Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (337430) > Сторінка 861 з 5624

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 562 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 866 1124 1686 2248 2810 3372 3934 4496 5058 5620 5624  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N5416 1N5416 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.94 грн
100+400.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416US 1N5416US Microchip Technology LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417 1N5417 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+332.98 грн
100+298.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417US 1N5417US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418 1N5418 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.82 грн
100+436.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418US 1N5418US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.83 грн
100+631.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419 1N5419 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.33 грн
100+347.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419US 1N5419US Microchip Technology LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420 1N5420 Microchip Technology LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+544.17 грн
100+486.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420US 1N5420US Microchip Technology 11075-lds-0231-1-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5533B 1N5533B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 11.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5534B 1N5534B Microchip Technology 1N5518B_1N5546B-1.pdf Description: DIODE ZENER 14V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 101 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5535B 1N5535B Microchip Technology 1N5518B_1N5546B-1.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 102 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 13.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5536B 1N5536B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5537B 1N5537B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5538B 1N5538B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5539B 1N5539B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 19V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5542B 1N5542B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 109 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 21.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5546B 1N5546B Microchip Technology 123956-lds-0037-1-datasheet Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 113 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 29.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US 1N5550US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US 1N5551US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.85 грн
100+452.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US 1N5552US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553US 1N5553US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US 1N5554US Microchip Technology LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.86 грн
100+529.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 1N5555 Microchip Technology lds-0094.pdf Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.27 грн
100+983.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 1N5556 Microchip Technology lds-0094.pdf Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.81 грн
100+1458.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614 1N5614 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.72 грн
100+273.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614US 1N5614US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.35 грн
100+382.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615 1N5615 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+325.31 грн
100+291.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615US 1N5615US Microchip Technology 11062-sd47a-datasheet Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+569.72 грн
100+509.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616 1N5616 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616US 1N5616US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.96 грн
100+456.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617 1N5617 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.94 грн
100+282.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617US 1N5617US Microchip Technology SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.16 грн
100+410.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618 1N5618 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618US 1N5618US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.20 грн
100+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619 1N5619 Microchip Technology 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.34 грн
100+327.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619US 1N5619US Microchip Technology SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.16 грн
100+410.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620 1N5620 Microchip Technology 10968-sa7-47-datasheet Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+334.68 грн
100+299.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620US 1N5620US Microchip Technology 10967-sa7-45-datasheet Description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5622 1N5622 Microchip Technology 11061-sd46a-datasheet Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728B 1N5728B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728C 1N5728C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728D 1N5728D Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729B 1N5729B Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729C 1N5729C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729D 1N5729D Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730B 1N5730B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730C 1N5730C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730D 1N5730D Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731B 1N5731B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731C 1N5731C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731D 1N5731D Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732B 1N5732B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732C 1N5732C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732D 1N5732D Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5733B 1N5733B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5733C 1N5733C Microchip Technology 10921-sa5-55-datasheet Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5734B 1N5734B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5735B 1N5735B Microchip Technology 1N5728B_1N5757B-1.pdf Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5416
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.94 грн
100+400.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5416US LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5416US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 100V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5417
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.98 грн
100+298.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5417US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5417US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5418
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.82 грн
100+436.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5418US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5418US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+706.83 грн
100+631.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5419
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.33 грн
100+347.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5419US LDS-0231-1%2C+1N5415US+thru1N5420US%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5419US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 500V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420 LDS-0231%2C+1N5415+thru+1N5420%2C+MIL-PRF-19500-411.pdf
1N5420
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A B AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: B, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.17 грн
100+486.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5420US 11075-lds-0231-1-datasheet
1N5420US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5533B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5533B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 13V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 13 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 11.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5534B 1N5518B_1N5546B-1.pdf
1N5534B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 14V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 14 V
Impedance (Max) (Zzt): 101 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 12.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5535B 1N5518B_1N5546B-1.pdf
1N5535B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 15V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 102 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 13.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5536B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5536B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 16V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5537B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5537B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 17V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5538B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5538B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 18V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 18 V
Impedance (Max) (Zzt): 105 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 16.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5539B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5539B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 19V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5542B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5542B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 24V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 24 V
Impedance (Max) (Zzt): 109 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 21.6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5546B 123956-lds-0037-1-datasheet
1N5546B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 33V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 113 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 nA @ 29.7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5550US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5550US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5551US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5551US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.85 грн
100+452.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5552US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5552US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 3A D5B
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, E
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: D-5B
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5553US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5553US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 800V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+808.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5554US LDS-0230-1%2C+1N5550US+thru1N5554US%2C+MIL-PRF-19500-420.pdf
1N5554US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A B SQMELF
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, B
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: B, SQ-MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 9 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 1000 V
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.86 грн
100+529.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5555 lds-0094.pdf
1N5555
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 30.5VWM 47.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 32A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30.5V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 47.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.27 грн
100+983.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5556 lds-0094.pdf
1N5556
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 40.3VWM 63.5VC DO13
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-202AA, DO-13, Axial
Mounting Type: Through Hole
Type: Zener
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 40.3V
Supplier Device Package: DO-13 (DO-202AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 43.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 63.5V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1630.81 грн
100+1458.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614 11061-sd46a-datasheet
1N5614
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.72 грн
100+273.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5614US 10967-sa7-45-datasheet
1N5614US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+428.35 грн
100+382.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5615
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.31 грн
100+291.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5615US 11062-sd47a-datasheet
1N5615US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 200V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 200 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.72 грн
100+509.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616 11061-sd46a-datasheet
1N5616
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5616US 10967-sa7-45-datasheet
1N5616US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A D-5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.96 грн
100+456.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5617
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.94 грн
100+282.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5617US SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5617US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 400V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 400 V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.16 грн
100+410.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618 11061-sd46a-datasheet
1N5618
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5618US 10967-sa7-45-datasheet
1N5618US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.20 грн
100+501.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619 1N5615-1N5623-SA7-47-MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5619
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.34 грн
100+327.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5619US SD47A%2C+1N5615US+thru+1N5623US%2C+MIL-PRF-19500-429.pdf
1N5619US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE STANDARD 600V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 600 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.16 грн
100+410.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620 10968-sa7-47-datasheet
1N5620
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: A, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: A, Axial
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+334.68 грн
100+299.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5620US 10967-sa7-45-datasheet
1N5620US
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A
Packaging: Bulk
Package / Case: SQ-MELF, A
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: D-5A
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5622 11061-sd46a-datasheet
1N5622
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5728B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728C 10921-sa5-55-datasheet
1N5728C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5728D 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5728D
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 4.7V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 70 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729B 10921-sa5-55-datasheet
1N5729B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729C 10921-sa5-55-datasheet
1N5729C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5729D 10921-sa5-55-datasheet
1N5729D
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
Packaging: Bulk
Tolerance: ±1%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 50 Ohms
Supplier Device Package: DO-35
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5730B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730C 10921-sa5-55-datasheet
1N5730C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5730D 10921-sa5-55-datasheet
1N5730D
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5731B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731C 10921-sa5-55-datasheet
1N5731C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5731D 10921-sa5-55-datasheet
1N5731D
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5732B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 6.8 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732C 10921-sa5-55-datasheet
1N5732C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5732D 10921-sa5-55-datasheet
1N5732D
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5733B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5733B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5733C 10921-sa5-55-datasheet
1N5733C
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5734B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5734B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 8.2V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N5735B 1N5728B_1N5757B-1.pdf
1N5735B
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO204AH
Packaging: Bulk
Tolerance: ±5%
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 9.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 562 856 857 858 859 860 861 862 863 864 865 866 1124 1686 2248 2810 3372 3934 4496 5058 5620 5624  [ Наступна Сторінка >> ]