Результат пошуку "10nk" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) індуктивність 10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) індуктивність
Код товару: 13555 		Hitano SWI0603CT_080418.pdf Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603
Номінал, nH: 10 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0603
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=700mA
Номінальний струм: 480 mA
Опір: 0,195 Ohm
у наявності: 2703 шт
2+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z STP10NK60Z
Код товару: 14727 		ST STP10NK60Z.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.9 грн
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP
Код товару: 4775 		ST STP10NK60Z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 797 шт
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 28.9 грн
STW10NK80Z STW10NK80Z
Код товару: 2065 		ST STW10NK80Z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
1+195 грн
10+ 182 грн
10NK HH2520
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C-10NK-T ABRACON AIAC_0805C-3318067.pdf RF Inductors - SMD FIXED IND 10NH 900MA 5.4 MOHM
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.2 грн
14+ 22.21 грн
100+ 16.25 грн
1000+ 14.45 грн
4000+ 13.92 грн
8000+ 12.99 грн
24000+ 12.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C-10NK-T Abracon LLC AIAC-0805C.pdf Description: FIXED IND 10NH 900MA 5.4MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.112" L x 0.071" W (2.85mm x 1.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 5.4mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 300MHz
Frequency - Self Resonant: 3GHz
Material - Core: Air
Inductance Frequency - Test: 300 MHz
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 nH
Current Rating (Amps): 900 mA
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.3 грн
10+ 29.07 грн
25+ 26.69 грн
50+ 22.77 грн
100+ 20.27 грн
250+ 19.13 грн
500+ 16.12 грн
1000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
DKIH-3237-1010-NK SCHURTER typ_DKIH-1.pdf DKIH-3237-1010-NK Toroidal inductors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1234.82 грн
3+ 1167.47 грн
DKIH-3237-1010-NK DKIH-3237-1010-NK Schurter typ_DKIH_1-1276015.pdf Common Mode Chokes / Filters 10A 2X6.9mH SINGLE PHASE CHOKE
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1403.13 грн
40+ 1230.68 грн
120+ 969.6 грн
DKIH-3237-1010-NK DKIH-3237-1010-NK SCHURTER Inc. typ_DKIH-1.pdf Description: CMC 10A 2LN TH
Packaging: Bulk
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Size / Dimension: 1.457" Dia (37.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR
Height (Max): 1.024" (26.00mm)
Current Rating (Max): 10A
DC Resistance (DCR) (Max): 10mOhm
Part Status: Active
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1331.95 грн
L-05B10NKV6T L-05B10NKV6T Johanson Technology jti-cat-rf-ind-844822.pdf RF Inductors - SMD 10nH 10%
на замовлення 11248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
44+7.23 грн
109+ 2.83 грн
149+ 1.8 грн
1000+ 1.27 грн
2500+ 1.2 грн
15000+ 0.93 грн
90000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 44
L-14W10NKV4E L-14W10NKV4E Johanson Technology johanson_jtins00019_1-1746979.pdf RF Inductors - SMD 10nH 10%
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+14.45 грн
26+ 11.95 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.06 грн
3000+ 4.66 грн
9000+ 4.26 грн
24000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
S51-PR-2-C10-NK IDEC IDEC_S51Series-1902367.pdf Photoelectric Sensors 952701231 Sensor M18 tubular
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4432.36 грн
10+ 3679.03 грн
25+ 2999.37 грн
50+ 2933.45 грн
100+ 2870.85 грн
250+ 2772.29 грн
500+ 2633.11 грн
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237 грн
10+ 191.18 грн
100+ 154.68 грн
500+ 129.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+122.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB10NK60ZT4 STB10NK60ZT4 STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.16 грн
10+ 212.13 грн
25+ 183.13 грн
100+ 149.17 грн
250+ 148.5 грн
500+ 133.19 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics stfu10nk60z-1850917.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.76 грн
10+ 91.9 грн
100+ 63.2 грн
500+ 54.41 грн
1000+ 44.28 грн
2000+ 39.02 грн
5000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFU10NK60Z STFU10NK60Z STMicroelectronics en.DM00256590.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.61 грн
50+ 82.37 грн
100+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.15 грн
6+ 68.67 грн
10+ 64.51 грн
16+ 52.03 грн
43+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+105.78 грн
4+ 85.58 грн
10+ 77.42 грн
16+ 62.43 грн
43+ 58.27 грн
250+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.52 грн
10+ 198.35 грн
25+ 131.19 грн
100+ 119.2 грн
500+ 111.88 грн
1000+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z STP10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.71 грн
50+ 167.48 грн
100+ 143.54 грн
500+ 119.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z ST en.CD00002815.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127 грн
4+ 94.34 грн
10+ 84.63 грн
17+ 48.56 грн
46+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+152.4 грн
3+ 117.56 грн
10+ 101.56 грн
17+ 58.27 грн
46+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics en.CD00002815.pdf description Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.08 грн
50+ 174.68 грн
100+ 149.73 грн
500+ 124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP STP10NK60ZFP STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf description MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.65 грн
10+ 200.65 грн
25+ 147.84 грн
100+ 138.51 грн
250+ 135.85 грн
500+ 125.2 грн
1000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP ST en.CD00002815.pdf description N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP10NK60ZFP ST en.CD00002815.pdf description N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP10NK70Z STP10NK70Z STMicroelectronics en.CD00003116.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+149.84 грн
50+ 115.75 грн
100+ 113.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.12 грн
5+ 80.47 грн
10+ 72.14 грн
13+ 63.13 грн
35+ 59.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+100.27 грн
10+ 86.57 грн
13+ 75.75 грн
35+ 71.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics en.CD00003116.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK70ZFP STP10NK70ZFP STMicroelectronics stp10nk70zfp-1851478.pdf MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.89 грн
10+ 269.57 грн
25+ 203.78 грн
100+ 174.48 грн
250+ 169.81 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 132.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.66 грн
50+ 214.65 грн
100+ 183.99 грн
500+ 153.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z STP10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.23 грн
10+ 186.86 грн
25+ 132.52 грн
100+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z ST en.CD00003020.pdf N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.03 грн
10+ 82.55 грн
11+ 75.61 грн
30+ 71.45 грн
50+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+136.26 грн
3+ 118.43 грн
10+ 99.06 грн
11+ 90.73 грн
30+ 85.74 грн
50+ 84.91 грн
250+ 84.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.26 грн
50+ 218.01 грн
100+ 186.86 грн
500+ 155.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP STP10NK80ZFP STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf description MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+295.23 грн
10+ 268.8 грн
25+ 202.44 грн
100+ 173.14 грн
500+ 160.49 грн
1000+ 129.86 грн
2000+ 129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.2 грн
10+ 83.94 грн
27+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics STP10NK60Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+143.43 грн
3+ 123.61 грн
10+ 100.72 грн
27+ 94.9 грн
120+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics stb10nk60z-1850246.pdf MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.45 грн
25+ 229.75 грн
100+ 171.81 грн
250+ 157.16 грн
600+ 130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z STW10NK60Z STMicroelectronics en.CD00002815.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.86 грн
30+ 206.42 грн
120+ 176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z ST en.CD00002815.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics STP10NK80ZFP.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf description MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.05 грн
10+ 309.39 грн
25+ 195.12 грн
100+ 181.8 грн
250+ 173.81 грн
600+ 150.5 грн
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics en.CD00003020.pdf description Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.53 грн
30+ 254.42 грн
120+ 218.08 грн
510+ 181.92 грн
STW10NK80Z ST en.CD00003020.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
Транзистор польовий STP10NK60Z 10А 600V N-ch ТО-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
040210NK TOKO
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2520-10NK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
543LL2012F10NK TOKO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
80110NK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CI201209-10NK
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIH21T10NKNE
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIL10T10NKNC
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) індуктивність
Код товару: 13555		 SWI0603CT_080418.pdf
10nH 10% 0603 (SWI0603CT10NK-Hitano) індуктивність
Виробник: Hitano
Індуктивності, дроселі > Індуктивності 0603
Номінал, nH: 10 nH
Точність: ±10%
Типорозмір: 0603
Характеристики: Дротова на кераміці; IDC max=700mA
Номінальний струм: 480 mA
Опір: 0,195 Ohm
у наявності: 2703 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
1000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z
Код товару: 14727		 STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/50
Монтаж: THT
у наявності: 116 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн
100+ 35.9 грн
STP10NK60ZFP
Код товару: 4775		 description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 797 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 28.9 грн
STW10NK80Z
Код товару: 2065		 description STW10NK80Z.pdf
STW10NK80Z
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 800 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,9 Ohm
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+195 грн
10+ 182 грн
10NK
HH2520
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIAC-0805C-10NK-T AIAC_0805C-3318067.pdf
AIAC-0805C-10NK-T
Виробник: ABRACON
RF Inductors - SMD FIXED IND 10NH 900MA 5.4 MOHM
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.2 грн
14+ 22.21 грн
100+ 16.25 грн
1000+ 14.45 грн
4000+ 13.92 грн
8000+ 12.99 грн
24000+ 12.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
AIAC-0805C-10NK-T AIAC-0805C.pdf
AIAC-0805C-10NK-T
Виробник: Abracon LLC
Description: FIXED IND 10NH 900MA 5.4MOHM SMD
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Nonstandard
Size / Dimension: 0.112" L x 0.071" W (2.85mm x 1.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Wirewound
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 5.4mOhm Max
Q @ Freq: 70 @ 300MHz
Frequency - Self Resonant: 3GHz
Material - Core: Air
Inductance Frequency - Test: 300 MHz
Height - Seated (Max): 0.083" (2.10mm)
Part Status: Active
Inductance: 10 nH
Current Rating (Amps): 900 mA
на замовлення 1823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.3 грн
10+ 29.07 грн
25+ 26.69 грн
50+ 22.77 грн
100+ 20.27 грн
250+ 19.13 грн
500+ 16.12 грн
1000+ 14.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH-1.pdf
Виробник: SCHURTER
DKIH-3237-1010-NK Toroidal inductors
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1234.82 грн
3+ 1167.47 грн
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH_1-1276015.pdf
DKIH-3237-1010-NK
Виробник: Schurter
Common Mode Chokes / Filters 10A 2X6.9mH SINGLE PHASE CHOKE
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1403.13 грн
40+ 1230.68 грн
120+ 969.6 грн
DKIH-3237-1010-NK typ_DKIH-1.pdf
DKIH-3237-1010-NK
Виробник: SCHURTER Inc.
Description: CMC 10A 2LN TH
Packaging: Bulk
Package / Case: Horizontal, 4 PC Pin
Size / Dimension: 1.457" Dia (37.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Number of Lines: 2
Operating Temperature: -40°C ~ 100°C
Approval Agency: ENEC, UR
Height (Max): 1.024" (26.00mm)
Current Rating (Max): 10A
DC Resistance (DCR) (Max): 10mOhm
Part Status: Active
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1331.95 грн
L-05B10NKV6T jti-cat-rf-ind-844822.pdf
L-05B10NKV6T
Виробник: Johanson Technology
RF Inductors - SMD 10nH 10%
на замовлення 11248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
44+7.23 грн
109+ 2.83 грн
149+ 1.8 грн
1000+ 1.27 грн
2500+ 1.2 грн
15000+ 0.93 грн
90000+ 0.87 грн
Мінімальне замовлення: 44
L-14W10NKV4E johanson_jtins00019_1-1746979.pdf
L-14W10NKV4E
Виробник: Johanson Technology
RF Inductors - SMD 10nH 10%
на замовлення 2816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.45 грн
26+ 11.95 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.06 грн
3000+ 4.66 грн
9000+ 4.26 грн
24000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 22
S51-PR-2-C10-NK IDEC_S51Series-1902367.pdf
Виробник: IDEC
Photoelectric Sensors 952701231 Sensor M18 tubular
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4432.36 грн
10+ 3679.03 грн
25+ 2999.37 грн
50+ 2933.45 грн
100+ 2870.85 грн
250+ 2772.29 грн
500+ 2633.11 грн
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237 грн
10+ 191.18 грн
100+ 154.68 грн
500+ 129.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10NK60ZT4 en.CD00002815.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+122.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB10NK60ZT4 stb10nk60z-1850246.pdf
STB10NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.16 грн
10+ 212.13 грн
25+ 183.13 грн
100+ 149.17 грн
250+ 148.5 грн
500+ 133.19 грн
1000+ 113.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU10NK60Z stfu10nk60z-1850917.pdf
STFU10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.68 Ohm typ 10 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.76 грн
10+ 91.9 грн
100+ 63.2 грн
500+ 54.41 грн
1000+ 44.28 грн
2000+ 39.02 грн
5000+ 38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFU10NK60Z en.DM00256590.pdf
STFU10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.61 грн
50+ 82.37 грн
100+ 65.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+88.15 грн
6+ 68.67 грн
10+ 64.51 грн
16+ 52.03 грн
43+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STP10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 115W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 115W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.78 грн
4+ 85.58 грн
10+ 77.42 грн
16+ 62.43 грн
43+ 58.27 грн
250+ 56.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60Z stb10nk60z-1850246.pdf
STP10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 4171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.52 грн
10+ 198.35 грн
25+ 131.19 грн
100+ 119.2 грн
500+ 111.88 грн
1000+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z en.CD00002815.pdf
STP10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.71 грн
50+ 167.48 грн
100+ 143.54 грн
500+ 119.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60Z en.CD00002815.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C; STP10NK60Z TSTP10NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
STP10NK60ZFP description STP10NK60ZFP.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127 грн
4+ 94.34 грн
10+ 84.63 грн
17+ 48.56 грн
46+ 45.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK60ZFP description STP10NK60ZFP.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.4 грн
3+ 117.56 грн
10+ 101.56 грн
17+ 58.27 грн
46+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.08 грн
50+ 174.68 грн
100+ 149.73 грн
500+ 124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP description stb10nk60z-1850246.pdf
STP10NK60ZFP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.65 грн
10+ 200.65 грн
25+ 147.84 грн
100+ 138.51 грн
250+ 135.85 грн
500+ 125.2 грн
1000+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP10NK60ZFP description en.CD00002815.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 10A 600V 35W 0.75Ω STP10NK60ZFP TSTP10NK60ZFP
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
STP10NK70Z en.CD00003116.pdf
STP10NK70Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+149.84 грн
50+ 115.75 грн
100+ 113.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp.pdf
STP10NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.12 грн
5+ 80.47 грн
10+ 72.14 грн
13+ 63.13 грн
35+ 59.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp.pdf
STP10NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 5.4A; Idm: 34A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.27 грн
10+ 86.57 грн
13+ 75.75 грн
35+ 71.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10NK70ZFP en.CD00003116.pdf
STP10NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK70ZFP stp10nk70zfp-1851478.pdf
STP10NK70ZFP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 700V-0.75ohms Zener SuperMESH 8.6A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+299.89 грн
10+ 269.57 грн
25+ 203.78 грн
100+ 174.48 грн
250+ 169.81 грн
500+ 155.16 грн
1000+ 132.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP10NK80Z en.CD00003020.pdf
STP10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+281.66 грн
50+ 214.65 грн
100+ 183.99 грн
500+ 153.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z stp10nk80z-1851531.pdf
STP10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.23 грн
10+ 186.86 грн
25+ 132.52 грн
100+ 127.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80Z en.CD00003020.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 9A 800V 160W STP10NK80Z TSTP10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+109.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10NK80ZFP description STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.03 грн
10+ 82.55 грн
11+ 75.61 грн
30+ 71.45 грн
50+ 70.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP10NK80ZFP description STP10NK80ZFP.pdf
STP10NK80ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+136.26 грн
3+ 118.43 грн
10+ 99.06 грн
11+ 90.73 грн
30+ 85.74 грн
50+ 84.91 грн
250+ 84.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP description en.CD00003020.pdf
STP10NK80ZFP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.26 грн
50+ 218.01 грн
100+ 186.86 грн
500+ 155.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP description stp10nk80z-1851531.pdf
STP10NK80ZFP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+295.23 грн
10+ 268.8 грн
25+ 202.44 грн
100+ 173.14 грн
500+ 160.49 грн
1000+ 129.86 грн
2000+ 129.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP10NK80ZFP description en.CD00003020.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 40W; -55°C ~ 150°C; STP10NK80ZFP TSTP10NK80ZFP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+80.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.2 грн
10+ 83.94 грн
27+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
STW10NK60Z STP10NK60Z.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; 156W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 156W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+143.43 грн
3+ 123.61 грн
10+ 100.72 грн
27+ 94.9 грн
120+ 91.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z stb10nk60z-1850246.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.45 грн
25+ 229.75 грн
100+ 171.81 грн
250+ 157.16 грн
600+ 130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z en.CD00002815.pdf
STW10NK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.86 грн
30+ 206.42 грн
120+ 176.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW10NK60Z en.CD00002815.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 156W; -55°C ~ 150°C; STW10NK60Z TSTW10NK60Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW10NK80Z description STP10NK80ZFP.pdf
STW10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 160W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 160W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STW10NK80Z description stp10nk80z-1851531.pdf
STW10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+362.05 грн
10+ 309.39 грн
25+ 195.12 грн
100+ 181.8 грн
250+ 173.81 грн
600+ 150.5 грн
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
STW10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.53 грн
30+ 254.42 грн
120+ 218.08 грн
510+ 181.92 грн
STW10NK80Z description en.CD00003020.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 900mOhm; 9A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW10NK80Z TSTW10NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+107.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
Транзистор польовий STP10NK60Z 10А 600V N-ch ТО-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
040210NK
Виробник: TOKO
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2520-10NK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
543LL2012F10NK
Виробник: TOKO
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
80110NK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CI201209-10NK
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIH21T10NKNE
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIL10T10NKNC
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]