Результат пошуку "dn25" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 196
Мінімальне замовлення: 172
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 206
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 141
Мінімальне замовлення: 228
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 173
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 172
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 194
Мінімальне замовлення: 190
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 81
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 126
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 173
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 136
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 86
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 62
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 78
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DN2530N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Drain-source voltage: 300V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Case: TO92 Drain-source voltage: 300V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 663 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 740mW (Ta) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 16003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | MOSFET 300V 12Ohm |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 740mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3 Mounting: SMD Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 300V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3 Mounting: SMD Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 300V On-state resistance: 12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.74W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 375 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | MOSFET 300V 12Ohm |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2530N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.15A Case: TO92 Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.15A Case: TO92 Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | Microchip Technology | MOSFET 350V 25Ohm |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92 |
на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.15A Case: TO220 Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.15A Case: TO220 Drain-source voltage: 350V On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
DN2535N5-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2535N5-G | Microchip Technology | MOSFET 350V 25Ohm |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO92 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.12A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 349 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 120 mA, 17 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm |
на замовлення 4257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Bag Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology | MOSFET 400V 25Ohm |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92 |
на замовлення 2706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N3-G-P003 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 5896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO220 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: tube |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220 Mounting: THT Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Case: TO220 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.5A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 15W Polarisation: unipolar Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 233 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N5-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | MOSFET 400V 25Ohm |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N5-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DN2540N8-G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W Mounting: SMD Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
DN2530N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 47.17 грн |
10+ | 45.09 грн |
19+ | 42.31 грн |
52+ | 40.23 грн |
250+ | 38.85 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 1.6W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: TO92
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 663 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.78 грн |
10+ | 54.11 грн |
19+ | 50.78 грн |
52+ | 48.28 грн |
250+ | 46.62 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 175MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 740mW (Ta)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 16003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.59 грн |
25+ | 41.65 грн |
100+ | 38.43 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
196+ | 59.84 грн |
234+ | 49.96 грн |
242+ | 48.38 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
172+ | 68.19 грн |
250+ | 61.6 грн |
500+ | 59.5 грн |
1000+ | 55.54 грн |
3000+ | 48.26 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 300V 12Ohm
MOSFET 300V 12Ohm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 57.1 грн |
25+ | 46.33 грн |
100+ | 37.16 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 55.96 грн |
25+ | 46.39 грн |
100+ | 44.92 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
206+ | 56.69 грн |
215+ | 54.31 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 52.93 грн |
25+ | 50.43 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
Description: MICROCHIP - DN2530N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 175 mA, 12 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 740mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 12ohm
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 54.91 грн |
25+ | 45.2 грн |
100+ | 41.68 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
141+ | 83 грн |
156+ | 75.3 грн |
250+ | 72.95 грн |
500+ | 68.21 грн |
DN2530N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.175A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
228+ | 51.36 грн |
232+ | 50.38 грн |
243+ | 48.15 грн |
244+ | 46.24 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 54.8 грн |
18+ | 47.17 грн |
25+ | 45.09 грн |
47+ | 44.4 грн |
100+ | 43.01 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.2A; 740mW; SOT89-3
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.2A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 300V
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.74W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 375 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 73.51 грн |
5+ | 68.29 грн |
18+ | 56.6 грн |
25+ | 54.11 грн |
47+ | 53.27 грн |
100+ | 51.61 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
173+ | 67.57 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 300V 12Ohm
MOSFET 300V 12Ohm
на замовлення 2730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.55 грн |
25+ | 52 грн |
100+ | 40.29 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 47.96 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.68 грн |
25+ | 60.52 грн |
100+ | 56.28 грн |
250+ | 50.18 грн |
500+ | 46.33 грн |
1000+ | 44.47 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 68.52 грн |
4000+ | 66.68 грн |
6000+ | 65.02 грн |
8000+ | 61.05 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 50.97 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.35 грн |
25+ | 46.75 грн |
100+ | 41.63 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 51.65 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 300V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
172+ | 68.17 грн |
173+ | 67.5 грн |
180+ | 65.18 грн |
186+ | 60.6 грн |
250+ | 54.04 грн |
500+ | 49.89 грн |
1000+ | 47.89 грн |
DN2530N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 300V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 43.24 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO92
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO92
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.99 грн |
7+ | 55.49 грн |
10+ | 49.95 грн |
44+ | 47.86 грн |
100+ | 46.48 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO92
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO92
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.15 грн |
10+ | 59.93 грн |
44+ | 57.44 грн |
100+ | 55.77 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 57.22 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
194+ | 60.3 грн |
198+ | 59.24 грн |
207+ | 56.61 грн |
208+ | 54.3 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
190+ | 61.62 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 350V 25Ohm
MOSFET 350V 25Ohm
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.73 грн |
25+ | 54.83 грн |
100+ | 43.95 грн |
DN2535N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 93.37 грн |
130+ | 90.36 грн |
250+ | 87.54 грн |
DN2535N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
MOSFET N-Channel MOSFET 350V 0.12A 3P TO-92
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.55 грн |
25+ | 57.67 грн |
100+ | 46.48 грн |
4000+ | 46.42 грн |
DN2535N5-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO220
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO220
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.39 грн |
7+ | 118.62 грн |
10+ | 114.46 грн |
19+ | 112.38 грн |
DN2535N5-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO220
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.15A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.15A
Case: TO220
Drain-source voltage: 350V
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 161.36 грн |
3+ | 151.28 грн |
7+ | 142.34 грн |
10+ | 137.35 грн |
19+ | 134.85 грн |
100+ | 129.86 грн |
DN2535N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
81+ | 144.29 грн |
250+ | 129.52 грн |
500+ | 125.22 грн |
DN2535N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)DN2535N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 350V 500MA TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.38 грн |
25+ | 89.68 грн |
100+ | 81.99 грн |
DN2535N5-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 350V 25Ohm
MOSFET 350V 25Ohm
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.98 грн |
25+ | 99.56 грн |
100+ | 79.25 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.45 грн |
6+ | 67.29 грн |
10+ | 55.49 грн |
15+ | 54.8 грн |
41+ | 52.03 грн |
100+ | 49.95 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 120mA; Idm: 0.5A; 1W; TO92
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO92
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 349 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 90.54 грн |
4+ | 83.85 грн |
10+ | 66.59 грн |
15+ | 65.76 грн |
41+ | 62.43 грн |
100+ | 59.93 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
126+ | 92.84 грн |
250+ | 76.75 грн |
500+ | 74.48 грн |
1000+ | 70.11 грн |
3000+ | 63.3 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 120 mA, 17 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
Description: MICROCHIP - DN2540N3-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 120 mA, 17 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 67.38 грн |
25+ | 55.58 грн |
100+ | 53.56 грн |
1000+ | 47.79 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Bag
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.83 грн |
25+ | 51.25 грн |
100+ | 46.76 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.28 грн |
25+ | 59.19 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
173+ | 67.5 грн |
175+ | 67.07 грн |
184+ | 63.74 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 400V 25Ohm
MOSFET 400V 25Ohm
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.85 грн |
10+ | 61.65 грн |
25+ | 48.41 грн |
100+ | 45.22 грн |
DN2540N3-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.12A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
136+ | 86.06 грн |
DN2540N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 51.88 грн |
DN2540N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92
MOSFET N-Channel MOSFET 400V 0.12A 3P TO-92
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.73 грн |
25+ | 61.27 грн |
100+ | 48.28 грн |
DN2540N3-G-P003 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 120MA TO92
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 5896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.71 грн |
25+ | 55.08 грн |
100+ | 49.97 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO220
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO220
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.24 грн |
5+ | 113.07 грн |
8+ | 104.75 грн |
22+ | 98.5 грн |
100+ | 95.03 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO220
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 500mA; Idm: 0.5A; 15W; TO220
Mounting: THT
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: TO220
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 15W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 155.09 грн |
5+ | 140.9 грн |
8+ | 125.7 грн |
22+ | 118.2 грн |
100+ | 114.04 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
86+ | 136.48 грн |
88+ | 133.84 грн |
99+ | 118.04 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2540N5-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MICROCHIP - DN2540N5-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 500 mA, 17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 122.52 грн |
25+ | 102.34 грн |
100+ | 100.1 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
108+ | 108.94 грн |
110+ | 106.99 грн |
112+ | 105.05 грн |
600+ | 100.36 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 126.73 грн |
10+ | 124.35 грн |
25+ | 109.61 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 190.61 грн |
63+ | 186.27 грн |
100+ | 170.72 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET 400V 25Ohm
MOSFET 400V 25Ohm
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.42 грн |
25+ | 104.92 грн |
100+ | 83.24 грн |
DN2540N5-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
78+ | 151.5 грн |
250+ | 136.6 грн |
500+ | 132.17 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W
Mounting: SMD
Kind of channel: depleted
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.5A
Case: SOT89-3
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 106.08 грн |
5+ | 90.18 грн |
10+ | 83.24 грн |
27+ | 78.39 грн |
100+ | 75.61 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]