Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP740FESDH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 39dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 142641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 122660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XZ | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327 | Infineon | на замовлення 1927 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 761930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 Код товару: 196275
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 : SP000750416 | Infineon | BFP740FH6327XTSA1 : SP000750416 BFP 740F H6327 TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Frequency: 44GHz Technology: SiGe:C Kind of package: reel; tape | на замовлення 2341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon | BFP740H6327XTSA1 RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon | PNP 4V 240mW 70mA BFP760H6327XTSA1 Infineon TBFP760 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 6763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 Код товару: 209719
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon | BFP760H6327XTSA1 TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: HBT; RF Collector-emitter voltage: 13V Collector current: 70mA Power dissipation: 0.24W Case: SOT343 Current gain: 160...400 Mounting: SMD Frequency: 45GHz Technology: SiGe:C Kind of package: reel; tape | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 5291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A 240mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Amplifier RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT-343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Frequency - Transition: 900MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Power - Max: 600mW Gain: 27dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP81-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP81-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors The BFP840ESD is a hetero-junction bipolar transistor specifically designed for 5 GHz LNA applications. Please refer to an application note or a technical report when you order the evaluation board. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 | на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 198600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 45289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 18.5dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 80GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 278550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 80 GHz, 75 mW, 35 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 3197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 4429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 2780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 2.25V 0.035A 75mW Automotive 4-Pin SOT-343 T/R | на замовлення 116989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | на замовлення 50420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon | RF Transistor NPN 2.6V 35mA 85GHz 75mW Surface Mount 4-TSFP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 35dB Power - Max: 75mW Current - Collector (Ic) (Max): 35mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.6V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 1.8V Frequency - Transition: 85GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-4-1 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT 2.25V 0.035A 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN Type of transistor: NPN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP840FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.25 V, 85 GHz, 75 mW, 35 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 75mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 35mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 85GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP842ESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP842ESDH6327 | Rochester Electronics, LLC | Description: ULTRA LOW-NOISE TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 3.25V 0.04A 120mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 26dB Power - Max: 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 40mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 15mA, 2.5V Frequency - Transition: 60GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 3.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP842ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP842ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3.25 V, 57 GHz, 120 mW, 40 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 40mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 57GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

