Продукція > MSD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MSD52-16 | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE BRIDGE 1600V 50A SM2 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD52-16 | Microchip Technology | Bridge Rectifiers Power Module - Diode | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD52-18 | Microsemi Power Products Group | Description: MOD BRIDGE 3PH 1800V 50A M2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6-001GS(P01SEI | Hagiwara Solutions | Description: microSD, I-Temp, SLC, 1GB Part Status: Active Technology: SLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: microSD™ Memory Size: 1GB Packaging: Bulk | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD6-002GS(P01SEI | Hagiwara Solutions | Description: microSD, I-Temp, SLC, 2GB Part Status: Active Technology: SLC Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Memory Type: microSD™ Memory Size: 2GB Packaging: Bulk | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601 | ON | 5 SMD | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-RST1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-RT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MSD601-RT1 - TRANS NPN 50V 0.1A SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 30580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 30580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 21580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1 SOT23-YR | ON | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-RT1/YR | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-RT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | на замовлення 12486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON | 09+ | на замовлення 195018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Supplier Device Package: SC-59 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 16629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MSD601-RT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-RT1GSOT23-YRPB-FREE | ON | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-RT1RF2323TR7 | ON | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-RT1SOT23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-RT1SOT23-YR | ON | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-RT2 | MOTOROLA | на замовлення 544770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-RT2 | ON Semiconductor | MSD601-RT2 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-RT2 | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-S | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-ST1 Код товару: 121223
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD601-ST1 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-ST1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-ST1(YS) | на замовлення 28000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-ST1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-ST1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 1026000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-ST1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MSD601-ST1G - MSD601-ST1G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1158000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-ST1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-ST1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD601-ST1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 1158000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-ST1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD601-ST1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-T1YR | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601-TR1(YR) | на замовлення 2181 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD601R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602-RT1 | onsemi | Description: TRANS GP NPN 100MA 50V SC59 Packaging: Bulk | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD602-RT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MSD602-RT1 - TRANS NPN 50V 0.5A SC59 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD602-RT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD602-RT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1(WR*) | на замовлення 16656 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602-RT1/2SD602 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602-RT1/2SD602-R | ON | SOT-23 05+ | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1/WR | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1G | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD602-RT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD602-RT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP XSTR NPN 25V | на замовлення 14785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD602-RT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 0.5A SC-59 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Supplier Device Package: SC-59 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD602-RT2 | ON | на замовлення 93000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MSD602-TR1 | на замовлення 16842 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602-TR1(WR*) | на замовлення 16842 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD602A-R | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD60P16 | Bruckewell | Description: P-Channel MOSFET,60V,-16A,TO-252 Vgs (Max): ±20V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD6100 | ON | 93 TO-92 | на замовлення 34000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6100 | ON Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6100G | ON Semiconductor | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6100G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6100RLRA | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Bulk | на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD6100RLRA | на замовлення 1900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6100RLRA | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6100RLRAG | на замовлення 3086 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6100RLRAG | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Bulk | на замовлення 38039 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| MSD6100RLRAG | onsemi | Description: DIODE ARRAY GP 100V 200MA TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA (DC) Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 135°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6150 | на замовлення 42450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6178ZX-LF-TN | на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6178ZX-LF-TQ | на замовлення 245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD61988AV-U4 | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6328BXA-Z1 | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD65US18B | P-DUKE Technology, Inc. | Description: ISOLATED / 65W/ VOUT:18 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD65US48B | P-DUKE Technology, Inc. | Description: ISOLATED / 65W/ VOUT:48 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MSD6I48TXA-LF-TB | на замовлення 1118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXA-LF-TG | на замовлення 783 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXA-LF-TL | на замовлення 870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXA-LF-TN | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXA-LF-Z1-TN | на замовлення 1165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXC-LF-TB | на замовлення 197 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXC-LF-TL | на замовлення 406 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXC-LF-TN | на замовлення 195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6i48TXC-LF-Z1 | на замовлення 422 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I48TXC-LF-Z1-T | на замовлення 2161 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6i981BTA | на замовлення 7562 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MSD6I981BTA-Z1-SJ | на замовлення 991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

