Результат пошуку "2N56" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 1480
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) Код товару: 199275 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 560 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
очікується:
10000 шт
|
||||||||||||||
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) Код товару: 153914 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 56 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
у наявності: 8450 шт
|
|
|||||||||||||
2N5634 | Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5638RLRA | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5638RLRAG | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V |
на замовлення 15191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5639 | Fairchild Semiconductor |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 25885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5639G | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5639RLRA | onsemi |
Description: RF MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5639RLRAG | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5655 | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5655G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5657G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5663 | General Semiconductor |
Description: TRANS 300V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5666 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5666 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5671 | Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 6 W |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5682 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5682 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5684G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5685 | Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N5686G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
2N56 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N560 | MOT | CAN |
на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N560 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5609 | TOSHIBA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5609 | NEC | 04+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N560A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N561 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5610 | NEC | 04+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5611 | SEMELAB |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5611A | SEMELAB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5613 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5614 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5615 | MOT |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5615 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5616 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5617 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5618 | TOS\MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5619 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N561A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N562 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5620 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5621 | MOT\RCA | 01+ TO-3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5622 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5623 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5625 | TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5626 | MOT\TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5627 | MOT\TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5628 | MOT\TOS | 01+ TO-3 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5629 | MOT\RCA | 01+ TO-3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N562A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N563 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5630 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5630 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
2N5631 | MOT | 01+ TO-3 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
2N5632 | ON | 01+ TO-3 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) Код товару: 199275 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується:
10000 шт
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) Код товару: 153914 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 8450 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.5 грн |
100+ | 0.3 грн |
1000+ | 0.2 грн |
2N5634 |
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 4698.26 грн |
2N5638RLRA |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5638RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5639 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 25885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 21.06 грн |
2N5639G |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5639RLRA |
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5639RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5655 |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.21 грн |
2N5655G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1480+ | 13.16 грн |
2N5657G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5663 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1513.01 грн |
2N5666 |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2673.4 грн |
2N5666 |
Виробник: Microchip Technology
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 2879.04 грн |
2N5671 |
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 3990.69 грн |
2N5680 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 349.06 грн |
40+ | 296.07 грн |
42+ | 278.41 грн |
100+ | 231.03 грн |
250+ | 201.2 грн |
500+ | 181.08 грн |
2N5680 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 324.13 грн |
10+ | 274.93 грн |
25+ | 258.52 грн |
100+ | 214.52 грн |
250+ | 186.83 грн |
500+ | 168.15 грн |
2N5682 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.91 грн |
14+ | 25.26 грн |
25+ | 22.65 грн |
40+ | 19.83 грн |
110+ | 18.8 грн |
500+ | 18.05 грн |
2N5682 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.29 грн |
9+ | 31.47 грн |
25+ | 27.18 грн |
40+ | 23.8 грн |
110+ | 22.57 грн |
500+ | 21.66 грн |
2N5682 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 160.11 грн |
10+ | 147.76 грн |
25+ | 143.21 грн |
2N5682 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5684G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 996.35 грн |
10+ | 845.39 грн |
25+ | 776.87 грн |
2N5685 |
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5302.48 грн |
2N5686G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Description: TRANS NPN 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1219.43 грн |
10+ | 1034.46 грн |
25+ | 950.56 грн |
100+ | 839.59 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]