Продукція > 2SB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SB1198-RYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.49 грн
15000+3.22 грн
30000+2.99 грн
60000+2.67 грн
120000+2.39 грн
300000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQYangjie Electronic Technology2SB1198-RQ
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3572+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 3572 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198-RQYangjie TechnologyDescription: Transistors - Bipolar (BJT) - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.19 грн
15000+3.81 грн
30000+3.59 грн
60000+3.16 грн
120000+2.88 грн
300000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198/AKQROHM
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198HE3-R-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198HE3-R-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.98 грн
37+8.30 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198HE3-R-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KROHM09+
на замовлення 66056 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K FRAT146QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K HR8T146QROHMSOT23
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K T146QROHMSOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K T146RROHMSOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K-QROHM08+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K-RROHMSOT-23
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K/AKQROHM02+ SOT-23
на замовлення 26785 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K/AKRROHM02+ SOT-23
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K/RROHMSOT-23
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KFRAT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KFRAT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KHRAT146Q
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146ROHM SemiconductorArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.44 грн
100+14.26 грн
500+10.06 грн
1000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
679+20.88 грн
705+20.13 грн
1000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 679 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 3164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+30.24 грн
899+15.78 грн
1000+14.74 грн
2000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QROHMDescription: ROHM - 2SB1198KT146Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 200 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 180MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146RRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 80V 0.5A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 5199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+30.24 грн
899+15.78 грн
1000+14.74 грн
2000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 80V 0.5A
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.95 грн
15+20.87 грн
100+13.26 грн
500+9.35 грн
1000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198KT146RRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 80V 0.5A SMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198K\ADQROHMSOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1198T146R
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB119AHIT98+ TO-3
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB12NECCAN
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB120NECCAN
на замовлення 655 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201onsemi BIP PNP 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+34.74 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
782+45.34 грн
1000+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 782 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+8.07 грн
96+7.94 грн
97+7.82 грн
100+7.42 грн
250+6.75 грн
500+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 4279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.56 грн
1000+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.71 грн
1400+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 2A; 0.8W; DPAK
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.8W
Type of transistor: PNP
Current gain: 140...280
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Frequency: 150MHz
Collector current: 2A
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 693 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.80 грн
10+43.29 грн
20+39.89 грн
100+33.32 грн
200+31.00 грн
250+30.25 грн
500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+37.88 грн
1400+36.72 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
10+64.92 грн
100+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201STL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1619+21.91 грн
10000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 1619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1201T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.89 грн
100+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1201T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202SAYNOSOT252
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202onsemi BIP PNP 3A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202SSANYO09+
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 14520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.90 грн
1014+34.96 грн
10000+31.18 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.90 грн
1014+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
935+37.90 грн
1014+34.96 грн
Мінімальне замовлення: 935 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202S-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202STL
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
937+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 937 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-E - 2SB1202T-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TLSANYO03+ TO252
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 223300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1213+29.23 грн
10000+26.06 грн
100000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 1213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SB1202T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202T-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202TTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1202UTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203
Код товару: 152691
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - склад
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203onsemi BIP PNP 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203QTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203SROMHSOT-252
на замовлення 10010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB1203S
Код товару: 3632
1 Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT, МГц: 180 МГц
Напруга Uке, В: 50 В
Напруга Uкб, В: 60 В
Струм Iк, А: 5 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 400
у наявності: 132 шт
  • 52 шт - склад
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
2+12.00 грн
10+10.50 грн
100+9.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.