Результат пошуку "Fr5305" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 50
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR5305PBF Код товару: 2560 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 500 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR Код товару: 185048 |
Infineon |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 78 шт
очікується:
600 шт
|
|
|||||||||||||||
FR5305 | IR | 04+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AUIRFR5305 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFR5305 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | Infineon/IR | ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms |
на замовлення 45 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305 | JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305 | SLKOR |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305PBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK |
на замовлення 200 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON |
на замовлення 34 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFR5305T | HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5939 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | JGSEMI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 5076 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TR | Infineon |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1487 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC |
на замовлення 19170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK |
на замовлення 321 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -28A Power dissipation: 89W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9476 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC |
на замовлення 33975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK |
на замовлення 9 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRFR5305 | Infineon | MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFR5305 | IR | 07+ TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFR5305 | IR | 08+ SOD-323 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFR5305 | IR | TO-252 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFR5305/PBF |
на замовлення 5080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFR5305PBF | IRFR5305PBF Транзисторы |
на замовлення 109 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFR5305TRL |
на замовлення 1390 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HYG450P06LA1D | HUAYI |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: D-Pak Uds,V: 55 V Id,A: 25 A Rds(on),Om: 0,065 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
AUIRFR5305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TR | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -22A Pulsed drain current: -110A Power dissipation: 110W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305 | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305HR | International Rectifier HiRel Products | HEXFET POWER MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305TRL | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305TRL | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFR5305TRRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -31A Power dissipation: 110W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRFR5305TRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -22A Pulsed drain current: -110A Power dissipation: 110W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 65mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
IRFR5305PBF Код товару: 2560 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 500 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 44 грн |
10+ | 39.6 грн |
100+ | 35.7 грн |
IRFR5305TR Код товару: 185048 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
у наявності: 78 шт
очікується:
600 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 35.7 грн |
AUIRFR5305 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 171.47 грн |
5+ | 143.44 грн |
8+ | 113.24 грн |
20+ | 107.06 грн |
AUIRFR5305 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.76 грн |
5+ | 178.75 грн |
8+ | 135.89 грн |
20+ | 128.48 грн |
AUIRFR5305TRL |
Виробник: Infineon/IR
ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
ИМС MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
на замовлення 45 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 444.64 грн |
10+ | 387.08 грн |
IRFR5305 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 50A; 113W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 JSMICRO TIRFR5305 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305 |
Виробник: SLKOR
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305 SLKOR TIRFR5305 SLK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.93 грн |
IRFR5305PBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 А; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D-PAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 20.39 грн |
33+ | 19.03 грн |
100+ | 17.67 грн |
IRFR5305SPBF; -31A; -55V; 110W; P-MOSFET; HEXFET; Корпус: DPAK; INFINEON |
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 23.34 грн |
IRFR5305T |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305T HXY MOSFET TIRFR5305 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 17.95 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 30A; 60W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR UMW TIRFR5305 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.67 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302 IRFR5305TR JGSEMI TIRFR5305 JGS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.93 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TR |
Виробник: Infineon
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFR5305TR; IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305-GURT; IRFR5 IRFR5305TR TIRFR5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.06 грн |
IRFR5305TRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.78 грн |
12+ | 30.88 грн |
25+ | 27.25 грн |
34+ | 23.61 грн |
93+ | 22.3 грн |
IRFR5305TRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.54 грн |
7+ | 38.49 грн |
25+ | 32.7 грн |
34+ | 28.33 грн |
93+ | 26.77 грн |
IRFR5305TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 18.37 грн |
IRFR5305TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
MOSFET MOSFT PCh -55V -28A 65mOhm 42nC
на замовлення 19170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.47 грн |
10+ | 73.27 грн |
100+ | 50.34 грн |
500+ | 39.4 грн |
1000+ | 33.07 грн |
3000+ | 31.3 грн |
IRFR5305TRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.37 грн |
IRFR5305TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.78 грн |
10+ | 34.32 грн |
25+ | 30.88 грн |
34+ | 23.61 грн |
93+ | 22.3 грн |
IRFR5305TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 31 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 пФ @ 25 В; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 65 мОм @ 16 А; 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; DPAK
на замовлення 321 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 22.25 грн |
31+ | 20.76 грн |
100+ | 19.28 грн |
IRFR5305TRPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
Транз. Пол. БМ P-HEXFET D-PAK Udss=-55V; Id=31A; Pdmax=110W; Rds=0,065Ohm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.48 грн |
10+ | 51.61 грн |
IRFR5305TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9476 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.54 грн |
6+ | 42.76 грн |
25+ | 37.06 грн |
34+ | 28.33 грн |
93+ | 26.77 грн |
IRFR5305TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
на замовлення 33975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.32 грн |
10+ | 66.98 грн |
100+ | 50.93 грн |
500+ | 43.15 грн |
1000+ | 35.18 грн |
2000+ | 33.07 грн |
4000+ | 31.36 грн |
Транзистор польовий IRFR5305PBF -31A -55V P-ch DPAK |
на замовлення 9 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 25.73 грн |
AUIRFR5305 |
Виробник: Infineon
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
MOSFET P-CH 55V 31A Automotive AUIRFR5305 International Rectifier TAUIRFR5305
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)HYG450P06LA1D |
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRFR5305; IRFR5305TRL; IRFR5305TR; IRFR5305TRR; IRFR9024N; IRFR9024NTRL; IRFR9024NTR; IRFR9024NTRR; HYG450P06LA1D HUAYI THYG450p06la1d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 14.37 грн |
IRFR5305TRPBF Код товару: 4177 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 25 A
Rds(on),Om: 0,065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRFR5305 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
AUIRFR5305TR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRFR5305TRL |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRFR5305TRL |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305 |
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товар відсутній
IRFR5305 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305PBF |
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
IRFR5305TRL |
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRL |
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR5305TRRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
AUIRFR5305TR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AUIRFR5305TRL |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Pulsed drain current: -110A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]