Продукція > BFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP720H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 100 mW, 25 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 100mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 25mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 68 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.025A 100mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 152930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP720H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.95dB @ 150MHz ~ 10GHz Frequency - Transition: 45GHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 13mA, 3V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V Current - Collector (Ic) (Max): 25mA Power - Max: 100mW Gain: 10.5dB ~ 28.5dB Operating Temperature: 150°C (TJ) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP7220ESDH6327 | Infineon Technologies | Description: LOW-NOISE SIGE:C TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740 Код товару: 25651
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > ВЧ Корпус: SOT-343 Частота, fт: 45 GHz Тип: NPN | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BFP740 | INFINEON | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740 E6327 | INFINEON | 09+ | на замовлення 51018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740BOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Development Tools | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BFP740E6327 - BFP740 ULTRA LOW-NOISE SIGEC TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 31830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740E6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ PGSOT343 Packaging: Bulk Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4 Part Status: Active | на замовлення 31830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-3D Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 2499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740ESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.7 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.7V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 5925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740ESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 8.5dB ~30.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740F | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FE6327 | INFINEON | 06+ | на замовлення 15010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FE6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327 | Infineon Technologies | Description: RF TRANSISTOR, X BAND, NPN Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 39dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.2V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 142641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4.2V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 122660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 9dB ~ 31dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 45mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 47GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.2 V, 47 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.2V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 47GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FESDH6327XZ | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327 | Infineon | на замовлення 1927 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 Код товару: 196275
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 761930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 6313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin TSFP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4-TSFP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27.5dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: 4-TSFP Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 160 mW, 45 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 160mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSFP Dauerkollektorstrom: 45mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740FH6327XTSA1 : SP000750416 BFP 740F H6327 | Infineon | TRANS RF NPN 42GHZ 4.7V SOT343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327 | Infineon technologies | на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR | на замовлення 1859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 45mA; 0.16W; SOT343 Mounting: SMD Case: SOT343 Kind of package: reel; tape Frequency: 44GHz Kind of transistor: HBT; RF Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Collector current: 45mA Power dissipation: 0.16W Collector-emitter voltage: 13V Current gain: 160...400 Polarisation: bipolar | на замовлення 2397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon | RF Transistor NPN 4.7V 30mA 42GHz 160mW Surface Mount SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP740H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 44 GHz, 160 mW, 45 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 45mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160mW Bauform - Transistor: SOT-343 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 44GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 27dB Power - Max: 160mW Current - Collector (Ic) (Max): 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4.7V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 25mA, 3V Frequency - Transition: 42GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 2115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP740H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.045A 160mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 8722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon | PNP 4V 240mW 70mA BFP760H6327XTSA1 Infineon TBFP760 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 262 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 Код товару: 209719
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 5391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343 Mounting: SMD Kind of transistor: HBT; RF Case: SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SiGe:C Kind of package: reel; tape Collector current: 70mA Power dissipation: 0.24W Collector-emitter voltage: 13V Frequency: 45GHz Current gain: 160...400 Polarisation: bipolar | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP760H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4 V, 45 GHz, 240 mW, 70 mA, SOT-343 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-343 Dauerkollektorstrom: 70mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BFP760 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 45GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon | TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 4V 45GHZ SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 16.5dB ~ 29dB Power - Max: 240mW Current - Collector (Ic) (Max): 70mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 35mA, 3V Frequency - Transition: 45GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz Supplier Device Package: PG-SOT343-4-2 Part Status: Active | на замовлення 7868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP760H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 4V 0.07A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon | на замовлення 69000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Cut Tape (CT) Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Frequency - Transition: 900MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Power - Max: 600mW Gain: 27dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 6.1V 0.12A 600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Amplifier RF BIP TRANSISTORS | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: RF TRANS NPN 6.1V 900MHZ SOT343 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1 Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz Frequency - Transition: 900MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 90mA, 5V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6.1V Current - Collector (Ic) (Max): 120mA Power - Max: 600mW Gain: 27dB Operating Temperature: 150°C (TJ) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Packaging: Tape & Reel (TR) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP780H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BFP780H6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6.6 V, 20 GHz, 600 mW, 120 mA, SOT-343 Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 85 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 600 Übergangsfrequenz ft: 20 Bauform - HF-Transistor: SOT-343 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 6.6 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP81-GS08 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor, NPN, SOT-143 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP81-GS08 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BFP840ESDBOARDTOBO1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors The BFP840ESD is a hetero-junction bipolar transistor specifically designed for 5 GHz LNA applications. Please refer to an application note or a technical report when you order the evaluation board. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

