Результат пошуку "BUZ11" : 47
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 353
Мінімальне замовлення: 353
Мінімальне замовлення: 355
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUZ11-NR4941 Код товару: 184234 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 50 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ Монтаж: THT |
у наявності: 15 шт
|
|
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel 50V 33A |
на замовлення 3836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 6318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON-Semicoductor |
N-MOSFET 30A 50V 75W BUZ11 TBUZ11 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ111S | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ111SL-E3045A | Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 1830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ111SLE3045A | Siemens |
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Power Dissipation (Max): 300W Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11S2537 | Harris Corporation |
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11 | STMicroelectronics NV | N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ110S | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ110SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ110SL | INFINEON | 09+ DIP-3 |
на замовлення 2003 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ111S | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ111SL | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ111SL | INFINEON | 09+ TO-263 |
на замовлення 2135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BUZ111SL | INFINEON |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BUZ11ACHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUZ11AL |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUZ11CHIP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUZ11CHP |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUZ11FIPS2FI |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BUZ11S2 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HUF75345P3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 215W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm |
на замовлення 747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFIZ44NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTE2389 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 35A Pulsed drain current: 152A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP140NF55 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
на замовлення 912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11 Код товару: 30902 |
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 30 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ - Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
BUZ111SL Код товару: 118789 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BUZ11A Код товару: 77764 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 50 V Idd,A: 26 A Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/ Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
BUZ11 | onsemi / Fairchild | MOSFET FET 50V 40.0 MOHM TO220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11 | STMicroelectronics | MOSFET TO-220 N-CH 50V 33A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 30A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 312 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-NR4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11-R4941 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11A | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BUZ11_R4941 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
товар відсутній |
BUZ11-NR4941 Код товару: 184234 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/
Монтаж: THT
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 54 грн |
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 84.42 грн |
6+ | 57.99 грн |
19+ | 43.63 грн |
51+ | 41.27 грн |
BUZ11-NR4941 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel 50V 33A
MOSFET N-Channel 50V 33A
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.46 грн |
10+ | 66.86 грн |
100+ | 46.08 грн |
500+ | 39.09 грн |
800+ | 30.43 грн |
BUZ11-NR4941 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 6318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.36 грн |
50+ | 58.94 грн |
100+ | 46.7 грн |
500+ | 37.14 грн |
1000+ | 30.26 грн |
2000+ | 28.48 грн |
5000+ | 26.68 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 730 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ11-NR4941 |
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 38.82 грн |
BUZ111S |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
353+ | 56.54 грн |
BUZ111SL-E3045A |
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
353+ | 56.54 грн |
BUZ111SLE3045A |
Виробник: Siemens
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Description: MOSFET N-CH 50V 80A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Power Dissipation (Max): 300W
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
355+ | 56.54 грн |
BUZ11S2537 |
Виробник: Harris Corporation
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TRANS
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 33.26 грн |
BUZ11 |
Виробник: STMicroelectronics NV
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
N-кан. MOSFET 50V, 33A, 90Вт, 0.03Ом, -55...+150, TO-220 (STripFET MOSFET)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)HUF75345P3 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
Description: ONSEMI - HUF75345P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 173.31 грн |
10+ | 123.26 грн |
100+ | 100.85 грн |
500+ | 79.08 грн |
IRFIZ44NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IRFIZ44NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 28 A, 0.024 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 103.84 грн |
10+ | 80.68 грн |
100+ | 62.15 грн |
NTE2389 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; Idm: 152A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 509.48 грн |
3+ | 325.34 грн |
7+ | 307.3 грн |
STP140NF55 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.008 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 218.14 грн |
10+ | 103.84 грн |
100+ | 94.87 грн |
500+ | 86.71 грн |
BUZ11 Код товару: 30902 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 30 A
Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/ -
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ11A Код товару: 77764 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Idd,A: 26 A
Rds(on), Ohm: 0,055 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/
Монтаж: THT
товар відсутній
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 30A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 30A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.3 грн |
5+ | 72.27 грн |
19+ | 52.36 грн |
51+ | 49.53 грн |
500+ | 47.61 грн |
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-NR4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
BUZ11-R4941 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 50V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11A |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH Si 50V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
BUZ11_R4941 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товар відсутній