Результат пошуку "IRF63" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF630NPBF IRF630NPBF
Код товару: 15961 		IR irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 162 шт
1+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.36 грн
5+ 85.32 грн
10+ 79.08 грн
25+ 32.6 грн
68+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630 ST MICROELECTRONICS en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 IR en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+66.7 грн
10+ 56.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+106.33 грн
10+ 94.9 грн
25+ 39.12 грн
68+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+69.42 грн
10+ 59.99 грн
100+ 51.57 грн
500+ 38.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
182+64.41 грн
211+ 55.37 грн
500+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 182
IRF630 IRF630 STMicroelectronics irf630-1849162.pdf description MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.22 грн
10+ 83.48 грн
100+ 57.74 грн
500+ 49.15 грн
1000+ 40.89 грн
2000+ 38.49 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 IRF630 STMicroelectronics cd0000070.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630 Siliconix en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw description N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
IRF630N International Rectifier description N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.42 грн
7+ 52.03 грн
22+ 36.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+101.3 грн
5+ 64.83 грн
22+ 44.14 грн
60+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.2 грн
14+ 41.53 грн
100+ 36.47 грн
500+ 31.14 грн
1000+ 24.41 грн
2000+ 23.21 грн
5000+ 23.11 грн
10000+ 22.57 грн
25000+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf description MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.78 грн
10+ 57.9 грн
100+ 42.15 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 29.83 грн
2000+ 28.24 грн
5000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+21.47 грн
28+ 20.89 грн
100+ 20.33 грн
500+ 19.07 грн
1000+ 16.91 грн
2000+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
255+45.93 грн
287+ 40.77 грн
500+ 36.39 грн
1000+ 29.93 грн
2000+ 27.44 грн
5000+ 26.07 грн
Мінімальне замовлення: 255
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+22.5 грн
534+ 21.9 грн
549+ 21.3 грн
1000+ 19.67 грн
2000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 519
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.38 грн
19+ 30.74 грн
100+ 29.24 грн
500+ 26.79 грн
1000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+33.1 грн
371+ 31.49 грн
500+ 29.92 грн
1000+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+44.59 грн
299+ 39.16 грн
500+ 34.68 грн
1000+ 28.31 грн
2000+ 25.96 грн
5000+ 24.82 грн
10000+ 24.23 грн
25000+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 262
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+27.91 грн
455+ 25.68 грн
469+ 24.9 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 20.59 грн
2000+ 19.01 грн
4000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 419
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.78 грн
14+ 42.65 грн
100+ 37.86 грн
500+ 32.59 грн
1000+ 25.73 грн
2000+ 24.46 грн
5000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NS International Rectifier irf630n.pdf description N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+62 грн
9+ 41.76 грн
25+ 36.83 грн
26+ 31.91 грн
70+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+74.41 грн
5+ 52.04 грн
25+ 44.2 грн
26+ 38.29 грн
70+ 36.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+44.6 грн
14+ 44.15 грн
25+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+53.4 грн
248+ 47.08 грн
249+ 46.88 грн
255+ 44.18 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 219
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.98 грн
10+ 39.89 грн
26+ 31.7 грн
70+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.58 грн
10+ 49.71 грн
26+ 38.04 грн
70+ 35.96 грн
1000+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.79 грн
10+ 64.47 грн
100+ 53.68 грн
500+ 44.67 грн
1000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+77.23 грн
163+ 71.78 грн
194+ 60.41 грн
205+ 55.05 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+69.43 грн
202+ 57.81 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 44.79 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRF630PBF IRF630PBF Vishay sihf630p.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.52 грн
12+ 50.84 грн
100+ 44.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.35 грн
10+ 64.64 грн
100+ 47.08 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 38.69 грн
2000+ 37.63 грн
5000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+70.63 грн
173+ 67.47 грн
250+ 64.76 грн
500+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 166
IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+54.59 грн
245+ 47.73 грн
Мінімальне замовлення: 214
IRF630PBF-BE3 IRF630PBF-BE3 Vishay / Siliconix irf630.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+89.35 грн
10+ 53.91 грн
100+ 43.55 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630S International Rectifier sih630s.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.79 грн
10+ 44.81 грн
22+ 36.77 грн
61+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630SPBF IRF630SPBF VISHAY IRF630S.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+64.54 грн
10+ 55.84 грн
22+ 44.12 грн
61+ 41.62 грн
1000+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf description MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.32 грн
10+ 92.66 грн
100+ 66.26 грн
250+ 61.6 грн
500+ 55.94 грн
1000+ 46.82 грн
2000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+31.7 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+99.58 грн
145+ 80.88 грн
250+ 76.82 грн
Мінімальне замовлення: 118
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+74.65 грн
100+ 63.94 грн
250+ 60.82 грн
500+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+114.85 грн
10+ 92.47 грн
100+ 75.1 грн
250+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630SPBF IRF630SPBF Vishay sih630s.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+80.15 грн
171+ 68.65 грн
250+ 65.31 грн
500+ 57.47 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRF630STRLPBF IRF630STRLPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
250+ 66.26 грн
500+ 57.67 грн
800+ 46.48 грн
2400+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630STRRPBF IRF630STRRPBF Vishay Semiconductors sih630s.pdf MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.09 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
250+ 61.6 грн
500+ 55.94 грн
800+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF634 Vishay IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF634 International Rectifier IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NPBF
Код товару: 15961		 description irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
IRF630NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
Монтаж: THT
у наявності: 162 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 15.9 грн
100+ 14.1 грн
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.36 грн
5+ 85.32 грн
10+ 79.08 грн
25+ 32.6 грн
68+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ST MICROELECTRONICS
N-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
на замовлення 41 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+48.6 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=200V; Id=9,5A; Pdmax=50W; Rds=0,3 Ohm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.7 грн
10+ 56.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630 description irf630.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MESH OVERLAY™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 884 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.33 грн
10+ 94.9 грн
25+ 39.12 грн
68+ 37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+69.42 грн
10+ 59.99 грн
100+ 51.57 грн
500+ 38.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
182+64.41 грн
211+ 55.37 грн
500+ 42.54 грн
Мінімальне замовлення: 182
IRF630 description irf630-1849162.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.22 грн
10+ 83.48 грн
100+ 57.74 грн
500+ 49.15 грн
1000+ 40.89 грн
2000+ 38.49 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630 description cd0000070.pdf
IRF630
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630 description en.CD00000701.pdf HRISD017-4-316.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630; 9A; 200V; 75W; 0,4R; N-канальный; корпус: ТО220; ISC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.96 грн
IRF630N description
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+30.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+84.42 грн
7+ 52.03 грн
22+ 36.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.3 грн
5+ 64.83 грн
22+ 44.14 грн
60+ 41.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.2 грн
14+ 41.53 грн
100+ 36.47 грн
500+ 31.14 грн
1000+ 24.41 грн
2000+ 23.21 грн
5000+ 23.11 грн
10000+ 22.57 грн
25000+ 22.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NPBF description Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.78 грн
10+ 57.9 грн
100+ 42.15 грн
500+ 34.23 грн
1000+ 29.83 грн
2000+ 28.24 грн
5000+ 27.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+21.47 грн
28+ 20.89 грн
100+ 20.33 грн
500+ 19.07 грн
1000+ 16.91 грн
2000+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 27
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
255+45.93 грн
287+ 40.77 грн
500+ 36.39 грн
1000+ 29.93 грн
2000+ 27.44 грн
5000+ 26.07 грн
Мінімальне замовлення: 255
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
519+22.5 грн
534+ 21.9 грн
549+ 21.3 грн
1000+ 19.67 грн
2000+ 18.03 грн
Мінімальне замовлення: 519
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.38 грн
19+ 30.74 грн
100+ 29.24 грн
500+ 26.79 грн
1000+ 23.32 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
353+33.1 грн
371+ 31.49 грн
500+ 29.92 грн
1000+ 27.12 грн
Мінімальне замовлення: 353
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 65649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
262+44.59 грн
299+ 39.16 грн
500+ 34.68 грн
1000+ 28.31 грн
2000+ 25.96 грн
5000+ 24.82 грн
10000+ 24.23 грн
25000+ 24.12 грн
Мінімальне замовлення: 262
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 13874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
419+27.91 грн
455+ 25.68 грн
469+ 24.9 грн
500+ 23.07 грн
1000+ 20.59 грн
2000+ 19.01 грн
4000+ 18.17 грн
Мінімальне замовлення: 419
IRF630NPBF description infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.78 грн
14+ 42.65 грн
100+ 37.86 грн
500+ 32.59 грн
1000+ 25.73 грн
2000+ 24.46 грн
5000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF630NS description irf630n.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+62 грн
9+ 41.76 грн
25+ 36.83 грн
26+ 31.91 грн
70+ 30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+74.41 грн
5+ 52.04 грн
25+ 44.2 грн
26+ 38.29 грн
70+ 36.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+44.6 грн
14+ 44.15 грн
25+ 37.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF630NSTRLPBF infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
219+53.4 грн
248+ 47.08 грн
249+ 46.88 грн
255+ 44.18 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 39.1 грн
Мінімальне замовлення: 219
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+67.98 грн
10+ 39.89 грн
26+ 31.7 грн
70+ 29.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 636 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.58 грн
10+ 49.71 грн
26+ 38.04 грн
70+ 35.96 грн
1000+ 34.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.79 грн
10+ 64.47 грн
100+ 53.68 грн
500+ 44.67 грн
1000+ 38.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+77.23 грн
163+ 71.78 грн
194+ 60.41 грн
205+ 55.05 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
169+69.43 грн
202+ 57.81 грн
500+ 49.89 грн
1000+ 44.79 грн
Мінімальне замовлення: 169
IRF630PBF description sihf630p.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.6 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.52 грн
12+ 50.84 грн
100+ 44.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 9630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.35 грн
10+ 64.64 грн
100+ 47.08 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 38.69 грн
2000+ 37.63 грн
5000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+70.63 грн
173+ 67.47 грн
250+ 64.76 грн
500+ 60.2 грн
Мінімальне замовлення: 166
IRF630PBF description irf630.pdf
IRF630PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+54.59 грн
245+ 47.73 грн
Мінімальне замовлення: 214
IRF630PBF-BE3 irf630.pdf
IRF630PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 200V N-CH HEXFET
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.35 грн
10+ 53.91 грн
100+ 43.55 грн
500+ 41.62 грн
1000+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF630S sih630s.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.79 грн
10+ 44.81 грн
22+ 36.77 грн
61+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF630SPBF description IRF630S.pdf
IRF630SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.54 грн
10+ 55.84 грн
22+ 44.12 грн
61+ 41.62 грн
1000+ 39.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 5191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.32 грн
10+ 92.66 грн
100+ 66.26 грн
250+ 61.6 грн
500+ 55.94 грн
1000+ 46.82 грн
2000+ 44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+31.7 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+99.58 грн
145+ 80.88 грн
250+ 76.82 грн
Мінімальне замовлення: 118
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+74.65 грн
100+ 63.94 грн
250+ 60.82 грн
500+ 53.52 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+114.85 грн
10+ 92.47 грн
100+ 75.1 грн
250+ 68.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF630SPBF description sih630s.pdf
IRF630SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+80.15 грн
171+ 68.65 грн
250+ 65.31 грн
500+ 57.47 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRF630STRLPBF sih630s.pdf
IRF630STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.09 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
250+ 66.26 грн
500+ 57.67 грн
800+ 46.48 грн
2400+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF630STRRPBF sih630s.pdf
IRF630STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 200V 9.0 Amp
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.09 грн
10+ 96.49 грн
100+ 66.59 грн
250+ 61.6 грн
500+ 55.94 грн
800+ 48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF634 IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf
Виробник: Vishay
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRF634 IRF634, IRF634FP.pdf irf634.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 20
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]