Результат пошуку "IRF610" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293 		Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 Siliconix irlz44.pdf description N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610B ONSEMI FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRF610B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1069
IRF610B IRF610B Fairchild Semiconductor FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
888+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 888
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.2 грн
13+ 30.19 грн
50+ 17.83 грн
137+ 16.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF610PBF Vishay/IR IRF610.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.84 грн
10+ 37.62 грн
50+ 21.39 грн
137+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.2 грн
30+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 513
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Semiconductors IRF610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.41 грн
10+ 41.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY VISH-S-A0013187853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.84 грн
18+ 46.25 грн
100+ 45.35 грн
500+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Siliconix IRF610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 19089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.67 грн
50+ 35.05 грн
100+ 25.44 грн
500+ 19.95 грн
1000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.06 грн
28+ 22.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001305004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.84 грн
14+ 59.33 грн
25+ 55.27 грн
50+ 48.3 грн
100+ 41.8 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay Siliconix irf610.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
50+ 41.89 грн
100+ 37.22 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 24.77 грн
2000+ 22.68 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.53 грн
10+ 40.49 грн
100+ 25.58 грн
500+ 21.37 грн
1000+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.42 грн
181+ 68.23 грн
250+ 65.49 грн
500+ 60.87 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610S Siliconix sih610s.pdf N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.42 грн
500+ 58.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.82 грн
25+ 62.18 грн
50+ 59.36 грн
100+ 52.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.17 грн
10+ 106.65 грн
100+ 73.9 грн
250+ 68.03 грн
500+ 62.09 грн
1000+ 53.25 грн
2000+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610SPBF IRF610SPBF VISHAY VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.23 грн
10+ 90.22 грн
100+ 72.42 грн
500+ 58.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.56 грн
50+ 90.7 грн
100+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.36 грн
1600+ 62.45 грн
2400+ 59.91 грн
4000+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.88 грн
1600+ 58.16 грн
2400+ 55.79 грн
4000+ 51.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.56 грн
10+ 93.74 грн
100+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.02 грн
10+ 107.48 грн
100+ 74.63 грн
250+ 73.18 грн
500+ 68.76 грн
800+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 IOR irf6100.pdf
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IOR irf6100pbf.pdf 2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IR irf6100pbf.pdf BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF Vishay/IR IRF610.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+170.54 грн
IRF610PBF (TO-220, IR) IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443 		IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF610 IRF610 onsemi / Fairchild irlz44.pdf description MOSFETs
товар відсутній
IRF610 IRF610 Vishay Siliconix irlz44.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610 IRF610 Vishay / Siliconix irlz44.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610PBF
товар відсутній
IRF6100 Infineon Technologies irf6100.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF Infineon Technologies irf6100pbf.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF610L IRF610L Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF IRF610LPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF IRF610LPBF Vishay / Siliconix sih610s.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
товар відсутній
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610S IRF610S Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay Siliconix sih610s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
товар відсутній
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293		 irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 description irlz44.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610B FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRF610B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1069+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 1069
IRF610B FAIRS25335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF610B
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
888+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 888
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+38.2 грн
13+ 30.19 грн
50+ 17.83 грн
137+ 16.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF610PBF IRF610.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1216 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.84 грн
10+ 37.62 грн
50+ 21.39 грн
137+ 20.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.2 грн
30+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
513+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 513
IRF610PBF IRF610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.41 грн
10+ 41.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF VISH-S-A0013187853-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+55.84 грн
18+ 46.25 грн
100+ 45.35 грн
500+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF610PBF IRF610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 19089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.67 грн
50+ 35.05 грн
100+ 25.44 грн
500+ 19.95 грн
1000+ 18.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.06 грн
28+ 22.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF-BE3 VISH-S-A0001305004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 200V, 3.3A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF610 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+65.84 грн
14+ 59.33 грн
25+ 55.27 грн
50+ 48.3 грн
100+ 41.8 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.27 грн
50+ 41.89 грн
100+ 37.22 грн
500+ 27.24 грн
1000+ 24.77 грн
2000+ 22.68 грн
5000+ 20.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.53 грн
10+ 40.49 грн
100+ 25.58 грн
500+ 21.37 грн
1000+ 19.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+71.42 грн
181+ 68.23 грн
250+ 65.49 грн
500+ 60.87 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610S sih610s.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+36.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610SPBF VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.42 грн
500+ 58.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.82 грн
25+ 62.18 грн
50+ 59.36 грн
100+ 52.78 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.17 грн
10+ 106.65 грн
100+ 73.9 грн
250+ 68.03 грн
500+ 62.09 грн
1000+ 53.25 грн
2000+ 50.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610SPBF VISH-S-A0010924813-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF610SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF610SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+116.23 грн
10+ 90.22 грн
100+ 72.42 грн
500+ 58.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.56 грн
50+ 90.7 грн
100+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.36 грн
1600+ 62.45 грн
2400+ 59.91 грн
4000+ 55.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+60.88 грн
1600+ 58.16 грн
2400+ 55.79 грн
4000+ 51.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.56 грн
10+ 93.74 грн
100+ 74.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.02 грн
10+ 107.48 грн
100+ 74.63 грн
250+ 73.18 грн
500+ 68.76 грн
800+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 irf6100.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IOR
2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IR
BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF IRF610.pdf
Виробник: Vishay/IR
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+170.54 грн
IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
IRF610PBF (TO-220, IR)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF610 description irlz44.pdf
IRF610
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs
товар відсутній
IRF610 description irlz44.pdf
IRF610
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610 description irlz44.pdf
IRF610
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610PBF
товар відсутній
IRF6100 irf6100.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-FlipFet™
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-FlipFet™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF610L sih610s.pdf
IRF610L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF sih610s.pdf
IRF610LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610LPBF sih610s.pdf
IRF610LPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
товар відсутній
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610S sih610s.pdf
IRF610S
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]