Продукція > sPB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SPB80N04S2L-03INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S-08Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 SIPMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S-08INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
1000+235.72 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N06S08ATMA1 - SPB80N06S - 60V POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+213.78 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
1000+235.72 грн
10000+213.67 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S08ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
135+262.83 грн
500+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-05Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-05INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-07INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-08INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-08Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 215W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-09INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-09Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-H5INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2-H5Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-05Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-05INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-06INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-06Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 69A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-07INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-08
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-09INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-09Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 125µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-11Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-11INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-11(2N
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-11(2N06L11)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-H5Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6640 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06S2L-H5INFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06SL-07Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06SL-07ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N06SL-07 - SPB80N06 - N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06SL2-7Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+83.09 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06SL2-7ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - SPB80N06SL2-7 - SPB80N06 - N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N06SL2-7Infineon TechnologiesSPB80N06SL2-7
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+117.77 грн
500+105.99 грн
Мінімальне замовлення: 301 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07INFINEONTO-263/D2-PAK
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07
Код товару: 89001
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07InfineonMOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6130 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 66A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2L-07INFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2L-07Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 67A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N08S2L07
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10LINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N10L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4540 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 58A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80N60S2-08
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PINFINEON07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PInfineon TechnologiesMOSFETs P-KANAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06P GInfineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06P GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
на замовлення 7616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGInfineonMOSFET P-Ch 80A 20V D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+363.80 грн
41+348.17 грн
50+334.90 грн
100+311.98 грн
250+280.11 грн
500+261.59 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1INFINEONDescription: INFINEON - SPB80P06PGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+344.65 грн
10+234.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs P-Ch -60V 80A D2PAK-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.30 грн
52+274.76 грн
55+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.30 грн
10+274.76 грн
25+258.17 грн
100+188.85 грн
250+173.09 грн
500+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.00 грн
51+277.97 грн
54+266.39 грн
100+191.16 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.61 грн
76+186.69 грн
500+185.75 грн
1000+166.39 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.55 грн
10+213.68 грн
100+151.20 грн
500+116.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.58 грн
10+276.20 грн
25+264.71 грн
100+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB80P06PGATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 60V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+169.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB820P-BCQ1H&D Wireless ABDescription: WIFI MODULE 802.11 BGN TCP/IP
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPB9000DNJ8Texas InstrumentsDescription: SPB9000DNJ8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBAT54XV2T5GonsemiDescription: IC
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBB21XSfera LabsControllers Strato Pi Base Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBB30XSfera LabsControllers STRATO PI BASE BOARD
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBC11XSfera LabsInterface Modules Strato Pi CAN Board FCC Compliant
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBC12XSfera LabsServers Strato CAN Board (FCC Compliant)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBCBVestilDescription: COUNTERWEIGHT BALANCE FOR FORK L
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fork Lift Snowplow Blade
Material: Steel
Style: Counterweight Balance
Part Status: Active
Capacity (Pounds): 500
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+115670.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBD-002T-P0.5JST CommercialHeaders & Wire Housings PBD CONTACT
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBF10XSfera LabsDescription: STRATO PI FAN BOARD
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Raspberry Pi
Accessory Type: Fan
Utilized IC / Part: Raspberry Pi
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2532.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBF10XSfera LabsModules Accessories Strato Pi Fan
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBFN16Transforming Technologies, LLCDescription: LIGHT COVER
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBFN18Transforming TechnologiesDescription: RT. END PIECE FOR BFN802/803
Packaging: Box
For Use With/Related Products: BFN802, BFN803
Accessory Type: Right End Piece
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBFN19Transforming TechnologiesDescription: LT. END PIECE FOR BFN802/803
Accessory Type: Left End Piece
For Use With/Related Products: BFN802, BFN803
Packaging: Box
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBFN22Transforming TechnologiesDescription: KNOB BOARD
Part Status: Not For New Designs
Accessory Type: Knob Board
For Use With/Related Products: BFN Ionizer
Packaging: Box
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBFN24Transforming TechnologiesDescription: LED LAMP
Packaging: Box
For Use With/Related Products: BFN Ionizer
Accessory Type: Led Lamp
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5665.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBG-03I02
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBG56S
на замовлення 6300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBI11N60C3
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBM20XSfera LabsServers STRATO MINI BOARD
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SPBOPLAEaton Electrical PADLOCKABLE PUSH TRIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT12-280EATON ELECTRICCategory: Surge Arresters
Description: Cartridge for surge arrestor; Type 1+2; 280VAC; socket; -40÷70°C
Operating temperature: -40...70°C
Mounting: socket
Kind of surge arrester: Type 1+2
Max. operating voltage: 280V AC
Protection level at rated imp. current: 1.5kV
Rated impulse current In (10/350)µs: 12.5kA
Type of installation accessories: cartridge for surge arrestor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT12-280/1EATON ELECTRICCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrester; Type 1+2; Poles: 1; 280VAC; for DIN rail mounting
Operating temperature: -40...70°C
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP40
Surge arresters features: operation indicator, which informs that a voltage surge occurred; varistor modules can be changed without need to switch OFF the network voltage
Type of protection: surge arrester
Kind of surge arrester: Type 1+2
Number of poles: 1
Max. operating voltage: 280V AC
Protection level at rated imp. current: 1.5kV
Rated impulse current In (10/350)µs: 12.5kA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3857.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT12-280/2EATON ELECTRICCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrester; Type 1+2; Poles: 2; 280VAC; for DIN rail mounting
Type of protection: surge arrester
Kind of surge arrester: Type 1+2
Number of poles: 2
Max. operating voltage: 280V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -40...70°C
IP rating: IP40
Surge arresters features: operation indicator, which informs that a voltage surge occurred; varistor modules can be changed without need to switch OFF the network voltage
Rated impulse current In (10/350)µs: 12.5kA
Protection level at rated imp. current: 1.5kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT12-280/3EATON ELECTRICCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrester; Type 1+2; Poles: 3; 280VAC; for DIN rail mounting
Operating temperature: -40...70°C
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP40
Surge arresters features: operation indicator, which informs that a voltage surge occurred; varistor modules can be changed without need to switch OFF the network voltage
Type of protection: surge arrester
Kind of surge arrester: Type 1+2
Number of poles: 3
Max. operating voltage: 280V AC
Protection level at rated imp. current: 1.5kV
Rated impulse current In (10/350)µs: 12.5kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT12-280/4EATON ELECTRICCategory: Surge Arresters
Description: Surge arrester; Type 1+2; Poles: 4; 280VAC; for DIN rail mounting
Operating temperature: -40...70°C
Mounting: for DIN rail mounting
IP rating: IP40
Surge arresters features: operation indicator, which informs that a voltage surge occurred; varistor modules can be changed without need to switch OFF the network voltage
Type of protection: surge arrester
Kind of surge arrester: Type 1+2
Number of poles: 4
Max. operating voltage: 280V AC
Protection level at rated imp. current: 1.5kV
Rated impulse current In (10/350)µs: 12.5kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT2532C2.ATSTMicroelectronicsDescription: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMD
Packaging: Tray
Package / Case: PCB Module
Sensitivity: -85dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB Flash, 48kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 2dBm
Data Rate: 2Mbps
Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2
Antenna Type: Antenna Not Included
Utilized IC / Part: STLC2500D
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I²C, I²S, SPI, UART
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT2532C2.AT2STMicroelectronicsDescription: RF TXRX MODULE BLUETOOTH SMD
Part Status: Obsolete
Serial Interfaces: I²C, I²S, SPI, UART
RF Family/Standard: Bluetooth
Utilized IC / Part: STLC2500DB
Antenna Type: Antenna Not Included
Protocol: Bluetooth v2.1 +EDR, Class 2
Data Rate: 2Mbps
Power - Output: 2dBm
Voltage - Supply: 3.3V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Memory Size: 256kB Flash, 48kB RAM
Frequency: 2.4GHz
Mounting Type: Surface Mount
Sensitivity: -85dBm
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT2632C1A.AT2STMicroelectronicsDescription: RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP SMD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Sensitivity: -90dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 256kB Flash, 48kB RAM
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.5V
Power - Output: 10dBm
Data Rate: 560kbps
Protocol: Bluetooth v3.0
Current - Receiving: 4.2mA
Current - Transmitting: 7mA
Antenna Type: Integrated, Chip
Utilized IC / Part: STLC2690
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1020 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPBT2632C1A.AT2STMicroelectronicsBluetooth Modules (802.15.1) Bluetooth Class1 MOD v3.0 RF 128bit 60m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]