Продукція > 2N3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3417 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APM | Central Semiconductor Corp | Description: THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APM PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APM PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N3417 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 500mA 50Vceo 5.0Vebo 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APP PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 APP TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 50V TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Supplier Device Package: TO-92-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N3417 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 500mA BULK HFE/540 | на замовлення 6392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 500mA 50Vceo 5.0Vebo 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 TRA PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 TRA TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 500mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50V,500mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN General Purpose Amplifier/Switch | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_D27Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_D89Z | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3 Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3417_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3418 | MOT | CAN | на замовлення 317 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3418 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3418 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3418S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3418S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3419 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3419 | MOT | CAN | на замовлення 675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3419S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N341A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N342 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3420 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3420 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3420 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3420 | MOTOROLA | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3420JANTXV | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3420S | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 3A 1W Power BJT THT | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 | MOTO | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3421 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Power SW | на замовлення 349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 80V TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-39 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N3421 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 125Vcbo 80Vceo 8.0Vebo 150pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421P | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 1000mW 3-Pin Case U4 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421U4 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 3A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 300nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Supplier Device Package: U4 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3421U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3423 | MOT | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3424 | MOT | CAN | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3425 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3426 | MOT | CAN | на замовлення 549 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3427 | MOT | CAN | на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3428 | MOT | CAN | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N342A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N342B | MOT | CAN | на замовлення 495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N343 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3431 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3432 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3433 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3434 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3435 | MOTOROLA | на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3436 | MOTOROLA | на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3437 | MOTOROLA | на замовлення 12800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3438 | MOTOROLA | на замовлення 22800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3439 | CDIL | Транзистор NPN біполярний 350В 1А 1/5Вт TO39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Frequency - Transition: 15MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Tube Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-39 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | MICROSEMI | 2N3439 2N3439 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3439 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N3439 | CDIL | Транзистор NPN, Uceo, В = 350, Icutoff-max = 20 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 500 @ 4, 50, Р, Вт = 0,2,... Транзистори Корпус: TO39 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 | CDIL | NPN 1A 350V 10W 15MHz 2N3439 T2N3439 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 460 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||
| 2N3439 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 Код товару: 107493
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3439 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage | на замовлення 1246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN 350V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 300Vcbo 250Vceo 7.0Vebo 15pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439A | MOTOROLA | на замовлення 31500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3439JAN | MICROSEMI | TO-39/NPN TRANSISTOR 2N3439 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439L | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 350V 1A 800mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439L | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439L | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 350V 1A TO5 Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439L | N/A | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N3439P | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 350V 1A 800mW PinD Test Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 2µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439PBF | STM | NPN, TO-39 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| 2N3439S | MOTOROLA | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

