Результат пошуку "IRF610" : 43

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF610PBF (TO-220, Siliconix) IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293 		Siliconix irf610pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 Siliconix irlz44.pdf description N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.11 грн
13+ 30.12 грн
50+ 17.75 грн
137+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF610PBF Vishay/IR IRF610.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF VISHAY IRF610PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.73 грн
10+ 37.53 грн
50+ 21.3 грн
137+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.12 грн
30+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
513+23.9 грн
Мінімальне замовлення: 513
IRF610PBF IRF610PBF Vishay Semiconductors IRF610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.3 грн
10+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.95 грн
28+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf610.pdf MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.42 грн
10+ 44.39 грн
100+ 37.01 грн
500+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+71.25 грн
181+ 68.07 грн
250+ 65.34 грн
500+ 60.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610S Siliconix sih610s.pdf N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.67 грн
25+ 62.04 грн
50+ 59.22 грн
100+ 52.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.86 грн
10+ 106.4 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.87 грн
500+ 61.94 грн
1000+ 53.13 грн
2000+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.21 грн
1600+ 62.3 грн
2400+ 59.76 грн
4000+ 55.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+60.73 грн
1600+ 58.02 грн
2400+ 55.66 грн
4000+ 51.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.71 грн
10+ 107.23 грн
100+ 74.45 грн
250+ 73 грн
500+ 68.59 грн
800+ 53.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 IOR irf6100.pdf
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IR irf6100pbf.pdf BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF IOR irf6100pbf.pdf 2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF Vishay/IR IRF610.pdf MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+170.14 грн
IRF610PBF (TO-220, IR) IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443 		IR Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
1+20 грн
10+ 10.5 грн
IRF610 IRF610 Vishay / Siliconix irlz44.pdf description MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610PBF
товар відсутній
IRF610 IRF610 onsemi / Fairchild irlz44.pdf description MOSFETs
товар відсутній
IRF610LPBF IRF610LPBF Vishay / Siliconix sih610s.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
товар відсутній
IRF610PBF IRF610PBF Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 IRF610PBF-BE3 Vishay irf610.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF IRF610SPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF IRF610STRLPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay sih610s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF IRF610STRRPBF Vishay Semiconductors sih610s.pdf MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
товар відсутній
IRF610STRRPBF VISHAY sih610s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Код товару: 156293		 irf610pbf-datasheet.pdf
IRF610PBF (TO-220, Siliconix)
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+22 грн
10+ 19.8 грн
IRF610 description irlz44.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610 TIRF610
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+38.11 грн
13+ 30.12 грн
50+ 17.75 грн
137+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF610PBF IRF610.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 3,3 А; Ptot, Вт = 36; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 140 @ 25; Qg, нКл = 8,2 @ 10 В; Rds = 1,5 Ом @ 2 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+156 грн
10+ 80.03 грн
100+ 74.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF610PBF IRF610PBF.pdf
IRF610PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 2.1A; 36W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.1A
Power dissipation: 36W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.73 грн
10+ 37.53 грн
50+ 21.3 грн
137+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.12 грн
30+ 20.46 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
513+23.9 грн
Мінімальне замовлення: 513
IRF610PBF IRF610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 2409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.3 грн
10+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.95 грн
28+ 22.19 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.42 грн
10+ 44.39 грн
100+ 37.01 грн
500+ 36.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+71.25 грн
181+ 68.07 грн
250+ 65.34 грн
500+ 60.73 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRF610S sih610s.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 3.3A 200V 36W 1.5Ω IRF610S TIRF610s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+36.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.67 грн
25+ 62.04 грн
50+ 59.22 грн
100+ 52.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.86 грн
10+ 106.4 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.87 грн
500+ 61.94 грн
1000+ 53.13 грн
2000+ 50.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+65.21 грн
1600+ 62.3 грн
2400+ 59.76 грн
4000+ 55.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+60.73 грн
1600+ 58.02 грн
2400+ 55.66 грн
4000+ 51.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 3.3 Amp
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.71 грн
10+ 107.23 грн
100+ 74.45 грн
250+ 73 грн
500+ 68.59 грн
800+ 53.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF6100 irf6100.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IR
BGA-4 05+
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF6100PBF irf6100pbf.pdf
Виробник: IOR
2004
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610L sih610s.pdf
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF610PBF IRF610.pdf
Виробник: Vishay/IR
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF610ZTSTU
на замовлення 14973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF610 3.3A 200V N-ch TO-220 (Б/У)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+170.14 грн
IRF610PBF (TO-220, IR)
Код товару: 33443
IRF610PBF (TO-220, IR)
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 3,3 A
Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2
Монтаж: THT
товар відсутній
Кількість Ціна без ПДВ
1+20 грн
10+ 10.5 грн
IRF610 description irlz44.pdf
IRF610
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610PBF
товар відсутній
IRF610 description irlz44.pdf
IRF610
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs
товар відсутній
IRF610LPBF sih610s.pdf
IRF610LPBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRF610SPBF
товар відсутній
IRF610PBF irf610.pdf
IRF610PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF610PBF-BE3 irf610.pdf
IRF610PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610SPBF sih610s.pdf
IRF610SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF610STRLPBF sih610s.pdf
IRF610STRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
IRF610STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 3.3A N-CH MOSFET
товар відсутній
IRF610STRRPBF sih610s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.3A; Idm: 10A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній