.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615 1N5615 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.75 грн
100+267.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615US 1N5615US Microchip Technology 11062-sd47a-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.20 грн
100+467.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616 1N5616 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616US 1N5616US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.24 грн
100+419.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617 1N5617 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.15 грн
100+259.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617US 1N5617US Microchip Technology SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A D5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.75 грн
100+376.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618 1N5618 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618US 1N5618US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+515.38 грн
100+460.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619 1N5619 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
100+300.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619US 1N5619US Microchip Technology SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.75 грн
100+376.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620 1N5620 Microchip Technology 10968-sa7-47-datasheet Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.35 грн
100+275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N4989US 11059-sd44a-datasheet
1N4989US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 200V 5W D5B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5181 10953-lds-0266-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 4000V 100MA S AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 4000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 4000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5182 10953-lds-0266-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 5000V 100MA S AXIAL
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 5000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 5000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5183 LDS-0266%2C+1N3643-47_1N4254-57_1N5181-84%2C+MIL-PRF-19500-279.pdf
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 7500V 100MA S AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: S, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: S, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 7500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 7500 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3427.03 грн
100+3064.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5184 10953-lds-0266-datasheet
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 10000V 100MA S AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 10000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 10 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10000 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: S, Axial
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Technology: Standard
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: S, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5186 LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5186
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5186US SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5186US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5187 LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5187
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.13 грн
100+454.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5187US SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5187US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5188 LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5188
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5188US SD61A%2C+1N5186US_1N5190US%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5188US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5189 LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5189
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5189US 11078-sd61a-datasheet
1N5189US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 300 ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5190 LDS-0216%2C+1N5186_1N5188_1N5190%2C+MIL-PRF-19500-424.pdf
1N5190
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 600 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+509.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5194
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 70V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5194UR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 70V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 70 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 70 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5195
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 180V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5195UR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 180V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 180 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 180 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5196
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 225V 200MA DO204AH
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5196UR
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STD 225V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 nA @ 225 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5415 124360-lds-0231-datasheet
1N5415
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 3A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5416
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+411.37 грн
100+368.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416US LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5416US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+697.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5417
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.57 грн
100+274.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5417US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5418
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+448.91 грн
100+400.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5418US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+649.12 грн
100+580.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5419
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, B
Packaging: Bulk
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.62 грн
100+318.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419US LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5419US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5420
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: B, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: B, Axial
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.74 грн
100+446.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5420US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5B
Current - Average Rectified (Io): 3A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, E
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5533B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5533B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 11.7 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5534B 1N5518B_1N5546B-1.pdf
1N5534B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 14V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 12.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 101 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5535B 1N5518B_1N5546B-1.pdf
1N5535B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 13.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 102 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5536B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5536B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 527 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5537B 1N5518B_1N5546B-1.pdf
1N5537B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 17 V
Impedance (Max) (Zzt): 104 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 15.3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5538B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5538B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.2 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5539B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5539B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 19V 500MW DO35
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5542B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5542B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 21.6 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Power - Max: 500 mW
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Impedance (Max) (Zzt): 109 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5546B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5546B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Tolerance: ±5%
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 113 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 29.7 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5550US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+767.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5551US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5552US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+767.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5553US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+742.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5554US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+561.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 lds-0094.pdf
1N5555
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 lds-0094.pdf
1N5556
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1512.52 грн
100+1352.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614 11061-sd46a-datasheet
1N5614
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.76 грн
100+250.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614US 10967-sa7-45-datasheet
1N5614US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+393.38 грн
100+351.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5615
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.75 грн
100+267.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615US 11062-sd47a-datasheet
1N5615US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.20 грн
100+467.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616 11061-sd46a-datasheet
1N5616
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+259.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616US 10967-sa7-45-datasheet
1N5616US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.24 грн
100+419.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5617
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.15 грн
100+259.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617US SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5617US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 1A D5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.75 грн
100+376.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618 11061-sd46a-datasheet
1N5618
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618US 10967-sa7-45-datasheet
1N5618US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+515.38 грн
100+460.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5619
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.51 грн
100+300.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619US SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5619US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SQ-MELF, A
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D-5A
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+420.75 грн
100+376.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620 10968-sa7-47-datasheet
1N5620
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: A, Axial
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Supplier Device Package: A, Axial
Current - Average Rectified (Io): 1A
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.35 грн
100+275.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 463 855 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 926 1389 1852 2315 2778 3241 3704 4167 4630 4635  [ Наступна Сторінка >> ]