Продукція > RN2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN2302TE85R(YB)
на замовлення 8985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303TOSSOT-323
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(T5LND)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 22K x 22Kohms
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.11 грн
40+8.01 грн
100+4.67 грн
3000+3.20 грн
9000+2.37 грн
24000+2.30 грн
45000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
41+7.40 грн
100+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.82 грн
26+12.66 грн
100+5.99 грн
500+3.69 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.51 грн
143+5.71 грн
228+3.57 грн
500+2.38 грн
1500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+9.51 грн
143+5.71 грн
228+3.57 грн
500+2.38 грн
1500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 22kOhm, 22kOhm, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.95 грн
22+15.06 грн
100+6.06 грн
1000+5.09 грн
3000+3.55 грн
9000+3.34 грн
24000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
28+11.10 грн
100+7.44 грн
500+5.36 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.17 грн
58+14.14 грн
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303TE85R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2303TE85R(YC)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 47992 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased -100mA -50volts 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304 LXHFToshibaToshiba SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(T5LND)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
500+2.26 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LFToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 47kohm 47kohm 0.1A SOT-323 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LF(BToshibaRN2304,LF(B
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LF(BToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
28+11.10 грн
100+7.44 грн
500+5.36 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 47kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.52 грн
21+15.30 грн
100+8.36 грн
500+6.20 грн
1000+5.43 грн
3000+4.60 грн
6000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.75 грн
68+12.03 грн
108+7.54 грн
500+5.22 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.03 грн
108+7.54 грн
500+5.22 грн
1000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304LF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304LXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304TE85L(YD)
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2304TE85R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+18.86 грн
26+12.58 грн
100+6.97 грн
500+4.32 грн
1000+3.34 грн
3000+2.93 грн
6000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
41+7.40 грн
100+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85R)TOSHIBASOT323-YE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305(TE85R) SOT323-YETOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LFToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
62+4.91 грн
100+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
6000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 2.2kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 8980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.74 грн
15+22.59 грн
100+13.93 грн
500+8.78 грн
1000+7.66 грн
3000+4.25 грн
6000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305=DTA123JU
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305TE85L(YE)
на замовлення 6160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2305TE85RSOT323-YETOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306TOSHIBA02+ SOT-323
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306(TE85L)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.84 грн
60+5.06 грн
100+3.37 грн
500+2.40 грн
1000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LFToshibaDigital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 200Mhz
на замовлення 10207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.11 грн
44+7.45 грн
100+2.93 грн
1000+2.51 грн
3000+2.02 грн
9000+1.67 грн
24000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-323)
на замовлення 8407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.95 грн
22+15.06 грн
100+6.06 грн
1000+5.09 грн
3000+3.48 грн
9000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
28+10.79 грн
100+7.22 грн
500+5.20 грн
1000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2306,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307 LXHFToshiba SOT323 50V PNP BRT TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LFToshibaDigital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-323 50V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.38 грн
46+6.97 грн
103+2.72 грн
1000+2.30 грн
3000+1.67 грн
9000+1.39 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
64+4.76 грн
100+3.18 грн
500+2.26 грн
1000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2307,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 10kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.25 грн
14+23.56 грн
100+12.26 грн
500+8.22 грн
1000+6.20 грн
3000+4.60 грн
6000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
6000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.90 грн
38+21.70 грн
100+13.01 грн
500+7.43 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2307,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.01 грн
500+7.43 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307LF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307LXGF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307TE85L(YH)
на замовлення 12780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2307TE85R(YH)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308TOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
41+7.40 грн
100+4.95 грн
500+3.54 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2308,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2308,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP BRT, 22kO, 47kO, -50V, -0.1A (SOT-323)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
28+11.10 грн
100+7.44 грн
500+5.36 грн
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2308,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.95 грн
108+7.54 грн
500+5.20 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2308,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+19.67 грн
69+11.95 грн
108+7.54 грн
500+5.20 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2308TE85L(YI)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]