Продукція > FDS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDS6575_NLFAIRCHILD
на замовлення 54500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
на замовлення 7603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.15 грн
10+65.78 грн
100+45.22 грн
500+38.95 грн
1000+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.52 грн
5000+30.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4044 pF @ 10 V
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+63.85 грн
100+49.66 грн
500+39.51 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.14 грн
500+39.02 грн
1000+29.61 грн
5000+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576.ONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6576. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 830mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
11+79.01 грн
100+56.82 грн
500+38.64 грн
1000+31.63 грн
5000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_NLFSC09+
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6576_Qonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 P-CH -20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6578FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6585FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6588FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609FDSSOP-8
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6609A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612FSC00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 47011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A
Код товару: 137932
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
869+40.70 грн
1000+37.54 грн
10000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 869 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 138927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
625+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 625 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612Aonsemi / FairchildMOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 3831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.12 грн
10+50.00 грн
100+30.93 грн
500+24.11 грн
1000+21.88 грн
2500+21.39 грн
5000+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
408+34.70 грн
Мінімальне замовлення: 408 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6612A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.4 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.95 грн
100+33.61 грн
500+24.56 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
867+40.81 грн
1000+37.63 грн
10000+33.56 грн
Мінімальне замовлення: 867 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.33 грн
28+27.86 грн
50+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612AUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.53 грн
500+11.01 грн
1000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A-NB5E029AonsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, P
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A-NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612ANLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6612A_NL
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614FSC00+ SOP
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
10000+95.88 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
10000+95.88 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
на замовлення 25863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
310+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 310 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6614A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 25863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+76.81 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AFAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
1000+111.53 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614ANLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6614A_NLonsemi / FairchildMOSFET SO8, SINGLE, NCH, 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630FDSSOP-8
на замовлення 6700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630-NLFairchild
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1245+28.42 грн
10000+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 1245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630Aonsemi / FairchildMOSFET SO-8 N-CH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6630A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.5 A, 0.038 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 6.5
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.7
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.82 грн
17+45.19 грн
25+43.52 грн
100+30.26 грн
250+26.75 грн
500+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 60mOhm; 6,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6630A TFDS6630a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.14 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 43435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1157+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 1157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630A-NLFDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6630A_NLFAIRCHILD
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6634AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6644FAIRCHILDSO-8
на замовлення 41000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS66574AFAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6670A TFDS6670a
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 108108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 6711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.75 грн
5000+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+53.97 грн
100+35.99 грн
500+26.35 грн
1000+23.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 77497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
10000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
10000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2220 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 203173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
10000+35.83 грн
100000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
812+43.57 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 812 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AonsemiMOSFETs SO-8 N-CH 30V
на замовлення 16437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.04 грн
10+56.49 грн
100+32.54 грн
500+25.43 грн
1000+23.06 грн
2500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A-NLFairchildSOP8 0712+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ANLFAIRCHILD
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH POWER TRENCH SYNCFET
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASONSEMIDescription: ONSEMI - FDS6670AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.5 A, 0.0075 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: PowerTrench SyncFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4055509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
794+44.58 грн
1000+41.11 грн
10000+36.64 грн
100000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 794 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASFairchild
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670ASNLFAIRCHILD
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670AS_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDS6670A_NLFAIRCHILD09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]